ASML与台积电宣布将合作开发更大尺寸的12英寸极紫外(EUV)光掩模, 以取代现有6英寸掩模。此举旨在提高晶圆厂生产力、降低芯片制造成本并消除拼接限制。ASML首席技术官Marco Pieters表示, 成功实施该技术可将High-NA EUV系统的生产力提高40%。台积电计划从2030年开始在其先进节点采用High-NA EUV技术, 而12英寸掩模的试点生产线预计在2031年建成, 目标到2033年实现量产准备。