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存储芯片
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DeepSeek最新AI模型引发存储芯片需求疑虑，韩国股市投资者趋于谨慎
DeepSeek最新人工智能模型对存储芯片需求的强度带来不确定性，这给重新进入韩国存储芯片制造商股票的基金经理们敲响了警钟。
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A股三大股指低开高走，创业板翻红，存储芯片板块拉升
9月10日，A股早盘集体低开后低开高走，创业板指拉升翻红，沪指、深成指跌幅收窄。存储芯片概念股表现活跃，太极实业涨停，受隔夜美股SK海力士涨超7%、美光科技涨超2%等消息提振。
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高盛转为看多存储芯片板块，SK海力士美股周三大涨7%至193.53美元创历史新高，美光、闪迪等全线走强
高盛在最新研报中对存储芯片板块转为积极，称“最差的日子已经过去”，触发周三存储股全线上涨。SK海力士美股领涨，盘中创历史新高，收盘大涨约7%至193.53美元。美光科技收涨约2%至1027.77美元，闪迪收涨约1.51%至1764.17美元。高盛指出，美光和闪迪已突破夏季下行趋势，对冲基金持仓仍处低位，为资金入场留有空间。不过，铠侠首席执行官Hiroo Ota同日警告NAND价格已涨幅足够，过度追
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韩国KB证券：三星、SK海力士存储芯片库存不足10天，明年或现史上最严重短缺
韩国KB证券9月7日发布研报称，受AI基础设施投资浪潮推动，三星电子与SK海力士当前存储芯片库存已降至不足10天，明年DRAM与NAND的比特需求预计将超出供应10个百分点以上，届时可供实际销售的存储芯片物量存在耗尽的可能性，形成“历史性短缺”。该机构研究本部长Kim Dong-won指出，HBM4产能扩张将结构性挤压通用DRAM供应，加剧短缺局面。
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SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期
SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期。据DIGITIMES报道，这一激进采购策略旨在平抑未来晶圆涨价压力，并确保其在高带宽内存（HBM）及先进DRAM市场的产能释放。公司同时上调了1C DRAM扩产计划，并计划投资40亿美元在美国印第安纳州建设下一代HBM封装工厂，以支持HBM4生产。此外，SK海力士还默许部分核心设备供应商提价
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SK海力士正评估在日本合资建存储芯片厂，以应对AI驱动的需求增长
SK集团会长崔泰源8月31日表示，SK海力士正在全面考察日本各地，寻找电力和水资源条件良好的地区，以评估多个合作建厂地点。目前合作模式尚未确定，合资建厂、共同投资或收购日本公司均是选项。此举旨在进一步完善其全球产能网络，此前SK海力士已在韩国规划约54万亿韩元的产能投资，并于上周在美国印第安纳州为先进存储封装设施举行奠基仪式。
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美银：预计9月存储芯片现货价格将再涨10%-20%，因供给极度紧张及旺季需求
美国银行全球研究在8月27日发布的报告中指出，当前存储芯片现货市场供需失衡加剧，9月现货市场供给满足率不足50%。三星电子、SK海力士、美光等大厂优先将产能分配给大型科技客户，导致模组厂商和白牌OEM难以获得足量通用DRAM及NAND产品。尽管现货价格已使多数IT产品处于负毛利区间，但供给短缺与传统消费旺季的共振仍将推动价格进一步走高。报告还将英伟达2027财年约70%的营收增长指引视为存储行业的
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长鑫科技上半年营收1503亿元，同比增873.6%，净利776亿大幅扭亏
中国存储芯片龙头长鑫科技公布2026年上半年财报，实现营业收入1503.10亿元，较上年同期增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润达到776.05亿元，而上年同期为亏损23.32亿元，实现大幅扭亏。公司扣除非经常性损益后的净利润为787.93亿元，高于归母净利润，显示利润主要来自主营业务。截至2026年6月末，公司总资产达到4680.78亿元，较上年末增长38.98%；净资产增至1347.
