韓國KB證券9月7日發佈研報稱，受AI基礎設施投資浪潮推動，三星電子與SK海力士當前存儲芯片庫存已降至不足10天，明年DRAM與NAND的比特需求預計將超出供應10個百分點以上，屆時可供實際銷售的存儲芯片物量存在耗盡的可能性，形成“歷史性短缺”。該機構研究本部長Kim Dong-won指出，HBM4產能擴張將結構性擠壓通用DRAM供應，加劇短缺局面。