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DRAM

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  • 分析师：中国DRAM厂商或于2027年进一步推进3D DRAM研发

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Goldman Sachs 与一位中国 DRAM 行业专家通话中，该专家认为，尽管良率可能更低，中国供应商的 DRAM 价格可与全球龙头相当；中国 DRAM 厂商可能于 2027 年在 3D DRAM 产品开发上取得进一步进展；合肥、上海和北京正在推进的产能扩张预计将于 2028 年全面投产；一些晶圆厂据称主要使用国产中国设备

    2026/07/25 19:49 #中国DRAM#Goldman Sachs#DRAM

  • Tom Lee：AI下游资产表现持续增强，以太坊近一个月跑赢DRAM 72个百分点

    Svmuu讯 Bitmine 董事长、Fundstrat 联合创始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相关资产的相对表现正在持续增强，其中以太坊（ETH）相较于 DRAM（动态随机存取存储器）板块近期展现出明显超额收益。 Tom Lee 披露数据显示，过去一个月内，ETH 相对 DRAM 的表现优势扩大至 7200 个基点（72 个百分点）。同期，ETH 价格上涨

    2026/07/21 09:35 #DRAM#AI#以太坊

  • 摩根士丹利：美国内存股抛售为一次“健康重置” 并不是周期拐点

    Svmuu讯 据市场消息：摩根士丹利分析师将近期美国内存股抛售称为一次“健康重置”，并认为这不是内存周期的拐点。摩根士丹利预计 2026 年三季度 DRAM 价格仍可能环比上涨 20%-30%以上。这个判断指向的是部分渠道和品类口径，不能简单等同于全行业服务器 DRAM 官方合约价。

    2026/07/20 08:47 #美国内存股#DRAM#摩根士丹利

  • DRAM价格预期上调：三季度均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测

    Svmuu讯 根据最新行业调研，全球 DRAM 市场第三季度平均售价（ASP）预计将环比上涨 21%，这一预期高于 TrendForce 此前对传统 DRAM 价格上涨 13%至 18%、以及包含 HBM 在内整体上涨 8%至 13%的预测。 分析认为，第三季度 DRAM 价格上涨主要受到多项因素推动，包括服务器 DRAM 价格环比上涨 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求强劲；DDR5 及

    2026/07/19 04:18 #台积电#存储芯片#DRAM#半导体

  • 摩根士丹利：DRAM合约价增速或在Q4见顶，存储企业估值待重估

    Svmuu讯 摩根士丹利发布最新存储行业观点，预判 DRAM 合约价同比增速将在 2026 年第四季度见顶。报告指出，四季度后 DRAM 价格同比涨幅或将大幅回落，此前一年价格暴涨四倍的行情难以复刻。机构同时提及，当前存储芯片企业对应未来 12 个月预期市净率存在重估空间，板块估值逻辑或将迎来调整。

    2026/07/16 08:44 #估值#存储芯片#DRAM#摩根士丹利

  • 长鑫科技：2023年至2025年主要DRAM产品销量的年均复合增长率高达83.98%

    Svmuu讯 7 月 15 日，长鑫科技科创板上市网上投资者交流会举行。对于公司 2023 年至 2025 年收入实现快速增长的驱动因素，长鑫科技董事长朱一明表示，为实现产能及市场份额的快速提升，公司始终处于产能扩建及释放阶段，产能的迅速爬坡带来产出及销量的增长是公司 2023-2025 收入提升的最主要因素。 同时，公司通过长期的技术投入和自主创新，陆续搭建了第一代、第三代、第四代并持续迭代的工

    2026/07/15 06:25 #长鑫科技#DRAM#半导体

  • 长鑫科技称AI发展对DRAM市场需求存在不确定性

    Svmuu讯 长鑫科技副总裁、董事会秘书袁园表示，2025 年下半年以来的业绩增长受益于 AI 驱动的 DRAM 需求增长及行业供需紧张，但 DRAM 行业具有强周期性，价格波动较大，且 AI 发展对 DRAM 市场需求存在不确定性。公司将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力，并提醒投资者关注行业波动风险。

    2026/07/15 04:26 #长鑫科技#DRAM#AI

  • 三星电子计划在器兴建设新DRAM工厂，月产能预计达10万片晶圆

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Samsung Electronics 计划在其器兴园区建设一座新的 DRAM 晶圆厂，将原定用于研发中心的场地改造为内存生产设施。该设施月产能预计约 10 万片晶圆，总投资预计达数十万亿韩元。Samsung Electronics 已组建内部团队推进新晶圆厂建设，最早可能于第三季度启动初期施工。Counterpoint Re

