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HBM
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美光計劃到2026年底將高帶寬內存（HBM）的月產量從目前的4萬至5萬片提高到10萬片。
該公司計劃大幅提升其HBM產量，以滿足人工智能（AI）領域的強勁需求——在該領域，HBM對於提升效率和增強定價能力至關重要。 此舉有望進一步提升美光的財務表現——得益於其內存和存儲產品需求的強勁增長以及價格上漲，美光的毛利率已從約40%升至70%以上。
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據報道，在需求激增和HBM短缺的背景下，華為將Ascend 950DT AI芯片的價格上調了60%，至37,300美元
據報道，在需求激增和HBM短缺的背景下，華為將Ascend 950DT AI芯片的價格上調了60%，至37,300美元
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美光計劃年底前將HBM月產能翻倍至10萬片晶圓，以追趕三星、SK海力士
據韓聯社援引業內知情人士透露，美光科技計劃在今年年底前將其高帶寬內存（HBM）月產能提升至約10萬片晶圓，較去年增幅接近一倍。此舉旨在縮小與三星電子和SK海力士的產能差距，並加速推進最新一代HBM4 12層產品的量產，以匹配英偉達新一代AI加速器的需求。目前美光HBM市場份額為18%，三星和SK海力士的月產能約為15-20萬片。
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海力士CEO稱其“美國製造”HBM產品將從韓國開始生產DRAM晶圓
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基儀式上表示，公司在印第安納州投資超40億美元建設的HBM生產基地將成為首批“美國製造”HBM產品的門户。然而，這些產品的DRAM晶圓仍將在韓國工廠生產，隨後運往美國印第安納州西拉斐特進行堆疊、封裝和測試。該工廠預計將於2026年下半年開始大規模生產，這是海力士在美國的首個HBM生產基地。
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SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期
SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道，這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力，並確保其在高帶寬內存（HBM）及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃，並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以支持HBM4生產。此外，SK海力士還默許部分核心設備供應商提價
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三星電子已通過長期協議鎖定其約70%的高帶寬內存(HBM)產能至2031年
據報道，三星電子已通過與微軟、英偉達和谷歌等主要客户簽訂的長期協議，鎖定其約70%的HBM產能，這些協議可能持續到2031年。協議價格為每模塊300至400美元，遠低於現貨市場約2100美元的價格。SK海力士首席執行官警告稱，HBM短缺可能持續到2030年，該公司已承諾到2031年投資383億美元用於HBM擴產。
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SK海力士被曝正評估英特爾代工HBM基礎芯片方案，最早或從HBM4E開始以降低成本；公司回應稱部分內容與事實不符
據韓國《先驅經濟》報道，SK海力士計劃最早從第七代高帶寬內存HBM4E起，將此前全部委託台積電生產的基礎芯片（Base Die）部分轉交英特爾代工，構建多供應商體系。此舉旨在打破對台積電的單一依賴，同時緩解持續攀升的原材料成本壓力。業內人士透露，台積電生產的HBM4基礎芯片成本比SK海力士自身核心芯片高出3至4倍。SK海力士方面對此回應稱，有關公司技術路線圖的相關內容難以確認，並表示“部分內容與事
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韓國SK海力士在美啓動首座HBM芯片封裝廠建設，投資超40億美元
該項目位於印第安納州西拉法葉，將包括先進芯片封裝設施和研發綜合體，用於為美國客户組裝下一代HBM4E內存，以支撐人工智能基礎設施建設。
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分析認為，英偉達（Nvidia）財報發佈後，美光科技（Micron Technology）股價有望飆升
