Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，韓媒報道稱中國 CXMT 目前正在合肥測試一條鍵合 DRAM 試產線，目標是在不使用 EUV 光刻的情況下實現高性能 DRAM。鍵合 DRAM 是一種將存儲單元陣列與外圍電路分別在不同晶圓上製造、隨後進行鍵合的技術。該方法可僅使用多重圖形化的深紫外 DUV 光刻生產超高密度 DRAM，並不需要 EUV 設備。
Samsung Electronics 正在“B1b”項目下開發自有鍵合 DRAM，SK hynix 也在推進類似技術。韓媒警告稱，有評估認為 CXMT 目前可能在該技術本身及開發速度方面領先韓國競爭對手。