ASML與台積電宣佈將合作開發更大尺寸的12英寸極紫外(EUV)光掩模, 以取代現有6英寸掩模。此舉旨在提高晶圓廠生產力、降低芯片製造成本並消除拼接限制。ASML首席技術官Marco Pieters表示, 成功實施該技術可將High-NA EUV系統的生產力提高40%。台積電計劃從2030年開始在其先進節點採用High-NA EUV技術, 而12英寸掩模的試點生產線預計在2031年建成, 目標到2033年實現量產準備。