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Tower半導體
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以色列代工廠Tower Semiconductor將投資40億美元，把日本打造成光學芯片主要生產中心
此舉旨在滿足人工智能服務器技術日益增長的需求。Tower Semiconductor首席執行官Russell Ellwanger週四向《日本經濟新聞》表示，公司將在日本設立其最大的光通信半導體生產中心。
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芯片廠商Tower Semiconductor將在日本投資30億美元
Svmuu訊 芯片製造商 Tower Semiconductor 當地時間 7 月 14 日宣佈，將投資 30 億美元加強在日本的芯片製造，其中包括來自日本政府的 10 億美元撥款。聲明稱，第一階段將大幅增加 300 毫米硅光子器件產能，預計將於 2027 年第四季度全面投產。該階段包括改造原 Fab 6 工廠，使其具備 300 毫米硅光子器件產能和先進封裝能力。第二階段將與第一階段同步啓動，包括
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英偉達暫時放棄台積電COUPE技術方案，轉向Tower Semiconductor硅光子平台
Svmuu訊 消息人士透露，英偉達已決定暫時放棄採用台積電 COUPE 技術方案。英偉達此前的“Plan A”方案基於台積電 COUPE 共封裝光學平台，採用 8 波長 DWDM 和約 50 至 64G NRZ 調製技術；最新“Plan B”轉向 Tower Semiconductor 的硅光子平台，採用 16 波長 DWDM 以及 200G/400G PAM4 調製方案。
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以色列代工廠Tower Semiconductor將投資40億美元，把日本打造成光學芯片主要生產中心
此舉旨在滿足人工智能服務器技術日益增長的需求。Tower Semiconductor首席執行官Russell Ellwanger週四向《日本經濟新聞》表示，公司將在日本設立其最大的光通信半導體生產中心。
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芯片廠商Tower Semiconductor將在日本投資30億美元
Svmuu訊 芯片製造商 Tower Semiconductor 當地時間 7 月 14 日宣佈，將投資 30 億美元加強在日本的芯片製造，其中包括來自日本政府的 10 億美元撥款。聲明稱，第一階段將大幅增加 300 毫米硅光子器件產能，預計將於 2027 年第四季度全面投產。該階段包括改造原 Fab 6 工廠，使其具備 300 毫米硅光子器件產能和先進封裝能力。第二階段將與第一階段同步啓動，包括
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英偉達暫時放棄台積電COUPE技術方案，轉向Tower Semiconductor硅光子平台
Svmuu訊 消息人士透露，英偉達已決定暫時放棄採用台積電 COUPE 技術方案。英偉達此前的“Plan A”方案基於台積電 COUPE 共封裝光學平台，採用 8 波長 DWDM 和約 50 至 64G NRZ 調製技術；最新“Plan B”轉向 Tower Semiconductor 的硅光子平台，採用 16 波長 DWDM 以及 200G/400G PAM4 調製方案。
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