    2026/07/14 19:55 #三星电子#DRAM#半导体

  • 某地址亏损3603万美元后再次被清算，过去一周清算损失84.17万美元

    Svmuu讯 据 Onchain Lens 监测，某地址在 Hyperliquid 上再次被清算，其 274 万美元 DRAM 多单被清算，损失约 33.65 万美元；该钱包 6 天前还因 MRVL 清算损失约 50.52 万美元，过去一周清算损失约 84.17 万美元，目前亏损 3603 万美元。

    2026/07/14 18:50 #MRVL#清算#DRAM#hyperliquid

  • SK海力士启动龙仁Y1晶圆厂设备采购，计划明年2月建设试产线

    Svmuu讯 SK 海力士已开始为位于韩国龙仁的 Y1 晶圆厂采购先进 DRAM 制造设备，初步规划产能约为每月 2 万片晶圆。SK 海力士计划将 Y1 Ph1 启用时间从原定明年 5 月提前至 明年 2 月，并于明年 2 月启动试生产线建设，随后在 3 至 4 月推进大规模设备安装。该晶圆厂目标生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，该产品将用于 AI 服务器相关 DDR、LPDDR 产品，并

    2026/07/14 01:09 #HBM4E#AI服务器#SK海力士#DRAM

  • 分析师下调 SK 海力士二季度盈利预期，但预计长期盈利增长持续

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，KIS Semicon 分析师 Minsook Chae 预计 SK Hynix 2026 年二季度营业利润为 60.4 万亿韩元，环比增长 61%，同比增长 556%，较 65 万亿韩元市场共识低 8%。 分析师表示，下调预期主要由于 SK 海力士 HBM 销售占比高于同行、普通 DRAM 价格涨幅低于此前市场预期，以及长期

    2026/07/12 23:41 #盈利预期#SK Hynix#HBM#DRAM

  • Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung

    2026/07/05 05:20 #DRAM#半导体

  • Citrini分析师：UBS上调DRAM和NAND价格预期

    Svmuu讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文表示，UBS 上调 DRAM 和 NAND 价格预期，目前预计 DRAM 价格将在第三季度环比上涨 32%，第四季度环比上涨 18%；NAND 价格将在第三季度环比上涨 30%，第四季度环比上涨 12%。

    2026/07/03 07:31 #瑞银#NAND#DRAM

  • 消息称三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%

    Svmuu讯 据业内人士 3 日透露，三星电子目前正在与客户进行谈判，目标是将今年第三季度 DRAM 的平均售价比上一季度提高 20%。（ZDNET Korea）

    2026/07/03 01:25 #三星电子#DRAM

  • Atreides创始人：DRAM始终是AI最重要的瓶颈，2027年会占到数据中心资本支出的30%-40%

    Svmuu讯 Atreides Management 创始人兼首席投资官 Gavin Baker 在参加最新一期 All In 播客节目时谈到了 AI 竞赛的“瓶颈”问题。 Gavin 表示，DRAM 始终是最重要的瓶颈，社交媒体上有一群人非常关注瓶颈问题，他们会在 Claude 搜索，找出一些不知名的日本材料公司，但真正重要的瓶颈只有 DRAM，因为内存容量和带宽是所有 AI 模型性能的基础。

    2026/06/29 03:38 #数据中心#DRAM#AI

  • 长鑫存储获腾讯30亿美元存储芯片供应协议

    Svmuu讯 据路透社报道，三位知情人士透露，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已与腾讯控股签署一项长期供货协议，合同金额超过 200 亿元人民币（约合 29.4 亿美元）。这项重大订单是在长鑫存储备受瞩目的首次公开募股（IPO）前达成的。 知情人士表示，该协议涵盖未来数年的服务器 DRAM 芯片供应。其中，两位消息人士称合同期限最长为 3 年，另一位则表示最长可达 5 年。由于相关信息属于保

    2026/06/29 03:36 #存储芯片#DRAM#腾讯#IPO

  • 花旗：苹果对长鑫存储内存兴趣将提升其全球地位

    Svmuu讯 花旗表示，报道称苹果对长鑫存储的内存感兴趣，这一认可将长鑫存储从“中国国产替代的故事”转变为“具备公信力的全球第四大 DRAM 制造商”。花旗预计，该消息将对长鑫存储及其供应链带来利好，包括设备供应商和 OSAT 外包封测厂商。

