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英偉達暫時放棄台積電COUPE技術方案，轉向Tower Semiconductor硅光子平台
Svmuu訊 消息人士透露，英偉達已決定暫時放棄採用台積電 COUPE 技術方案。英偉達此前的“Plan A”方案基於台積電 COUPE 共封裝光學平台，採用 8 波長 DWDM 和約 50 至 64G NRZ 調製技術；最新“Plan B”轉向 Tower Semiconductor 的硅光子平台，採用 16 波長 DWDM 以及 200G/400G PAM4 調製方案。
2026/07/12 06:09
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英偉達暫時放棄台積電COUPE技術方案，轉向Tower Semiconductor硅光子平台
Svmuu訊 消息人士透露，英偉達已決定暫時放棄採用台積電 COUPE 技術方案。英偉達此前的“Plan A”方案基於台積電 COUPE 共封裝光學平台，採用 8 波長 DWDM 和約 50 至 64G NRZ 調製技術；最新“Plan B”轉向 Tower Semiconductor 的硅光子平台，採用 16 波長 DWDM 以及 200G/400G PAM4 調製方案。
2026/07/12 06:09
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