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長鑫存儲二季度利潤率超越SK海力士和美光，預示存儲行業格局轉變

中國芯片製造商長鑫存儲技術有限公司（CXMT）在第二季度利用商品級DRAM供應緊張的機遇，實現了利潤率領先。其主要產品包括DDR5內存，該產品價格在近幾個月大幅上漲，對長期由韓國、美國和日本供應商主導的存儲行業構成了挑戰。

2026/09/10 13:10 #長鑫存儲 #美光 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏觀
美光(Micron)第二季度DRAM市場份額升至23.3%，僅落後SK海力士1.6個百分點

市場研究機構TrendForce報告顯示，2026年第二季度全球DRAM收入環比增長約60%，其中美光(Micron)DRAM收入環比增長約66%至360億美元，市場份額達到23.3%。這使得美光僅落後SK海力士(SK Hynix)的24.9%市場份額1.6個百分點，有望很快超越其成為第二大DRAM供應商。三星電子(Samsung Electronics)以39.4%的市場份額位居第一。

2026/09/10 11:05 #美光 #三星電子 #SK海力士 #DRAM #宏觀 #美股
海力士CEO稱其“美國製造”HBM產品將從韓國開始生產DRAM晶圓

海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基儀式上表示，公司在印第安納州投資超40億美元建設的HBM生產基地將成為首批“美國製造”HBM產品的門户。然而，這些產品的DRAM晶圓仍將在韓國工廠生產，隨後運往美國印第安納州西拉斐特進行堆疊、封裝和測試。該工廠預計將於2026年下半年開始大規模生產，這是海力士在美國的首個HBM生產基地。

2026/09/03 01:29 #海力士 #HBM #股票 #DRAM #美股
海力士與英偉達等客户簽訂7500億美元長期內存供應合同，管理層預計DRAM供應至少2030年才能趕上需求

雅虎財經分析指出，當前DRAM超級週期與AI建設直接相關，高帶寬內存（HBM）需求持續激增，但產能擴張受限，導致整體DRAM市場供不應求。海力士管理層預計，DRAM供應至少要到2030年才能趕上需求。該公司近期已與客户簽訂了價值7500億美元的長期內存芯片供應合同，其中5000億美元來自英偉達，雙方還將合作開發下一代內存。同時，美光也與16家客户簽訂了至2030年的不可取消長期合同，約佔其收入的4

2026/09/02 12:33 #海力士 #股票 #DRAM #NVIDIA #AI #美股
戴爾Q2營收同比大增58%至470億美元，AI服務器積壓訂單達950億美元，大幅上調全年指引，COO稱“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM！”

戴爾公佈截至7月31日的2027財年第二季度業績，營收470億美元，同比增長58%，超出市場預期；非GAAP每股收益7.04美元，同比增長203%。公司將全年營收指引上調250億美元至1920億美元中值，同比增幅約70%。截至二季度末，戴爾AI服務器積壓訂單已達950億美元。副董事長兼首席運營官Jeff Clarke在電話會上強調，當前供應鏈的主要限制因素是DRAM，其次是NAND。

2026/09/01 22:00 #戴爾 #AI服務器 #NAND #DRAM #宏觀 #美股
高盛預計中國半導體資本支出到2030年將達820億美元，長鑫存儲（CXMT）有望在2028年滿足中國50%的DRAM需求

高盛在一份報告中表示，隨着AI需求推動對先進芯片、存儲器和製造能力的投資，預計中國半導體自給自足的努力將加速。高盛預測，到2030年，中國的半導體資本支出將達到820億美元，比此前預期增長79%。報告還預計，到2035年，中國7納米及以下芯片的供應缺口將從2025年的92%縮小到34%。在存儲器方面，預計長鑫存儲（CXMT）到2028年將滿足中國50%的DRAM需求，這得益於產能擴張和良率提升。報

2026/08/27 07:23 #長鑫存儲 #DRAM #高盛 #半導體 #宏觀 #A股
雅虎財經的分析顯示，有三隻科技類ETF——包括自4月上市以來漲幅已超過100%的Roundhill內存ETF（DRAM）——今年表現可能優於標普500指數。

