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Tower半导体
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以色列代工厂Tower Semiconductor将投资40亿美元，把日本打造成光学芯片主要生产中心
此举旨在满足人工智能服务器技术日益增长的需求。Tower Semiconductor首席执行官Russell Ellwanger周四向《日本经济新闻》表示，公司将在日本设立其最大的光通信半导体生产中心。
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芯片厂商Tower Semiconductor将在日本投资30亿美元
Svmuu讯 芯片制造商 Tower Semiconductor 当地时间 7 月 14 日宣布，将投资 30 亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的 10 亿美元拨款。声明称，第一阶段将大幅增加 300 毫米硅光子器件产能，预计将于 2027 年第四季度全面投产。该阶段包括改造原 Fab 6 工厂，使其具备 300 毫米硅光子器件产能和先进封装能力。第二阶段将与第一阶段同步启动，包括
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英伟达暂时放弃台积电COUPE技术方案，转向Tower Semiconductor硅光子平台
Svmuu讯 消息人士透露，英伟达已决定暂时放弃采用台积电 COUPE 技术方案。英伟达此前的“Plan A”方案基于台积电 COUPE 共封装光学平台，采用 8 波长 DWDM 和约 50 至 64G NRZ 调制技术；最新“Plan B”转向 Tower Semiconductor 的硅光子平台，采用 16 波长 DWDM 以及 200G/400G PAM4 调制方案。
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以色列代工厂Tower Semiconductor将投资40亿美元，把日本打造成光学芯片主要生产中心
此举旨在满足人工智能服务器技术日益增长的需求。Tower Semiconductor首席执行官Russell Ellwanger周四向《日本经济新闻》表示，公司将在日本设立其最大的光通信半导体生产中心。
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芯片厂商Tower Semiconductor将在日本投资30亿美元
Svmuu讯 芯片制造商 Tower Semiconductor 当地时间 7 月 14 日宣布，将投资 30 亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的 10 亿美元拨款。声明称，第一阶段将大幅增加 300 毫米硅光子器件产能，预计将于 2027 年第四季度全面投产。该阶段包括改造原 Fab 6 工厂，使其具备 300 毫米硅光子器件产能和先进封装能力。第二阶段将与第一阶段同步启动，包括
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英伟达暂时放弃台积电COUPE技术方案，转向Tower Semiconductor硅光子平台
Svmuu讯 消息人士透露，英伟达已决定暂时放弃采用台积电 COUPE 技术方案。英伟达此前的“Plan A”方案基于台积电 COUPE 共封装光学平台，采用 8 波长 DWDM 和约 50 至 64G NRZ 调制技术；最新“Plan B”转向 Tower Semiconductor 的硅光子平台，采用 16 波长 DWDM 以及 200G/400G PAM4 调制方案。
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