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高带宽内存
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SK海力士HBM4部分后道设备订单推迟至明年，扩产节奏低于预期
SK海力士第六代高带宽内存HBM4的产能扩张步伐正在放缓，部分原定今年下半年交付的后道工序设备订单被推迟至明年，后续发单计划亦尚未明确，引发市场对其扩产节奏的担忧。大信证券分析师柳亨根认为，市场对HBM4质量问题的担忧"过度忧虑"，相关问题可解决且不涉及赔偿责任。
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Yahoo财经分析：英伟达2670亿美元采购承诺暗示美光股价或在2029年前见顶
英伟达在最新财报中披露，截至2029财年（2030年1月结束），其已承诺在内存及其他供应上支出2670亿美元。分析指出，英伟达在2029财年之后未列出有意义的采购协议，这可能暗示高带宽内存（HBM）市场在2029年后需求将放缓，从而影响美光等内存供应商的股价。分析师预测，除非英伟达提前增加2030财年及以后的承诺，美光股价可能在2028年12月至2029年1月之间见顶。英伟达的采购承诺并非全部转化
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分析师：英伟达下调部分芯片性能评级或将推动高带宽内存需求增长，惠及美光
分析师：英伟达下调部分芯片性能评级或将推动高带宽内存需求增长，惠及美光
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英伟达与SK海力士签署“史上最大规模内存协议”，用于人工智能基础设施建设
英伟达（Nvidia）与SK海力士（SK Hynix）签署了被称为“史上最大规模内存合作协议”的协议，旨在加强人工智能基础设施建设。根据协议，SK海力士的子公司SK电讯将在韩国建设一座采用英伟达Vera Rubin平台的2吉瓦人工智能云数据中心。 此外，SK海力士将向英伟达供应高带宽内存（HBM），双方还将合作共同开发未来的人工智能内存技术。有分析指出，这一合作关系有望在未来几年内显著提振两家公司
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瑞银：预计2026年高带宽内存需求将同比增长90%，2027年将再增长77%
Svmuu讯 瑞银表示，随着人工智能（AI）需求持续增长以及长期供应协议（LTA）谈判仍在进行，存储芯片市场周期正在“进一步趋强”，结构性供应不足的局面至少会持续到 2028 年中期。 瑞银预计，2026 年全年存储芯片行业总收入将达到 9920 亿美元。到 2027 年，这一数字预计将几乎翻一番，达到 1.76 万亿美元。推动这一增长的主要动力是高带宽内存（HBM），这是一种专用于人工智能加速器
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美光日本启动超90亿美元芯片项目扩建，押注AI高带宽内存需求
Svmuu讯 美光于周六在日本广岛县东广岛市正式为其工厂扩建项目破土动工。该项目总投资约 1.5 万亿日元（约 93 亿美元），用于生产面向 AI 时代的先进存储芯片。 据介绍，新产线将重点生产高带宽内存（HBM）等关键芯片，这类产品是支撑 Nvidia 等 AI 处理器性能的核心组件。预计相关芯片最早将于 2028 年夏季开始出货。 日本经济产业省已为该项目提供最高 5000 亿日元补贴支持，以
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Svmuu讯 美光于周六在日本广岛县东广岛市正式为其工厂扩建项目破土动工。该项目总投资约 1.5 万亿日元（约 93 亿美元），用于生产面向 AI 时代的先进存储芯片。 据介绍，新产线将重点生产高带宽内存（HBM）等关键芯片，这类产品是支撑 Nvidia 等 AI 处理器性能的核心组件。预计相关芯片最早将于 2028 年夏季开始出货。 日本经济产业省已为该项目提供最高 5000 亿日元补贴支持，以
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