該分析重點介紹了Roundhill內存ETF（DRAM），該基金主要投資於三星、美光和SK海力士等內存芯片製造商。此外，iShares半導體ETF（SOXX）——過去五年年化回報率達29.6%——以及投資範圍更為廣泛的先鋒信息技術指數基金（VGT）——過去十年年化回報率為24.3%——也被視為具有潛在超額收益能力的標的。

2026/08/25 08:35 #VGT #SOXX #標普500指數 #DRAM #宏觀 #美股
分析認為，英偉達（Nvidia）財報發佈後，美光科技（Micron Technology）股價有望飆升

分析指出，美光科技作為英偉達高帶寬內存（HBM）的關鍵供應商之一，其股價表現與英偉達的業績緊密相關。市場普遍預計英偉達第二季度營收將達921億美元，同比增長97%。若英偉達業績強勁，將進一步驗證AI基礎設施超級週期，並推高HBM及DRAM的合約價格，從而利好美光科技的營收增長和利潤擴張。美光科技的HBM和DRAM產量已售罄，新產能正在上線，其股價在近期盤整後，有望在英偉達財報公佈後迎來上漲。

2026/08/24 13:10 #HBM #NVIDIA #美光科技 #DRAM #宏觀 #美股
SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產

SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投

2026/08/15 14:16 #NAND閃存 #HBM #SK海力士 #股票 #DRAM #大宗商品
高盛專家：HBM和DRAM訂單已售罄至2027年，但價格環比漲幅預計在2027年Q2-Q3見頂並温和回落

高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM訂單已售罄至2027年，長期協議設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。然而，他同時表示，存儲芯片價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後可能出現温和小幅回落。英偉達下一代“Vera Rubin”超級芯片中存儲成本已佔整體物料清單約6

2026/08/10 20:20 #HBM #DRAM #高盛 #AI #宏觀 #美股
分析指出海力士和三星近期財報顯示內存芯片定價不及預期，或預示美光未來業績承壓

分析指出，海力士和三星近期公佈的財報顯示，其內存芯片（DRAM和NAND）定價漲幅低於分析師預期，這可能對美光科技未來的業績構成壓力。海力士DRAM定價環比上漲約30%，低於高盛分析師預期的39%；三星DRAM定價上漲逾40%，也未達到Morningstar分析師預期的48%。分析認為，定價不及預期可能表明人工智能（AI）需求增長正在放緩，且海力士報告稱HBM4芯片出貨量低於預期。此外，芯片製造

2026/08/09 20:13 #海力士 #三星 #股票 #美光科技 #DRAM #美股
SK海力士董事會批准投資約382.82億美元（54.3萬億韓元），在韓國新建兩座晶圓廠

此舉旨在擴大DRAM和NAND生產基地，以滿足人工智能帶動的HBM及先進存儲需求增長。其中，龍仁Y2工廠將聚焦HBM與下一代DRAM，清州M17工廠將完善NAND產能。兩座工廠預計最早於2028年底至2029年陸續投產，並將在2031年前完成投資，產能將根據客户需求逐步擴大。

2026/08/07 04:00 #HBM #NAND #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
Counterpoint：三星電子在2026年第二季度以39%的市場份額重奪全球DRAM市場第一，SK海力士和美光緊隨其後

據市場研究機構Counterpoint Research最新報告，三星電子在2026年第二季度重新奪回DRAM市場第一的位置，結束了此前被SK海力士超越的局面。同期，SK海力士市場份額為26%，美光科技以25%的市場份額緊隨其後。三星此次反超主要得益於通用DRAM價格上漲以及HBM（高帶寬內存）業務擴張，而SK海力士的市場份額下降則反映出HBM均價下滑以及早期長期供貨協議（LTA）鎖價帶來的階段性

2026/08/04 06:34 #三星電子 #SK海力士 #股票 #美光科技 #DRAM #宏觀
中國DRAM製造商CXMT上市首日股價飆升466%，募資86億美元，分析稱此舉增強了蘋果的供應鏈靈活性，但對美光構成長期定價威脅

CXMT於7月27日上市首日收盤價為49元，較8.66元的發行價上漲466%，此次IPO募資約86億美元，成為今年亞洲最大規模的IPO。分析認為，CXMT的崛起為蘋果公司增加了潛在的供應商選擇，有助於提升供應鏈靈活性，儘管其對定價的影響尚不明確。對於美光而言，CXMT的擴張可能對其消費級和服務器DRAM定價構成長期壓力，但由於CXMT在高帶寬內存（HBM）技術上仍落後兩代，短期內對美光AI內存業務