    2026/06/28 21:29 #长鑫存储#苹果#花旗#DRAM

  • DRAM ETF已将兆易创新纳入持仓，持仓权重达2.91%

    Svmuu讯 根据公开信息，Roundhill Memory ETF(DRAM) 已将兆易创新纳入持仓，权重为 2.91%。Citrini Research 分析师 Jukan 表示，兆易创新被视为中国 DRAM 厂商长鑫存储的母公司或关联实体。Roundhill Memory ETF 主要聚焦全球存储芯片产业链，核心持仓包括 Samsung Electronics、Micron Technolo

    2026/06/26 22:32 #存储芯片#DRAM#ETF

  • 创历史新高，2026年全球半导体市场规模预计超1.5万亿美元

    Svmuu讯 世界半导体贸易统计组织近期发布预测称，受 AI 热潮拉动，2026 年全球半导体市场规模将超 1.5 万亿美元，创历史新高。半导体行业正围绕 AI 需求加速重构。行业研究机构报告显示，今年第一季度 DRAM 市场营收规模达 970 亿美元，同比增长 260%，创历史新高。其中三星电子占据约 38%市场份额，位居第一；SK 海力士和美光科技位列其后。三星电子已连续两个季度位居 DRAM

    2026/06/26 07:02 #DRAM#英伟达#半导体#AI

  • Lenovo：DRAM和NAND价格上涨将成为新常态，并持续至2030年后

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Lenovo 称内存价格上涨是“新常态”，DRAM 和 NAND 闪存价格已进入结构性上行周期，即使主要供应商继续扩产，价格也不太可能回到 2025 年初水平。更高成本正在整个行业传导，未来包括 PC 和智能手机在内的各类电子设备预计将持续面临涨价压力，较高价格将在 2030 年后成为“新常态”。

    2026/06/26 03:53 #电子产品#涨价#NAND#DRAM

  • 国金证券：美光科技推进长协落地，供需缺口有望持续

    Svmuu讯 国金证券研报认为，美光科技推进长协落地，供需缺口有望持续。美光科技已经与客户完成 16 个 SCA（战略客户合作协议），下游涵盖数据中心、消费电子、汽车市场。SCA 中汽车客户签订时间为三年，其他客户基本为五年。16 个 SCA 协议已经占到美光科技 20%的 DRAM 出货量，1/3 的 NAND 出货量。 美光科技签订的 SCA 的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能

    2026/06/25 20:17 #存储行业#NAND#美光科技#DRAM

  • REX Shares推出DRAM每日表现的2倍收益的ETF RAM

    Svmuu讯 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF（RAM）已上线交易。该产品为与 Roundhill 合作发行的唯一 2 倍杠杆 ETF，Roundhill 为 DRAM（Roundhill Memory ETF）发行方。 RAM 旨在提供 DRAM 每日表现的 2 倍收益，每日重置，面向活跃交易者。

    2026/06/24 08:26 #杠杆ETF#DRAM

  • 彭博分析师：LeverageShares本周将推出3倍杠杆SpaceX ETF

    Svmuu讯 彭博高级 ETF 分析师 Eric Balchunas 在 X 平台表示，LeverageShares 将于本周五在推出 3 倍杠杆 SpaceX ETF。美元份额交易代码为 $ELON，英镑份额交易代码为 $MUSK。此外，该公司还将同时推出 3 倍杠杆的 SK Hynix ETF 和 3 倍杠杆 DRAM ETF，覆盖当前市场热门标的，分析 renewing 这些产品面向风险偏好

    2026/06/10 10:31 #DRAM#SpaceX#杠杆#ETF

  • 伯恩斯坦：DRAM与NAND合约价格涨涨涨，预计二季度环比上涨约60%

    Svmuu讯 伯恩斯坦最新月度追踪报告显示，DRAM与NAND合约价格在5月继续环比上涨，综合指标均指向2026年第二季度将录得约60%的环比涨幅，略高于该机构此前预测。报告显示，5月DRAM合约价格较4月进一步上涨，加权平均数据显示，2026年第二季度传统DRAM合约价格预计较2026年第一季度上涨64%。NAND方面，受移动NAND及SSD价格支撑，2026年第二季度混合均价涨幅预计约为60%

