廣州:大力發展碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導體材料製造
廣州印發《廣州市加快建設先進製造業強市規劃(2024—2035年)》。其中提到,大力發展碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導體材料製造,支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導體器件和模塊的研發製造,加快光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發生產,培育壯大化合物半導體IDM(集成器件製造)、寬禁帶半導體材料、電子級多晶硅及硅片企業。支持開展射頻、傳感器、納米級陶瓷粉體、電力電子等器件研發轉化,推動化合物半導體產品的推廣應用。
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來源:富途快讯 · 原文連結
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