2026/08/03 13:00 #CXMT #美光 #蘋果 #股票 #DRAM #美股
分析師：中國DRAM廠商或於2027年進一步推進3D DRAM研發

Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Goldman Sachs 與一位中國 DRAM 行業專家通話中，該專家認為，儘管良率可能更低，中國供應商的 DRAM 價格可與全球龍頭相當；中國 DRAM 廠商可能於 2027 年在 3D DRAM 產品開發上取得進一步進展；合肥、上海和北京正在推進的產能擴張預計將於 2028 年全面投產；一些晶圓廠據稱主要使用國產中國設備

2026/07/25 19:49 #中國DRAM #Goldman Sachs #DRAM
Tom Lee：AI下游資產表現持續增強，以太坊近一個月跑贏DRAM 72個百分點

Svmuu訊 Bitmine 董事長、Fundstrat 聯合創始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相關資產的相對錶現正在持續增強，其中以太坊（ETH）相較於 DRAM（動態隨機存取存儲器）板塊近期展現出明顯超額收益。 Tom Lee 披露數據顯示，過去一個月內，ETH 相對 DRAM 的表現優勢擴大至 7200 個基點（72 個百分點）。同期，ETH 價格上漲

2026/07/21 09:35 #DRAM #AI #以太坊
摩根士丹利：美國內存股拋售為一次“健康重置” 並不是週期拐點

Svmuu訊據市場消息：摩根士丹利分析師將近期美國內存股拋售稱為一次“健康重置”，並認為這不是內存週期的拐點。摩根士丹利預計 2026 年三季度 DRAM 價格仍可能環比上漲 20%-30%以上。這個判斷指向的是部分渠道和品類口徑，不能簡單等同於全行業服務器 DRAM 官方合約價。

2026/07/20 08:47 #美國內存股 #DRAM #摩根士丹利
DRAM價格預期上調：三季度均價或環比上漲21%，高於TrendForce預測

Svmuu訊根據最新行業調研，全球 DRAM 市場第三季度平均售價（ASP）預計將環比上漲 21%，這一預期高於 TrendForce 此前對傳統 DRAM 價格上漲 13%至 18%、以及包含 HBM 在內整體上漲 8%至 13%的預測。分析認為，第三季度 DRAM 價格上漲主要受到多項因素推動，包括服務器 DRAM 價格環比上漲 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求強勁；DDR5 及

2026/07/19 04:18 #台積電 #存儲芯片 #DRAM #半導體
摩根士丹利：DRAM合約價增速或在Q4見頂，存儲企業估值待重估

Svmuu訊摩根士丹利發佈最新存儲行業觀點，預判 DRAM 合約價同比增速將在 2026 年第四季度見頂。報告指出，四季度後 DRAM 價格同比漲幅或將大幅回落，此前一年價格暴漲四倍的行情難以復刻。機構同時提及，當前存儲芯片企業對應未來 12 個月預期市淨率存在重估空間，板塊估值邏輯或將迎來調整。

2026/07/16 08:44 #估值 #存儲芯片 #DRAM #摩根士丹利
長鑫科技：2023年至2025年主要DRAM產品銷量的年均複合增長率高達83.98%

Svmuu訊 7 月 15 日，長鑫科技科創板上市網上投資者交流會舉行。對於公司 2023 年至 2025 年收入實現快速增長的驅動因素，長鑫科技董事長朱一明表示，為實現產能及市場份額的快速提升，公司始終處於產能擴建及釋放階段，產能的迅速爬坡帶來產出及銷量的增長是公司 2023-2025 收入提升的最主要因素。同時，公司通過長期的技術投入和自主創新，陸續搭建了第一代、第三代、第四代並持續迭代的工

2026/07/15 06:25 #長鑫科技 #DRAM #半導體
長鑫科技稱AI發展對DRAM市場需求存在不確定性

Svmuu訊長鑫科技副總裁、董事會秘書袁園表示，2025 年下半年以來的業績增長受益於 AI 驅動的 DRAM 需求增長及行業供需緊張，但 DRAM 行業具有強週期性，價格波動較大，且 AI 發展對 DRAM 市場需求存在不確定性。公司將持續通過技術迭代、產能優化和成本管控提升抗週期能力，並提醒投資者關注行業波動風險。

