ASML과 TSMC는 기존 6인치 마스크를 대체할 더 큰 크기의 12인치 극자외선(EUV) 포토마스크를 공동 개발한다고 발표했습니다. 이는 팹 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 절감하며 스티칭 제약을 없애기 위한 것입니다. ASML의 최고기술책임자(CTO) 마르코 피터스(Marco Pieters)는 이 기술의 성공적인 구현이 High-NA EUV 시스템의 생산성을 40% 향상시킬 수 있다고 밝혔습니다. TSMC는 2030년부터 첨단 노드에 High-NA EUV 기술을 도입할 계획이며, 12인치 마스크의 파일럿 생산 라인은 2031년에 구축되어 2033년까지 양산 준비를 목표로 하고 있습니다.