美国存储芯片巨头 $美光科技 (MU.US)$ 将于9月23日美股盘后发布2025财年第四季度财报。机构预期2025Q4实现营收111.12亿美元，同比增加43.39%；预期每股收益2.69美元，同比增加239.87%（上述数据使用的会计准则为US-GAAP）。截止9月19日，美光科技年内涨幅已达到93%。
存储芯片的产品主要是两类，DRAM和NAND。DRAM（动态随机存储器），俗称的 “内存条”，通电时资料存在，断电时资料流失。NAND（闪存），断电后仍能保存数据，通常应用于外部存储器，和我们平时说的硬盘类似，SSD 固态硬盘、优盘等等都是闪存的一种。终端应用包括电脑、智能手机等各类电子产品。近年来，数据中心也对储存芯片有很大的需求。
从最新的财报看， DRAM 和 NAND 仍然是公司最重要的收入来源，合计占比超过90%。DRAM是公司最为核心的业务，最主要的也是 HBM 和 DDR 这两部分，收入占比达到 7 成以上。随着 HBM 的放量，公司的 DRAM 收入占比有望继续提升。NAND 是公司第二大收入来源，占比为 23%。
存储市场多个产品价格上涨，周期景气向上
存储芯片市场具有很明显的周期性。“涨价表明供不应求，跌价表明供过于求”，市场价格直接反映了存储市场的供需情况。因此，对于周期性行业和公司，判断所处的周期位置非常重要。
近期，多个存储大厂宣布旗下产品涨价。典型事件包括：
$SanDisk Corp (SNDK.US)$ ：9月5日宣布全线NAND产品提价约10%，理由是全球供应收紧及AI/企业需求持续走强。
$美光科技 (MU.US)$ ：在 SanDisk提价后暂停NAND和DRAM报价一周，9月13日宣布暂停报价以重新评估定价策略。市场消息人士预测美光 NAND 闪存价格可能上涨高达 30%。
$西部数据 (WDC.US)$：9月15日西部数据在需求强劲的情况下上调了所有HDD产品线的价格；行业消息指出交货延迟已达到6至10周。
$三星电子(ADR) (SSNGY.US)$ ：9月22日，三星大幅上调内存和闪存产品价格，DRAM产品涨幅高达30%，NAND闪存价格上涨5-10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。
本轮上涨行情受到供给侧结构性调整与需求侧新动能爆发两重因素影响，减产+需求增长推动涨价。
供给端，厂商将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。今年以来各大存储厂商均发布减产计划，包括三星电子、SK海力士等，加速了市场的去库存进程。随着AI PC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。
高带宽内存（HBM）需求激增成为推高价格的关键因素。多个大厂将传统DRAM产能，逐步转向了利润更高的DDR5和高带宽存储器（HBM）等高端产品，优先为$英伟达 (NVDA.US)$、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张（如DDR4），价格出现显著上涨。
需求端，受益于AI应用爆发、数据中心大规模建设，存储市场需求强劲增长。Omdia数据显示，2025年二季度全球DRAM市场规模较上一季度增长约17%，主要受益于全球兴起生成式AI风潮，带动DRAM合约价持续上涨和HBM出货增长。
集邦科技分析指出，由于人工智能数据中心需求强劲，预计第四季 DRAM 和 NAND Flash 价格将持续上涨，特别是 DDR4 和 DDR5 的价格。
HBM放量可期，市场份额有望提升
在当前美光公司业绩中，HBM（高带宽存储器）的放量情况至关重要。由于美光的 HBM 产能基本上已经被预定了，主要关注于产能爬坡及释放的表现。
在下半年，随着 $英伟达 (NVDA.US)$ GB300 产品量产增加，公司 HBM 收入有望继续提速。当前公司 HBM 产品处于英伟达二供的位置，产品进度方面仅落后于海力士。其中 HBM3E 12-high 已经打入英伟达 GB300，预计下季度进入 8Hi 与 12Hi 交叉供应的状态。届时预计 HBM3E 12Hi（搭配 GB 300）会是出货主力，HBM3E 8Hi（搭配 GB 200），将作为辅助。整体来看，公司当前仍处于景气周期内，只要 HBM 顺利放量，公司下半年的业绩有望继续提升。
