该分析重点介绍了Roundhill内存ETF（DRAM），该基金主要投资于三星、美光和SK海力士等内存芯片制造商。 此外，iShares半导体ETF（SOXX）——过去五年年化回报率达29.6%——以及投资范围更为广泛的先锋信息技术指数基金（VGT）——过去十年年化回报率为24.3%——也被视为具有潜在超额收益能力的标的。