2026/07/15 04:26 #長鑫科技 #DRAM #AI
三星電子計劃在器興建設新DRAM工廠，月產能預計達10萬片晶圓

Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Samsung Electronics 計劃在其器興園區建設一座新的 DRAM 晶圓廠，將原定用於研發中心的場地改造為內存生產設施。該設施月產能預計約 10 萬片晶圓，總投資預計達數十萬億韓元。Samsung Electronics 已組建內部團隊推進新晶圓廠建設，最早可能於第三季度啓動初期施工。Counterpoint Re

2026/07/14 19:55 #三星電子 #DRAM #半導體
某地址虧損3603萬美元后再次被清算，過去一週清算損失84.17萬美元

Svmuu訊據 Onchain Lens 監測，某地址在 Hyperliquid 上再次被清算，其 274 萬美元 DRAM 多單被清算，損失約 33.65 萬美元；該錢包 6 天前還因 MRVL 清算損失約 50.52 萬美元，過去一週清算損失約 84.17 萬美元，目前虧損 3603 萬美元。

2026/07/14 18:50 #MRVL #清算 #DRAM #hyperliquid
SK海力士啓動龍仁Y1晶圓廠設備採購，計劃明年2月建設試產線

Svmuu訊 SK 海力士已開始為位於韓國龍仁的 Y1 晶圓廠採購先進 DRAM 製造設備，初步規劃產能約為每月 2 萬片晶圓。SK 海力士計劃將 Y1 Ph1 啓用時間從原定明年 5 月提前至明年 2 月，並於明年 2 月啓動試生產線建設，隨後在 3 至 4 月推進大規模設備安裝。該晶圓廠目標生產第六代 10 納米級 1c DRAM，該產品將用於 AI 服務器相關 DDR、LPDDR 產品，並

2026/07/14 01:09 #HBM4E #AI服務器 #SK海力士 #DRAM
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長鑫存儲二季度利潤率超越SK海力士和美光，預示存儲行業格局轉變

中國芯片製造商長鑫存儲技術有限公司（CXMT）在第二季度利用商品級DRAM供應緊張的機遇，實現了利潤率領先。其主要產品包括DDR5內存，該產品價格在近幾個月大幅上漲，對長期由韓國、美國和日本供應商主導的存儲行業構成了挑戰。

2026/09/10 13:10 #長鑫存儲 #美光 #SK海力士 #股票 #DRAM #宏觀
美光(Micron)第二季度DRAM市場份額升至23.3%，僅落後SK海力士1.6個百分點

市場研究機構TrendForce報告顯示，2026年第二季度全球DRAM收入環比增長約60%，其中美光(Micron)DRAM收入環比增長約66%至360億美元，市場份額達到23.3%。這使得美光僅落後SK海力士(SK Hynix)的24.9%市場份額1.6個百分點，有望很快超越其成為第二大DRAM供應商。三星電子(Samsung Electronics)以39.4%的市場份額位居第一。

2026/09/10 11:05 #美光 #三星電子 #SK海力士 #DRAM #宏觀 #美股
海力士CEO稱其“美國製造”HBM產品將從韓國開始生產DRAM晶圓

海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基儀式上表示，公司在印第安納州投資超40億美元建設的HBM生產基地將成為首批“美國製造”HBM產品的門户。然而，這些產品的DRAM晶圓仍將在韓國工廠生產，隨後運往美國印第安納州西拉斐特進行堆疊、封裝和測試。該工廠預計將於2026年下半年開始大規模生產，這是海力士在美國的首個HBM生產基地。

2026/09/03 01:29 #海力士 #HBM #股票 #DRAM #美股
海力士與英偉達等客户簽訂7500億美元長期內存供應合同，管理層預計DRAM供應至少2030年才能趕上需求

雅虎財經分析指出，當前DRAM超級週期與AI建設直接相關，高帶寬內存（HBM）需求持續激增，但產能擴張受限，導致整體DRAM市場供不應求。海力士管理層預計，DRAM供應至少要到2030年才能趕上需求。該公司近期已與客户簽訂了價值7500億美元的長期內存芯片供應合同，其中5000億美元來自英偉達，雙方還將合作開發下一代內存。同時，美光也與16家客户簽訂了至2030年的不可取消長期合同，約佔其收入的4

