Svmuuの報道によると、Citriniのアナリストjukan氏はXプラットフォームで、サムスン電子が器興（ギフン）キャンパスに新たなDRAMウェハー工場を建設する計画であり、当初は研究開発センターとして予定されていた敷地をメモリ生産施設に転用すると述べた。同施設の月間生産能力は約10万枚と見込まれ、総投資額は数十兆ウォンに達すると予想される。サムスン電子はすでに新ウェハー工場の建設を推進するための社内チームを結成しており、早ければ第3四半期にも初期工事が開始される見込みだ。Counterpoint Researchは、製品価格の上昇に後押しされ、世界のDRAM市場の売上高が今年の1500億ドルから最大2100億ドルに拡大すると予測している。また、サムスン電子は平沢（ピョンチャク）のP4工場に、月産10万枚のウェハーを生産できる新生産ラインを設置し、第6世代HBM（HBM4）用DRAMの生産を開始するほか、京畿道龍仁（ヨンイン）の次世代半導体クラスターにウェハー工場を建設し、2029年の初期生産開始を目指している。さらに、同社は全羅南道光州の半導体クラスターにおいて、総投資額400万兆ウォンを投じ、2つの最先端半導体ファブ建設を推進している。