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A股科创50指数盘中涨超3%，光通信、存储芯片概念股集体走强
8月27日，A股早盘震荡走高，科创50指数盘中涨超3%，深成指、创业板指均涨超1%。算力硬件、芯片半导体板块领涨，其中光通信、光模块、HBM、光电路交换机、存储芯片等概念股集体大涨。消息面上，大普微（Dapu Micro）此前于8月26日公告称，公司与客户签订了5.15亿美元的企业级PCIe SSD销售订单，并于8月24日公布2026年上半年实现净利润13.34亿元，扭亏为盈。
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美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉宣布，未来十年将投资100亿美元建设新的研发实验室，并表示人工智能已经终结了存储芯片行业的周期性波动。
美光（Micron）首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）于8月20日宣布，公司计划在未来十年内投资100亿美元建设新的美光研究实验室（美光 Research Labs），总部设在爱达荷州博伊西，并计划于2027年动工。梅赫罗特拉表示，人工智能（AI）的兴起已经改变了内存芯片买家的行为，从而永久性地结束了该行业的周期性波动。该实验室将专注于内存技术、计算架构、封装以及未来半导
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吉姆·克莱默称美光、西部数据等四只存储芯片股“不可或缺”，认为随着AI需求飙升投资者“不容错过”
这位财经评论员指出，人工智能正在推动存储芯片股飙升，并引用马斯克的观点称“内存已成为瓶颈”。克莱默认为，尽管存储芯片市场通常存在周期性繁荣与萧条，但当前数据中心建设速度空前，对内存的需求可能打破这一循环，使相关股票继续上涨。他提及英伟达等AI公司正投入数千亿美元用于基础设施建设，但同时警告市场对AI公司资本支出增长已开始警惕，且数据中心建设面临社区阻力及立法监管风险，可能导致未来芯片供应过剩。
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穆迪将韩国2026年的经济增长预期从2.5%上调至3.5%，预计由人工智能驱动的存储芯片热潮将持续至2027年年中。
穆迪将韩国2026年的经济增长预期从2.5%上调至3.5%，预计由人工智能驱动的存储芯片热潮将持续至2027年年中。
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韩国多家券商下调三星电子和SK海力士目标价，部分降幅超30%，因存储市场见顶担忧升温
韩国多家券商下调三星电子和SK海力士目标价，部分降幅超30%，因存储市场见顶担忧升温。Kiwoom证券将三星电子目标价从39万韩元下调至35万韩元，SK海力士从220万韩元降至210万韩元。未来资产证券将三星电子目标价从55万韩元下调至37万韩元，SK海力士从420万韩元下调至280万韩元，降幅均为33%。此轮调整主要源于通用存储芯片价格高位运行导致终端厂商采购趋于谨慎，以及2027年大规模扩产可
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存储芯片企业北京君正通过港交所主板上市聆讯，2026年上半年预计净利润同比增长431%至531%
北京君正集成电路股份有限公司于8月9日通过港交所主板上市聆讯。公司此次赴港上市正值业绩显著回升阶段，根据此前披露的业绩预告，预计2026年上半年实现营业总收入约39.89亿元人民币，同比增长约77%；归母净利润预计为10.79亿元至12.82亿元人民币，同比增长431.03%至531.34%。公司目前已形成“存储+计算+模拟”三条主要产品线，其中存储业务仍是主要收入来源。
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美光股价反弹，逆势抵御了内存芯片的抛售潮
美光的股价收复了盘中跌幅并实现反弹，逆势而上，而此前存储芯片板块整体遭遇抛售，导致闪迪和西部数据的股价均出现下跌。
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存储芯片公司铠侠迎来股东洗牌：SK海力士或成实际第二大股东
Svmuu讯 美国投资基金贝恩资本（Bain Capital）通过出售日本存储芯片企业铠侠（Kioxia）大部分股份，预计获得约 2.5 万亿日元（约 22 万亿韩元）的投资收益，创日本私募股权投资（PE）案例最高收益纪录之一。 随着贝恩资本退出，铠侠最大股东重新变为东芝，持股约 15%；SK 海力士通过持有的特殊目的公司（SPC）可转换债券，成为事实上的第二大股东，相关股份占比约 14%。不过，
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Morgan Stanley分析师转向看空存储，Citrini分析师称或为KOSPI回调因素之一
Svmuu讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发表示称，市场流传的一份摩根士丹利研究报告显示，分析师 Shawn Kim 已转向看空存储芯片行业。报告认为，NAND 模组厂库存已升至约 13 周，需求明显降温，预计第四季度 NAND 价格涨幅将放缓至约 5%，现货价格已连续两个月下跌；同时，长鑫存储（CXMT）正快速扩大产能，供需逐步趋于平衡。报告还指出，若 NAND 行情转弱，D