2026/09/02 12:33 #海力士 #股票 #DRAM #NVIDIA #AI #美股
戴爾Q2營收同比大增58%至470億美元，AI服務器積壓訂單達950億美元，大幅上調全年指引，COO稱“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM！”

戴爾公佈截至7月31日的2027財年第二季度業績，營收470億美元，同比增長58%，超出市場預期；非GAAP每股收益7.04美元，同比增長203%。公司將全年營收指引上調250億美元至1920億美元中值，同比增幅約70%。截至二季度末，戴爾AI服務器積壓訂單已達950億美元。副董事長兼首席運營官Jeff Clarke在電話會上強調，當前供應鏈的主要限制因素是DRAM，其次是NAND。

2026/09/01 22:00 #戴爾 #AI服務器 #NAND #DRAM #宏觀 #美股
高盛預計中國半導體資本支出到2030年將達820億美元，長鑫存儲（CXMT）有望在2028年滿足中國50%的DRAM需求

高盛在一份報告中表示，隨着AI需求推動對先進芯片、存儲器和製造能力的投資，預計中國半導體自給自足的努力將加速。高盛預測，到2030年，中國的半導體資本支出將達到820億美元，比此前預期增長79%。報告還預計，到2035年，中國7納米及以下芯片的供應缺口將從2025年的92%縮小到34%。在存儲器方面，預計長鑫存儲（CXMT）到2028年將滿足中國50%的DRAM需求，這得益於產能擴張和良率提升。報

2026/08/27 07:23 #長鑫存儲 #DRAM #高盛 #半導體 #宏觀 #A股
雅虎財經的分析顯示，有三隻科技類ETF——包括自4月上市以來漲幅已超過100%的Roundhill內存ETF（DRAM）——今年表現可能優於標普500指數。

該分析重點介紹了Roundhill內存ETF（DRAM），該基金主要投資於三星、美光和SK海力士等內存芯片製造商。此外，iShares半導體ETF（SOXX）——過去五年年化回報率達29.6%——以及投資範圍更為廣泛的先鋒信息技術指數基金（VGT）——過去十年年化回報率為24.3%——也被視為具有潛在超額收益能力的標的。

2026/08/25 08:35 #VGT #SOXX #標普500指數 #DRAM #宏觀 #美股
分析認為，英偉達（Nvidia）財報發佈後，美光科技（Micron Technology）股價有望飆升

分析指出，美光科技作為英偉達高帶寬內存（HBM）的關鍵供應商之一，其股價表現與英偉達的業績緊密相關。市場普遍預計英偉達第二季度營收將達921億美元，同比增長97%。若英偉達業績強勁，將進一步驗證AI基礎設施超級週期，並推高HBM及DRAM的合約價格，從而利好美光科技的營收增長和利潤擴張。美光科技的HBM和DRAM產量已售罄，新產能正在上線，其股價在近期盤整後，有望在英偉達財報公佈後迎來上漲。

2026/08/24 13:10 #HBM #NVIDIA #美光科技 #DRAM #宏觀 #美股
SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產

SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投

2026/08/15 14:16 #NAND閃存 #HBM #SK海力士 #股票 #DRAM #大宗商品
高盛專家：HBM和DRAM訂單已售罄至2027年，但價格環比漲幅預計在2027年Q2-Q3見頂並温和回落

高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM訂單已售罄至2027年，長期協議設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。然而，他同時表示，存儲芯片價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後可能出現温和小幅回落。英偉達下一代“Vera Rubin”超級芯片中存儲成本已佔整體物料清單約6

2026/08/10 20:20 #HBM #DRAM #高盛 #AI #宏觀 #美股
分析指出海力士和三星近期財報顯示內存芯片定價不及預期，或預示美光未來業績承壓

分析指出，海力士和三星近期公佈的財報顯示，其內存芯片（DRAM和NAND）定價漲幅低於分析師預期，這可能對美光科技未來的業績構成壓力。海力士DRAM定價環比上漲約30%，低於高盛分析師預期的39%；三星DRAM定價上漲逾40%，也未達到Morningstar分析師預期的48%。分析認為，定價不及預期可能表明人工智能（AI）需求增長正在放緩，且海力士報告稱HBM4芯片出貨量低於預期。此外，芯片製造