    2026/06/04 09:20 #NAND#大行评级#DRAM
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  • 分析师：中国DRAM厂商或于2027年进一步推进3D DRAM研发

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Goldman Sachs 与一位中国 DRAM 行业专家通话中，该专家认为，尽管良率可能更低，中国供应商的 DRAM 价格可与全球龙头相当；中国 DRAM 厂商可能于 2027 年在 3D DRAM 产品开发上取得进一步进展；合肥、上海和北京正在推进的产能扩张预计将于 2028 年全面投产；一些晶圆厂据称主要使用国产中国设备

    2026/07/25 19:49 #中国DRAM#Goldman Sachs#DRAM

  • Tom Lee：AI下游资产表现持续增强，以太坊近一个月跑赢DRAM 72个百分点

    Svmuu讯 Bitmine 董事长、Fundstrat 联合创始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相关资产的相对表现正在持续增强，其中以太坊（ETH）相较于 DRAM（动态随机存取存储器）板块近期展现出明显超额收益。 Tom Lee 披露数据显示，过去一个月内，ETH 相对 DRAM 的表现优势扩大至 7200 个基点（72 个百分点）。同期，ETH 价格上涨

    2026/07/21 09:35 #DRAM#AI#以太坊

  • 摩根士丹利：美国内存股抛售为一次“健康重置” 并不是周期拐点

    Svmuu讯 据市场消息：摩根士丹利分析师将近期美国内存股抛售称为一次“健康重置”，并认为这不是内存周期的拐点。摩根士丹利预计 2026 年三季度 DRAM 价格仍可能环比上涨 20%-30%以上。这个判断指向的是部分渠道和品类口径，不能简单等同于全行业服务器 DRAM 官方合约价。

    2026/07/20 08:47 #美国内存股#DRAM#摩根士丹利

  • DRAM价格预期上调：三季度均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测

    Svmuu讯 根据最新行业调研，全球 DRAM 市场第三季度平均售价（ASP）预计将环比上涨 21%，这一预期高于 TrendForce 此前对传统 DRAM 价格上涨 13%至 18%、以及包含 HBM 在内整体上涨 8%至 13%的预测。 分析认为，第三季度 DRAM 价格上涨主要受到多项因素推动，包括服务器 DRAM 价格环比上涨 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求强劲；DDR5 及

    2026/07/19 04:18 #台积电#存储芯片#DRAM#半导体

  • 摩根士丹利：DRAM合约价增速或在Q4见顶，存储企业估值待重估

    Svmuu讯 摩根士丹利发布最新存储行业观点，预判 DRAM 合约价同比增速将在 2026 年第四季度见顶。报告指出，四季度后 DRAM 价格同比涨幅或将大幅回落，此前一年价格暴涨四倍的行情难以复刻。机构同时提及，当前存储芯片企业对应未来 12 个月预期市净率存在重估空间，板块估值逻辑或将迎来调整。

    2026/07/16 08:44 #估值#存储芯片#DRAM#摩根士丹利

  • 长鑫科技：2023年至2025年主要DRAM产品销量的年均复合增长率高达83.98%

    Svmuu讯 7 月 15 日，长鑫科技科创板上市网上投资者交流会举行。对于公司 2023 年至 2025 年收入实现快速增长的驱动因素，长鑫科技董事长朱一明表示，为实现产能及市场份额的快速提升，公司始终处于产能扩建及释放阶段，产能的迅速爬坡带来产出及销量的增长是公司 2023-2025 收入提升的最主要因素。 同时，公司通过长期的技术投入和自主创新，陆续搭建了第一代、第三代、第四代并持续迭代的工

    2026/07/15 06:25 #长鑫科技#DRAM#半导体

  • 长鑫科技称AI发展对DRAM市场需求存在不确定性

    Svmuu讯 长鑫科技副总裁、董事会秘书袁园表示，2025 年下半年以来的业绩增长受益于 AI 驱动的 DRAM 需求增长及行业供需紧张，但 DRAM 行业具有强周期性，价格波动较大，且 AI 发展对 DRAM 市场需求存在不确定性。公司将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力，并提醒投资者关注行业波动风险。

    2026/07/15 04:26 #长鑫科技#DRAM#AI

  • 三星电子计划在器兴建设新DRAM工厂，月产能预计达10万片晶圆

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Samsung Electronics 计划在其器兴园区建设一座新的 DRAM 晶圆厂，将原定用于研发中心的场地改造为内存生产设施。该设施月产能预计约 10 万片晶圆，总投资预计达数十万亿韩元。Samsung Electronics 已组建内部团队推进新晶圆厂建设，最早可能于第三季度启动初期施工。Counterpoint Re

