马斯克在社交平台X上发文回应称，一旦中国掌握某种产品的制造方法，其规模化能力往往超过全球其他地区的总和，并以锂电池和太阳能为例佐证。他同时对中国在内存芯片领域的追赶速度表达明确关切，认为LP5和LP6等通用标准规格“中国似乎正在快速攻克”。此前，中国存储芯片厂商长鑫存储宣布在下一代4F²存储单元架构上取得关键进展，并计划于2026年底前推出基于该架构的DDR5服务器内存产品，引发市场对中国厂商加速渗透高端存储芯片市场的担忧。受此影响，美股芯片板块周一下跌，费城半导体指数创三周新低，美光收跌约4%，闪迪收跌近6%，SK海力士ADR与超微电脑均跌超4%。