2026/08/09 20:13 #海力士 #三星 #股票 #美光科技 #DRAM #美股
SK海力士董事會批准投資約382.82億美元（54.3萬億韓元），在韓國新建兩座晶圓廠

此舉旨在擴大DRAM和NAND生產基地，以滿足人工智能帶動的HBM及先進存儲需求增長。其中，龍仁Y2工廠將聚焦HBM與下一代DRAM，清州M17工廠將完善NAND產能。兩座工廠預計最早於2028年底至2029年陸續投產，並將在2031年前完成投資，產能將根據客户需求逐步擴大。

2026/08/07 04:00 #HBM #NAND #SK海力士 #股票 #DRAM #美股
Counterpoint：三星電子在2026年第二季度以39%的市場份額重奪全球DRAM市場第一，SK海力士和美光緊隨其後

據市場研究機構Counterpoint Research最新報告，三星電子在2026年第二季度重新奪回DRAM市場第一的位置，結束了此前被SK海力士超越的局面。同期，SK海力士市場份額為26%，美光科技以25%的市場份額緊隨其後。三星此次反超主要得益於通用DRAM價格上漲以及HBM（高帶寬內存）業務擴張，而SK海力士的市場份額下降則反映出HBM均價下滑以及早期長期供貨協議（LTA）鎖價帶來的階段性

2026/08/04 06:34 #三星電子 #SK海力士 #股票 #美光科技 #DRAM #宏觀
中國DRAM製造商CXMT上市首日股價飆升466%，募資86億美元，分析稱此舉增強了蘋果的供應鏈靈活性，但對美光構成長期定價威脅

CXMT於7月27日上市首日收盤價為49元，較8.66元的發行價上漲466%，此次IPO募資約86億美元，成為今年亞洲最大規模的IPO。分析認為，CXMT的崛起為蘋果公司增加了潛在的供應商選擇，有助於提升供應鏈靈活性，儘管其對定價的影響尚不明確。對於美光而言，CXMT的擴張可能對其消費級和服務器DRAM定價構成長期壓力，但由於CXMT在高帶寬內存（HBM）技術上仍落後兩代，短期內對美光AI內存業務

2026/08/03 13:00 #CXMT #美光 #蘋果 #股票 #DRAM #美股
分析師：中國DRAM廠商或於2027年進一步推進3D DRAM研發

Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Goldman Sachs 與一位中國 DRAM 行業專家通話中，該專家認為，儘管良率可能更低，中國供應商的 DRAM 價格可與全球龍頭相當；中國 DRAM 廠商可能於 2027 年在 3D DRAM 產品開發上取得進一步進展；合肥、上海和北京正在推進的產能擴張預計將於 2028 年全面投產；一些晶圓廠據稱主要使用國產中國設備

2026/07/25 19:49 #中國DRAM #Goldman Sachs #DRAM
Tom Lee：AI下游資產表現持續增強，以太坊近一個月跑贏DRAM 72個百分點

Svmuu訊 Bitmine 董事長、Fundstrat 聯合創始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相關資產的相對錶現正在持續增強，其中以太坊（ETH）相較於 DRAM（動態隨機存取存儲器）板塊近期展現出明顯超額收益。 Tom Lee 披露數據顯示，過去一個月內，ETH 相對 DRAM 的表現優勢擴大至 7200 個基點（72 個百分點）。同期，ETH 價格上漲

2026/07/21 09:35 #DRAM #AI #以太坊
摩根士丹利：美國內存股拋售為一次“健康重置” 並不是週期拐點

Svmuu訊據市場消息：摩根士丹利分析師將近期美國內存股拋售稱為一次“健康重置”，並認為這不是內存週期的拐點。摩根士丹利預計 2026 年三季度 DRAM 價格仍可能環比上漲 20%-30%以上。這個判斷指向的是部分渠道和品類口徑，不能簡單等同於全行業服務器 DRAM 官方合約價。