分析指出，美光科技作為英偉達高帶寬內存（HBM）的關鍵供應商之一，其股價表現與英偉達的業績緊密相關。市場普遍預計英偉達第二季度營收將達921億美元，同比增長97%。若英偉達業績強勁，將進一步驗證AI基礎設施超級週期，並推高HBM及DRAM的合約價格，從而利好美光科技的營收增長和利潤擴張。美光科技的HBM和DRAM產量已售罄，新產能正在上線，其股價在近期盤整後，有望在英偉達財報公佈後迎來上漲。
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三星披露HBM三階段路線圖，終極目標zHBM架構可實現功耗降低70%、帶寬提升230%
三星在Hot Chips技術大會上披露了其HBM演進的三階段路線圖，最終目標是zHBM架構。該架構旨在將DRAM直接垂直堆疊在GPU、TPU等計算芯片之上，徹底取消2.5D中介層。三星表示，相較於標準HBM4E，zHBM方案可實現70%的功耗降低和230%的DRAM帶寬提升。路線圖分三階段：第一階段側重通過製程升級為計算芯片釋放硅面積；第二階段在Base Die上集成內存擴展控制器和處理單元；第三
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分析認為，美光(Micron)股價可能在英偉達(Nvidia)8月26日發佈財報後出現拋物線式上漲
分析指出，美光是英偉達AI芯片（如Vera Rubin處理器）高帶寬內存(HBM)的關鍵供應商。鑑於英偉達擁有萬億美元的訂單儲備，其強勁的財報和指引有望提振投資者對整個AI基礎設施生態系統的信心，從而推動美光股價上漲。報告預計美光2027財年收益將增長111%至每股154.89美元，股價可能達到2,323美元。
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分析認為英偉達將比美光從2026年AI基礎設施建設中獲得更直接的收益，因超大規模廠商資本支出更多流向其AI加速器
該分析指出，超大規模廠商（如亞馬遜、微軟、谷歌和Meta Platforms）預計2026年將投入約7000億美元資本支出，其中約三分之二用於AI基礎設施。英偉達作為AI加速器供應商，將直接受益於其中最大份額的支出。美光則作為高帶寬內存（HBM）供應商，是AI服務器不可或缺的組成部分，預計HBM市場將從2025年的350億美元增長到2028年的1000億美元，美光已鎖定2026年所有HBM產品的價
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SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產
SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投
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Signia Small Cap Value Strategy在2026年上半年出售Hudbay Minerals (HBM)，實現21-23美元的估值目標
Signia Capital Management旗下Signia Small Cap Value Strategy在第二季度投資者信中披露，該策略已於2026年上半年清倉其在礦業公司Hudbay Minerals Inc. (NYSE:HBM)的頭寸。該策略於2024年1月以約5美元的價格買入HBM，並在達到內部估值目標後，以21-23美元的價格區間出售。截至2026年8月11日，HBM股價報2
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高盛專家：HBM和DRAM訂單已售罄至2027年，但價格環比漲幅預計在2027年Q2-Q3見頂並温和回落
高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM訂單已售罄至2027年，長期協議設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。然而，他同時表示，存儲芯片價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後可能出現温和小幅回落。英偉達下一代“Vera Rubin”超級芯片中存儲成本已佔整體物料清單約6
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分析指出，SK海力士在2026年第一季度HBM市場份額中以56.4%位居第一，第二季度營收達550億美元
一篇分析文章指出，韓國芯片巨頭SK海力士在人工智能（AI）內存市場中佔據領先地位。根據IDC市場數據，SK海力士在2026年第一季度高帶寬內存（HBM）市場份額中以56.4%位居第一，並在DRAM和NAND閃存收入市場份額中排名第二。公司第二季度財報顯示，營收達到79.3萬億韓元（約合550億美元），營業利潤為60.54萬億韓元，利潤率高達76%。儘管業績強勁，SK海力士股價仍因未能達到市場高預期
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SK海力士董事會批准投資約382.82億美元（54.3萬億韓元），在韓國新建兩座晶圓廠
此舉旨在擴大DRAM和NAND生產基地，以滿足人工智能帶動的HBM及先進存儲需求增長。其中，龍仁Y2工廠將聚焦HBM與下一代DRAM，清州M17工廠將完善NAND產能。兩座工廠預計最早於2028年底至2029年陸續投產，並將在2031年前完成投資，產能將根據客户需求逐步擴大。