    2026/07/14 19:55 #三星电子#DRAM#半导体

  • 某地址亏损3603万美元后再次被清算，过去一周清算损失84.17万美元

    Svmuu讯 据 Onchain Lens 监测，某地址在 Hyperliquid 上再次被清算，其 274 万美元 DRAM 多单被清算，损失约 33.65 万美元；该钱包 6 天前还因 MRVL 清算损失约 50.52 万美元，过去一周清算损失约 84.17 万美元，目前亏损 3603 万美元。

    2026/07/14 18:50 #MRVL#清算#DRAM#hyperliquid

  • SK海力士启动龙仁Y1晶圆厂设备采购，计划明年2月建设试产线

    Svmuu讯 SK 海力士已开始为位于韩国龙仁的 Y1 晶圆厂采购先进 DRAM 制造设备，初步规划产能约为每月 2 万片晶圆。SK 海力士计划将 Y1 Ph1 启用时间从原定明年 5 月提前至 明年 2 月，并于明年 2 月启动试生产线建设，随后在 3 至 4 月推进大规模设备安装。该晶圆厂目标生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，该产品将用于 AI 服务器相关 DDR、LPDDR 产品，并

    2026/07/14 01:09 #HBM4E#AI服务器#SK海力士#DRAM

  • 分析师下调 SK 海力士二季度盈利预期，但预计长期盈利增长持续

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，KIS Semicon 分析师 Minsook Chae 预计 SK Hynix 2026 年二季度营业利润为 60.4 万亿韩元，环比增长 61%，同比增长 556%，较 65 万亿韩元市场共识低 8%。 分析师表示，下调预期主要由于 SK 海力士 HBM 销售占比高于同行、普通 DRAM 价格涨幅低于此前市场预期，以及长期

    2026/07/12 23:41 #盈利预期#SK Hynix#HBM#DRAM

  • Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung

    2026/07/05 05:20 #DRAM#半导体

  • Citrini分析师：UBS上调DRAM和NAND价格预期

    Svmuu讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文表示，UBS 上调 DRAM 和 NAND 价格预期，目前预计 DRAM 价格将在第三季度环比上涨 32%，第四季度环比上涨 18%；NAND 价格将在第三季度环比上涨 30%，第四季度环比上涨 12%。

    2026/07/03 07:31 #瑞银#NAND#DRAM

  • 消息称三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%

    Svmuu讯 据业内人士 3 日透露，三星电子目前正在与客户进行谈判，目标是将今年第三季度 DRAM 的平均售价比上一季度提高 20%。（ZDNET Korea）

    2026/07/03 01:25 #三星电子#DRAM

  • Atreides创始人：DRAM始终是AI最重要的瓶颈，2027年会占到数据中心资本支出的30%-40%

    Svmuu讯 Atreides Management 创始人兼首席投资官 Gavin Baker 在参加最新一期 All In 播客节目时谈到了 AI 竞赛的“瓶颈”问题。 Gavin 表示，DRAM 始终是最重要的瓶颈，社交媒体上有一群人非常关注瓶颈问题，他们会在 Claude 搜索，找出一些不知名的日本材料公司，但真正重要的瓶颈只有 DRAM，因为内存容量和带宽是所有 AI 模型性能的基础。

    2026/06/29 03:38 #数据中心#DRAM#AI

  • 长鑫存储获腾讯30亿美元存储芯片供应协议

    Svmuu讯 据路透社报道，三位知情人士透露，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已与腾讯控股签署一项长期供货协议，合同金额超过 200 亿元人民币（约合 29.4 亿美元）。这项重大订单是在长鑫存储备受瞩目的首次公开募股（IPO）前达成的。 知情人士表示，该协议涵盖未来数年的服务器 DRAM 芯片供应。其中，两位消息人士称合同期限最长为 3 年，另一位则表示最长可达 5 年。由于相关信息属于保

    2026/06/29 03:36 #存储芯片#DRAM#腾讯#IPO

  • 花旗：苹果对长鑫存储内存兴趣将提升其全球地位

    Svmuu讯 花旗表示，报道称苹果对长鑫存储的内存感兴趣，这一认可将长鑫存储从“中国国产替代的故事”转变为“具备公信力的全球第四大 DRAM 制造商”。花旗预计，该消息将对长鑫存储及其供应链带来利好，包括设备供应商和 OSAT 外包封测厂商。

