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韓媒：三星電子與SK海力士或推遲下一代HBM混合鍵合技術導入
Svmuu訊 據韓國媒體報道，三星電子與 SK 海力士正重新評估下一代高帶寬存儲器（HBM）採用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的時間。由於 HBM 對厚度縮減及散熱性能提升的需求有所下降，市場預計該技術導入時間可能較此前預期進一步推遲。同時，兩家公司正分別開發 HPB 和 iHBM 等新型散熱方案，並計劃應用於 HBM5 產品。不過，業內認為，隨着未來 HBM I/O 數量持續提升，混合鍵合仍將是中長期的重要技術路線。
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