韩国KB证券9月7日发布研报称，受AI基础设施投资浪潮推动，三星电子与SK海力士当前存储芯片库存已降至不足10天，明年DRAM与NAND的比特需求预计将超出供应10个百分点以上，届时可供实际销售的存储芯片物量存在耗尽的可能性，形成“历史性短缺”。该机构研究本部长Kim Dong-won指出，HBM4产能扩张将结构性挤压通用DRAM供应，加剧短缺局面。