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據《The Information》報道，英偉達正考慮在其Rubin Ultra GPU中減少高帶寬內存（HBM）的使用，以應對先進HBM芯片短缺的問題。
據《The Information》報道，英偉達正考慮在其Rubin Ultra GPU中減少高帶寬內存（HBM）的使用，以應對先進HBM芯片短缺的問題。
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高盛重申三星電子和SK海力士“買入”評級，預計2027年HBM均價或翻倍，長期協議條款更利於供應商
高盛在8月4日發佈的一份研報中指出，儘管三星電子和SK海力士股價近期大幅回調，但其估值已跌至極度悲觀水平，與基本面不符。高盛認為市場對韓國存儲行業的八大核心疑慮（包括HBM定價前景、長期協議結構、庫存狀況、長鑫衝擊、股東回報等）大多被過度解讀，真實的供需格局仍支撐存儲價格高位。高盛預計，三星電子和SK海力士的HBM綜合均價將在2027年分別同比上漲約87%和100%，雙雙接近每Gb 2.9美元，遠
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三星電子在FMS峯會公佈全新3D內存路線圖，推出zHBM、zNAND-O及V10 BV-NAND，旨在AI內存領域取得領先
當地時間8月4日，三星電子在年度存儲行業峯會（FMS）上，正式發佈了多項前沿內存技術。其中，zHBM是一種將高帶寬內存（HBM）直接垂直堆疊於AI加速器芯片之上的概念產品，預計性能可達下一代HBM5的8倍，內存密度是HBM5的10倍以上，能效提升3倍，目標量產時間為2029年前後。此外，三星還推出了面向邊緣AI的高帶寬閃存方案zNAND-O，計劃於2028年量產；以及業界首款採用晶圓鍵合技術、堆疊
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三星晶圓代工產能利用率年內預計將達100%，有望扭虧為盈
韓國三星電子晶圓代工業務正迎來關鍵轉折點，預計在HBM基礎芯片與美國大型科技客户需求拉動下，其產能利用率有望於今年下半年觸及100%。目前產能利用率估計在70%至80%區間，市場分析人士預計，該業務最早將於三季度、最遲四季度實現扭虧為盈，結束困擾其逾一年的虧損局面。不過，業界普遍認為，能否將潛在客户轉化為大規模量產合同，關鍵取決於2納米制程良率能否穩定在70%以上，目前該良率估計仍在60%區間。
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SK海力士Q2財報電話會：未見AI投資放緩，HBM4E將於2027年量產，股價大跌超10%
韓國SK海力士在第二季度業績分析師電話會上表示，目前未看到人工智能投資放緩跡象，預計AI基礎設施投資在2027年後仍將保持穩健。公司透露HBM4已於二季度開始量產出貨，良率接近HBM3E成熟水平；HBM4E樣品已交付主要客户，計劃於2027年量產。此外，SK海力士已與約10家客户簽訂通常為期5年的長期供貨協議（LTA），並預計不會導致供應過剩。然而，公司將2026年資本開支大幅上調至“40萬億韓元
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SK海力士美股ADR溢價超30%，“韓國海力士”與“全球海力士”估值出現分歧
Svmuu訊 據鏈上分析師 Ai 姨監測，當前 SK 海力士韓國本土股票與其美股 ADR 之間出現明顯價差，SKHX 價格約為 1303.85 美元，而 SKHY 價格約為 170.61 美元，兩者價格差距最高達到約 30.9%，反映出美股市場資金對 AI 芯片、HBM（高帶寬內存）龍頭資產的追捧力度。分析認為，兩者間的兑換是單向的，只能將美股 ADR 註銷換回韓國普通股，而溢價時沒人會這麼做，這
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分析師下調 SK 海力士二季度盈利預期，但預計長期盈利增長持續
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，KIS Semicon 分析師 Minsook Chae 預計 SK Hynix 2026 年二季度營業利潤為 60.4 萬億韓元，環比增長 61%，同比增長 556%，較 65 萬億韓元市場共識低 8%。 分析師表示，下調預期主要由於 SK 海力士 HBM 銷售佔比高於同行、普通 DRAM 價格漲幅低於此前市場預期，以及長期
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美光計劃到2026年底將高帶寬內存（HBM）的月產量從目前的4萬至5萬片提高到10萬片。
該公司計劃大幅提升其HBM產量，以滿足人工智能（AI）領域的強勁需求——在該領域，HBM對於提升效率和增強定價能力至關重要。 此舉有望進一步提升美光的財務表現——得益於其內存和存儲產品需求的強勁增長以及價格上漲，美光的毛利率已從約40%升至70%以上。
