Svmuu訊 韓國半導體企業三星電子正細化韓國大規模半導體生產基地投資計劃，擬到 2030 年新建 4 座晶圓廠，並已向主要合作伙伴共享相關方案。
三星電子計劃建設平澤 P5、P6，以及龍仁市南寺邑半導體集羣 1 座晶圓廠、光州 1 座新晶圓廠。SK 海力士預計將在龍仁市遠三面半導體集羣建設 Y1、Y2，並在光州新建 1 座晶圓廠，兩家公司今年至 2030 年新建晶圓廠總數將達 7 座。
三星電子和 SK 海力士上月 29 日公佈總額 3200 萬億韓元的半導體設備投資路線圖，不含 AI 數據中心投資費用。三星電子將龍仁晶圓廠完成目標由 2047 年提前至 2040 年，SK 海力士由 2045 年提前至 2033 年。
半導體設備行業人士表示，三星電子近期以 2030 年前在光州建設晶圓廠為前提，詢問合作伙伴是否有意在當地追加投資；但考慮當前產能和光州基礎設施，尚難確認可行性。