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高帶寬內存
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Yahoo財經分析：英偉達2670億美元採購承諾暗示美光股價或在2029年前見頂
英偉達在最新財報中披露，截至2029財年（2030年1月結束），其已承諾在內存及其他供應上支出2670億美元。分析指出，英偉達在2029財年之後未列出有意義的採購協議，這可能暗示高帶寬內存（HBM）市場在2029年後需求將放緩，從而影響美光等內存供應商的股價。分析師預測，除非英偉達提前增加2030財年及以後的承諾，美光股價可能在2028年12月至2029年1月之間見頂。英偉達的採購承諾並非全部轉化
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分析師：英偉達下調部分芯片性能評級或將推動高帶寬內存需求增長，惠及美光
分析師：英偉達下調部分芯片性能評級或將推動高帶寬內存需求增長，惠及美光
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英偉達與SK海力士簽署“史上最大規模內存協議”，用於人工智能基礎設施建設
英偉達（Nvidia）與SK海力士（SK Hynix）簽署了被稱為“史上最大規模內存合作協議”的協議，旨在加強人工智能基礎設施建設。根據協議，SK海力士的子公司SK電訊將在韓國建設一座採用英偉達Vera Rubin平台的2吉瓦人工智能雲數據中心。 此外，SK海力士將向英偉達供應高帶寬內存（HBM），雙方還將合作共同開發未來的人工智能內存技術。有分析指出，這一合作關係有望在未來幾年內顯著提振兩家公司
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瑞銀：預計2026年高帶寬內存需求將同比增長90%，2027年將再增長77%
Svmuu訊 瑞銀表示，隨着人工智能（AI）需求持續增長以及長期供應協議（LTA）談判仍在進行，存儲芯片市場週期正在“進一步趨強”，結構性供應不足的局面至少會持續到 2028 年中期。 瑞銀預計，2026 年全年存儲芯片行業總收入將達到 9920 億美元。到 2027 年，這一數字預計將幾乎翻一番，達到 1.76 萬億美元。推動這一增長的主要動力是高帶寬內存（HBM），這是一種專用於人工智能加速器
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美光日本啓動超90億美元芯片項目擴建，押注AI高帶寬內存需求
Svmuu訊 美光於週六在日本廣島縣東廣島市正式為其工廠擴建項目破土動工。該項目總投資約 1.5 萬億日元（約 93 億美元），用於生產面向 AI 時代的先進存儲芯片。 據介紹，新產線將重點生產高帶寬內存（HBM）等關鍵芯片，這類產品是支撐 Nvidia 等 AI 處理器性能的核心組件。預計相關芯片最早將於 2028 年夏季開始出貨。 日本經濟產業省已為該項目提供最高 5000 億日元補貼支持，以
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英偉達在最新財報中披露，截至2029財年（2030年1月結束），其已承諾在內存及其他供應上支出2670億美元。分析指出，英偉達在2029財年之後未列出有意義的採購協議，這可能暗示高帶寬內存（HBM）市場在2029年後需求將放緩，從而影響美光等內存供應商的股價。分析師預測，除非英偉達提前增加2030財年及以後的承諾，美光股價可能在2028年12月至2029年1月之間見頂。英偉達的採購承諾並非全部轉化
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