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據報道，在需求激增和HBM短缺的背景下，華為將Ascend 950DT AI芯片的價格上調了60%，至37,300美元
據報道，在需求激增和HBM短缺的背景下，華為將Ascend 950DT AI芯片的價格上調了60%，至37,300美元
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美光計劃年底前將HBM月產能翻倍至10萬片晶圓，以追趕三星、SK海力士
據韓聯社援引業內知情人士透露，美光科技計劃在今年年底前將其高帶寬內存（HBM）月產能提升至約10萬片晶圓，較去年增幅接近一倍。此舉旨在縮小與三星電子和SK海力士的產能差距，並加速推進最新一代HBM4 12層產品的量產，以匹配英偉達新一代AI加速器的需求。目前美光HBM市場份額為18%，三星和SK海力士的月產能約為15-20萬片。
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海力士CEO稱其“美國製造”HBM產品將從韓國開始生產DRAM晶圓
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基儀式上表示，公司在印第安納州投資超40億美元建設的HBM生產基地將成為首批“美國製造”HBM產品的門户。然而，這些產品的DRAM晶圓仍將在韓國工廠生產，隨後運往美國印第安納州西拉斐特進行堆疊、封裝和測試。該工廠預計將於2026年下半年開始大規模生產，這是海力士在美國的首個HBM生產基地。
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SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期
SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道，這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力，並確保其在高帶寬內存（HBM）及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃，並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以支持HBM4生產。此外，SK海力士還默許部分核心設備供應商提價
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三星電子已通過長期協議鎖定其約70%的高帶寬內存(HBM)產能至2031年
據報道，三星電子已通過與微軟、英偉達和谷歌等主要客户簽訂的長期協議，鎖定其約70%的HBM產能，這些協議可能持續到2031年。協議價格為每模塊300至400美元，遠低於現貨市場約2100美元的價格。SK海力士首席執行官警告稱，HBM短缺可能持續到2030年，該公司已承諾到2031年投資383億美元用於HBM擴產。
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SK海力士被曝正評估英特爾代工HBM基礎芯片方案，最早或從HBM4E開始以降低成本；公司回應稱部分內容與事實不符
據韓國《先驅經濟》報道，SK海力士計劃最早從第七代高帶寬內存HBM4E起，將此前全部委託台積電生產的基礎芯片（Base Die）部分轉交英特爾代工，構建多供應商體系。此舉旨在打破對台積電的單一依賴，同時緩解持續攀升的原材料成本壓力。業內人士透露，台積電生產的HBM4基礎芯片成本比SK海力士自身核心芯片高出3至4倍。SK海力士方面對此回應稱，有關公司技術路線圖的相關內容難以確認，並表示“部分內容與事
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韓國SK海力士在美啓動首座HBM芯片封裝廠建設，投資超40億美元
該項目位於印第安納州西拉法葉，將包括先進芯片封裝設施和研發綜合體，用於為美國客户組裝下一代HBM4E內存，以支撐人工智能基礎設施建設。
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分析認為，英偉達（Nvidia）財報發佈後，美光科技（Micron Technology）股價有望飆升
分析指出，美光科技作為英偉達高帶寬內存（HBM）的關鍵供應商之一，其股價表現與英偉達的業績緊密相關。市場普遍預計英偉達第二季度營收將達921億美元，同比增長97%。若英偉達業績強勁，將進一步驗證AI基礎設施超級週期，並推高HBM及DRAM的合約價格，從而利好美光科技的營收增長和利潤擴張。美光科技的HBM和DRAM產量已售罄，新產能正在上線，其股價在近期盤整後，有望在英偉達財報公佈後迎來上漲。
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三星披露HBM三階段路線圖，終極目標zHBM架構可實現功耗降低70%、帶寬提升230%
