広州:シリコンカーバイド、酸化亜鉛、酸化ガリウムなどの第3世代半導体材料の製造を強力に推進
広州市は『広州市先進製造業強市建設加速化計画(2024—2035年)』を公布した。同計画では、シリコンカーバイド、酸化亜鉛、酸化ガリウムなどの第3世代半導体材料の製造を強力に推進し、ガリウムナイトライド、シリコンカーバイドなどの化合物半導体デバイスおよびモジュールの研究開発・製造を支援するとともに、フォトレジスト、高純度化学試薬、エレクトロニクスガス、カーボン系材料、高密度実装基板などの材料の研究開発・生産を加速させ、化合物半導体IDM(集積デバイス製造)、ワイドバンドギャップ半導体材料、電子級多結晶シリコンおよびシリコンウェハー企業の育成・拡大を図る。また、高周波、センサー、ナノ級セラミック粉末、パワーエレクトロニクスなどのデバイスの研究開発と実用化を支援し、化合物半導体製品の普及と応用を推進する。
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出典:富途快讯 · 原文リンク
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