根据巴克莱数据，美光HBM市场份额在过去12个月中稳步上升，从2024年第二季度的6%增长至2025年第二季度的19%。目前公司管理层及市场都预期公司将获得 HBM 市场 20%-25% 的份额，这部分预期已经打入在股价中。巴克莱预计公司可能会对扩大份额更加积极，该投行估算，明年额外增加5%的市场份额将带来超过20亿美元的收入贡献。如果后续公司有更超预期的表现，有望给市场带来更多的信心。
但三星芯片的进展可能会对HBM的市场定价产生负面影响，上周三星成为英伟达HBM芯片第三家供应商，特别是如果三星以折让价格出售其产品以获取市场份额的话。
毛利率有望受益于价格上涨
公司利润端的提升主要受收入和毛利率两项核心指标影响。其中毛利率变化，主要受 DRAM 和 NAND 价格变化影响；而收入增长方面，更重要的是公司 HBM 的放量情况。
上个财报绩后，美光科技曾大幅上调2025财年第四季度业绩指引，将收入预测提高了5%，GAAP每股收益提高15%，Non-GAAP每股收益上调14%。
公司特别提及DRAM定价条件的改善，这一变化通常反映出存储器市场供需平衡的改善。DRAM定价改善为整个存储芯片行业创造了更有利的环境，可能预示着历来具有周期性特征的存储芯片定价正进入积极周期。
美光科技作为 DRAM 市场的重要参与者，将显著受益于这种市场环境。其在 DRAM 产品组合及成本改善方面的努力，使得上季度毛利率回升至 37.7%。在第四季度，随着 DRAM 价格的进一步上涨以及需求的持续旺盛，美光科技的 DRAM 业务有望继续为公司贡献丰厚的利润。毛利率指引提升至44％至45％，此前预计41％至43％。
大行观点
美光财报发布之前，巴克莱看好NAND业务短期反弹与HBM业务长期增长，上调其目标价至175美元。巴克莱表示，NAND闪存业务的暂时性复苏以及高带宽内存(HBM)市场份额的长期上升轨迹，将推动美光股价在财报发布后表现强劲。
摩根士丹利给予美光科技中性评级，目标价 135 美元。该行认为，从整体情况看，美光科技的状况仍具有争议性。一方面，看空情绪在诸多行业会议中被反复提及；另一方面，公司股价却持续走高。尽管市场对美光的未来持乐观态度，但其估值可能已经充分反映了这些预期，存在一定的高估风险。
期权信号
*以下策略仅供投资者教育使用，不代表投资建议
期权信号上，短期看涨情绪（Put-Call Ratio下降）与中长期对冲需求（认沽持仓较高）并存，市场方向尚未明朗。从成交量看，认沽/认购比率为0.67，反映看涨情绪占多。但需注意，持仓量（Open Interest）中认沽期权未平仓合约仍高于认购期权，表明部分投资者可能通过认沽期权进行对冲。
当前引申波幅为64%，高于历史波幅45%，位于85%百分位数，财报前市场押注波动加大，期权溢价率较高。
从9月26日到期日的未平仓期权分布来看，看涨期权较多，行权价集中在190美元，看跌期权行权价集中在160美元。
期权信号反映，25Q4的业绩日波动在±9.56%。
若投资者强烈看好美光科技在HBM放量和存储周期景气向上环境下，毛利率和收入有望超预期，希望押注财报后股价上涨。可买入财报后到期的看涨期权，但应注意当前IV较高，期权价格较昂贵。
或者可以采用看涨期权价差策略，可以在保持看涨方向的同时降低买入期权的成本，盈亏均可控。
若投资者认为在当前的高估值下，即便业绩超预期，进一步上涨空间也有限，押注财报后不涨或下跌。已持仓的投资者可以采用备兑看涨期权策略，保持持仓的同时卖出看涨期权。若绩后股价未涨过行权价，则尽收权利金；若股价涨破行权价，则以该行权价卖出股票。
若投资者强烈看跌，也可以买入看跌期权，同理在IV较高条件下，期权价格较贵。或者可以采用买入看跌期权垂直价差的策略，可以在保持看跌方向的同时降低买入期权的成本，盈亏均可控。
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编辑/wendey