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马斯克：美光向特斯拉提供了“大量”存储芯片
Svmuu讯 特斯拉 CEO 马斯克透露，美光科技(MU.O)近期向特斯拉(TSLA.O)提供了“大量”存储芯片，满足了这家汽车制造商对这种日益紧缺物资的需求。马斯克表示，在存储芯片一货难求且价格高企的背景下，美光向特斯拉提供的这批芯片交易条款非常合理。从长远来看，马斯克正致力于自主生产半导体。这位亿万富翁启动了一项名为“Terafab”的宏大计划，旨在以前所未有的规模生产计算芯片和存储芯片。就目
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美股存储芯片概念领涨，美光科技涨6.8%
Svmuu讯 根据 MSX.COM 数据，美股存储芯片概念领涨，美光科技涨 6.8%，海力士涨 6.9%，闪迪、西部数据均涨超 8%。半导体设备、晶圆代工、光通信等走高，联电涨 5.6%，台积电涨超 4%，泛林集团涨 6%，应用材料、科磊涨超 5%。Lumentum 涨 6%，迈威尔科技涨 5.6%。
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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局
Svmuu讯 三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作，在此前已开展 DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代 V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代 V-NAND（V9）产能，并推进第十一代 500 层级 V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过 10 万片 V-NAND 的产能，其中约
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DRAM价格预期上调：三季度均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
Svmuu讯 根据最新行业调研，全球 DRAM 市场第三季度平均售价（ASP）预计将环比上涨 21%，这一预期高于 TrendForce 此前对传统 DRAM 价格上涨 13%至 18%、以及包含 HBM 在内整体上涨 8%至 13%的预测。 分析认为，第三季度 DRAM 价格上涨主要受到多项因素推动，包括服务器 DRAM 价格环比上涨 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求强劲；DDR5 及
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Citrini分析师：AI时代或改变存储周期逻辑，芯片股下跌未必意味行业崩塌
Svmuu讯 Citrini 分析师 Jukan 发文分析指出，近期存储芯片股票下跌除了受到杠杆资金平仓影响外，市场也可能正在提前交易未来供应扩张带来的压力。即使全球存储短缺持续至 2027 年，多数研究机构和产业观察人士仍预计供需紧张将在 2028 年开始缓解。随着三星电子和 SK 海力士等存储厂商公布大规模晶圆厂扩建计划，市场可能已经开始提前反映 2028 年之后新增产能释放的影响。 传统存储
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Serenity回应AI股暴跌：投资组合单月已回撤49%，但长期逻辑未变
Svmuu讯 “白毛股神”Serenity 在 X 平台发文表示，受近期市场大跌影响，其投资组合本月最大回撤达到 49.4%，但他仍坚持对 AI 产业链长期趋势的看法。 Serenity 透露，其投资组合主要集中于 AI 产业链中的关键环节，包括：半导体上游、存储芯片（Memory）、光子技术（Photonics）、人形机器人（Robotics）、以及 AI 基础设施相关公司。由于这些领域通常具有
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摩根士丹利：DRAM合约价增速或在Q4见顶，存储企业估值待重估
Svmuu讯 摩根士丹利发布最新存储行业观点，预判 DRAM 合约价同比增速将在 2026 年第四季度见顶。报告指出，四季度后 DRAM 价格同比涨幅或将大幅回落，此前一年价格暴涨四倍的行情难以复刻。机构同时提及，当前存储芯片企业对应未来 12 个月预期市净率存在重估空间，板块估值逻辑或将迎来调整。
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美银：预计9月存储芯片现货价格将再涨10%-20%，因供给极度紧张及旺季需求
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长鑫科技上半年营收1503亿元，同比增873.6%，净利776亿大幅扭亏
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DRAM价格预期上调：三季度均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
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