2026/07/20 08:47 #美國內存股 #DRAM #摩根士丹利
DRAM價格預期上調：三季度均價或環比上漲21%，高於TrendForce預測

Svmuu訊根據最新行業調研，全球 DRAM 市場第三季度平均售價（ASP）預計將環比上漲 21%，這一預期高於 TrendForce 此前對傳統 DRAM 價格上漲 13%至 18%、以及包含 HBM 在內整體上漲 8%至 13%的預測。分析認為，第三季度 DRAM 價格上漲主要受到多項因素推動，包括服務器 DRAM 價格環比上漲 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求強勁；DDR5 及

2026/07/19 04:18 #台積電 #存儲芯片 #DRAM #半導體
摩根士丹利：DRAM合約價增速或在Q4見頂，存儲企業估值待重估

Svmuu訊摩根士丹利發佈最新存儲行業觀點，預判 DRAM 合約價同比增速將在 2026 年第四季度見頂。報告指出，四季度後 DRAM 價格同比漲幅或將大幅回落，此前一年價格暴漲四倍的行情難以復刻。機構同時提及，當前存儲芯片企業對應未來 12 個月預期市淨率存在重估空間，板塊估值邏輯或將迎來調整。

2026/07/16 08:44 #估值 #存儲芯片 #DRAM #摩根士丹利
長鑫科技：2023年至2025年主要DRAM產品銷量的年均複合增長率高達83.98%

Svmuu訊 7 月 15 日，長鑫科技科創板上市網上投資者交流會舉行。對於公司 2023 年至 2025 年收入實現快速增長的驅動因素，長鑫科技董事長朱一明表示，為實現產能及市場份額的快速提升，公司始終處於產能擴建及釋放階段，產能的迅速爬坡帶來產出及銷量的增長是公司 2023-2025 收入提升的最主要因素。同時，公司通過長期的技術投入和自主創新，陸續搭建了第一代、第三代、第四代並持續迭代的工

2026/07/15 06:25 #長鑫科技 #DRAM #半導體
長鑫科技稱AI發展對DRAM市場需求存在不確定性

Svmuu訊長鑫科技副總裁、董事會秘書袁園表示，2025 年下半年以來的業績增長受益於 AI 驅動的 DRAM 需求增長及行業供需緊張，但 DRAM 行業具有強週期性，價格波動較大，且 AI 發展對 DRAM 市場需求存在不確定性。公司將持續通過技術迭代、產能優化和成本管控提升抗週期能力，並提醒投資者關注行業波動風險。

2026/07/15 04:26 #長鑫科技 #DRAM #AI
三星電子計劃在器興建設新DRAM工廠，月產能預計達10萬片晶圓

Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，Samsung Electronics 計劃在其器興園區建設一座新的 DRAM 晶圓廠，將原定用於研發中心的場地改造為內存生產設施。該設施月產能預計約 10 萬片晶圓，總投資預計達數十萬億韓元。Samsung Electronics 已組建內部團隊推進新晶圓廠建設，最早可能於第三季度啓動初期施工。Counterpoint Re

2026/07/14 19:55 #三星電子 #DRAM #半導體
某地址虧損3603萬美元后再次被清算，過去一週清算損失84.17萬美元

Svmuu訊據 Onchain Lens 監測，某地址在 Hyperliquid 上再次被清算，其 274 萬美元 DRAM 多單被清算，損失約 33.65 萬美元；該錢包 6 天前還因 MRVL 清算損失約 50.52 萬美元，過去一週清算損失約 84.17 萬美元，目前虧損 3603 萬美元。

2026/07/14 18:50 #MRVL #清算 #DRAM #hyperliquid
SK海力士啓動龍仁Y1晶圓廠設備採購，計劃明年2月建設試產線

Svmuu訊 SK 海力士已開始為位於韓國龍仁的 Y1 晶圓廠採購先進 DRAM 製造設備，初步規劃產能約為每月 2 萬片晶圓。SK 海力士計劃將 Y1 Ph1 啓用時間從原定明年 5 月提前至明年 2 月，並於明年 2 月啓動試生產線建設，隨後在 3 至 4 月推進大規模設備安裝。該晶圓廠目標生產第六代 10 納米級 1c DRAM，該產品將用於 AI 服務器相關 DDR、LPDDR 產品，並

2026/07/14 01:09 #HBM4E #AI服務器 #SK海力士 #DRAM
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