    2026/06/28 21:29 #长鑫存储#苹果#花旗#DRAM

  • DRAM ETF已将兆易创新纳入持仓，持仓权重达2.91%

    Svmuu讯 根据公开信息，Roundhill Memory ETF(DRAM) 已将兆易创新纳入持仓，权重为 2.91%。Citrini Research 分析师 Jukan 表示，兆易创新被视为中国 DRAM 厂商长鑫存储的母公司或关联实体。Roundhill Memory ETF 主要聚焦全球存储芯片产业链，核心持仓包括 Samsung Electronics、Micron Technolo

    2026/06/26 22:32 #存储芯片#DRAM#ETF

  • 创历史新高，2026年全球半导体市场规模预计超1.5万亿美元

    Svmuu讯 世界半导体贸易统计组织近期发布预测称，受 AI 热潮拉动，2026 年全球半导体市场规模将超 1.5 万亿美元，创历史新高。半导体行业正围绕 AI 需求加速重构。行业研究机构报告显示，今年第一季度 DRAM 市场营收规模达 970 亿美元，同比增长 260%，创历史新高。其中三星电子占据约 38%市场份额，位居第一；SK 海力士和美光科技位列其后。三星电子已连续两个季度位居 DRAM

    2026/06/26 07:02 #DRAM#英伟达#半导体#AI

  • Lenovo：DRAM和NAND价格上涨将成为新常态，并持续至2030年后

    Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Lenovo 称内存价格上涨是“新常态”，DRAM 和 NAND 闪存价格已进入结构性上行周期，即使主要供应商继续扩产，价格也不太可能回到 2025 年初水平。更高成本正在整个行业传导，未来包括 PC 和智能手机在内的各类电子设备预计将持续面临涨价压力，较高价格将在 2030 年后成为“新常态”。

    2026/06/26 03:53 #电子产品#涨价#NAND#DRAM

  • 国金证券：美光科技推进长协落地，供需缺口有望持续

    Svmuu讯 国金证券研报认为，美光科技推进长协落地，供需缺口有望持续。美光科技已经与客户完成 16 个 SCA（战略客户合作协议），下游涵盖数据中心、消费电子、汽车市场。SCA 中汽车客户签订时间为三年，其他客户基本为五年。16 个 SCA 协议已经占到美光科技 20%的 DRAM 出货量，1/3 的 NAND 出货量。 美光科技签订的 SCA 的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能

    2026/06/25 20:17 #存储行业#NAND#美光科技#DRAM

  • REX Shares推出DRAM每日表现的2倍收益的ETF RAM

    Svmuu讯 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF（RAM）已上线交易。该产品为与 Roundhill 合作发行的唯一 2 倍杠杆 ETF，Roundhill 为 DRAM（Roundhill Memory ETF）发行方。 RAM 旨在提供 DRAM 每日表现的 2 倍收益，每日重置，面向活跃交易者。

    2026/06/24 08:26 #杠杆ETF#DRAM

  • 彭博分析师：LeverageShares本周将推出3倍杠杆SpaceX ETF

    Svmuu讯 彭博高级 ETF 分析师 Eric Balchunas 在 X 平台表示，LeverageShares 将于本周五在推出 3 倍杠杆 SpaceX ETF。美元份额交易代码为 $ELON，英镑份额交易代码为 $MUSK。此外，该公司还将同时推出 3 倍杠杆的 SK Hynix ETF 和 3 倍杠杆 DRAM ETF，覆盖当前市场热门标的，分析 renewing 这些产品面向风险偏好

    2026/06/10 10:31 #DRAM#SpaceX#杠杆#ETF

  • 伯恩斯坦：DRAM与NAND合约价格涨涨涨，预计二季度环比上涨约60%

    Svmuu讯 伯恩斯坦最新月度追踪报告显示，DRAM与NAND合约价格在5月继续环比上涨，综合指标均指向2026年第二季度将录得约60%的环比涨幅，略高于该机构此前预测。报告显示，5月DRAM合约价格较4月进一步上涨，加权平均数据显示，2026年第二季度传统DRAM合约价格预计较2026年第一季度上涨64%。NAND方面，受移动NAND及SSD价格支撑，2026年第二季度混合均价涨幅预计约为60%

    2026/06/04 09:20 #NAND#大行评级#DRAM
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