三星在Hot Chips技術大會上披露了其HBM演進的三階段路線圖，最終目標是zHBM架構。該架構旨在將DRAM直接垂直堆疊在GPU、TPU等計算芯片之上，徹底取消2.5D中介層。三星表示，相較於標準HBM4E，zHBM方案可實現70%的功耗降低和230%的DRAM帶寬提升。路線圖分三階段：第一階段側重通過製程升級為計算芯片釋放硅面積；第二階段在Base Die上集成內存擴展控制器和處理單元；第三
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分析認為，美光(Micron)股價可能在英偉達(Nvidia)8月26日發佈財報後出現拋物線式上漲
分析指出，美光是英偉達AI芯片（如Vera Rubin處理器）高帶寬內存(HBM)的關鍵供應商。鑑於英偉達擁有萬億美元的訂單儲備，其強勁的財報和指引有望提振投資者對整個AI基礎設施生態系統的信心，從而推動美光股價上漲。報告預計美光2027財年收益將增長111%至每股154.89美元，股價可能達到2,323美元。
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分析認為英偉達將比美光從2026年AI基礎設施建設中獲得更直接的收益，因超大規模廠商資本支出更多流向其AI加速器
該分析指出，超大規模廠商（如亞馬遜、微軟、谷歌和Meta Platforms）預計2026年將投入約7000億美元資本支出，其中約三分之二用於AI基礎設施。英偉達作為AI加速器供應商，將直接受益於其中最大份額的支出。美光則作為高帶寬內存（HBM）供應商，是AI服務器不可或缺的組成部分，預計HBM市場將從2025年的350億美元增長到2028年的1000億美元，美光已鎖定2026年所有HBM產品的價
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SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產
SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投
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高盛專家：HBM和DRAM訂單已售罄至2027年，但價格環比漲幅預計在2027年Q2-Q3見頂並温和回落
高盛歐洲TMT專家Sean Johnstone在最新報告中指出，HBM（高帶寬內存）和DRAM訂單已售罄至2027年，長期協議設有價格下限，毛利率仍維持在70%中高段水平，AI結構性需求將供給持續壓緊至2028年。然而，他同時表示，存儲芯片價格環比漲幅已在減速，預計將在2027年二季度至三季度見頂，隨後可能出現温和小幅回落。英偉達下一代“Vera Rubin”超級芯片中存儲成本已佔整體物料清單約6
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分析指出，SK海力士在2026年第一季度HBM市場份額中以56.4%位居第一，第二季度營收達550億美元
一篇分析文章指出，韓國芯片巨頭SK海力士在人工智能（AI）內存市場中佔據領先地位。根據IDC市場數據，SK海力士在2026年第一季度高帶寬內存（HBM）市場份額中以56.4%位居第一，並在DRAM和NAND閃存收入市場份額中排名第二。公司第二季度財報顯示，營收達到79.3萬億韓元（約合550億美元），營業利潤為60.54萬億韓元，利潤率高達76%。儘管業績強勁，SK海力士股價仍因未能達到市場高預期
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SK海力士董事會批准投資約382.82億美元（54.3萬億韓元），在韓國新建兩座晶圓廠
此舉旨在擴大DRAM和NAND生產基地，以滿足人工智能帶動的HBM及先進存儲需求增長。其中，龍仁Y2工廠將聚焦HBM與下一代DRAM，清州M17工廠將完善NAND產能。兩座工廠預計最早於2028年底至2029年陸續投產，並將在2031年前完成投資，產能將根據客户需求逐步擴大。
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據《The Information》報道，英偉達正考慮在其Rubin Ultra GPU中減少高帶寬內存（HBM）的使用，以應對先進HBM芯片短缺的問題。
據《The Information》報道，英偉達正考慮在其Rubin Ultra GPU中減少高帶寬內存（HBM）的使用，以應對先進HBM芯片短缺的問題。
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高盛重申三星電子和SK海力士“買入”評級，預計2027年HBM均價或翻倍，長期協議條款更利於供應商
高盛在8月4日發佈的一份研報中指出，儘管三星電子和SK海力士股價近期大幅回調，但其估值已跌至極度悲觀水平，與基本面不符。高盛認為市場對韓國存儲行業的八大核心疑慮（包括HBM定價前景、長期協議結構、庫存狀況、長鑫衝擊、股東回報等）大多被過度解讀，真實的供需格局仍支撐存儲價格高位。高盛預計，三星電子和SK海力士的HBM綜合均價將在2027年分別同比上漲約87%和100%，雙雙接近每Gb 2.9美元，遠
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三星電子在FMS峯會公佈全新3D內存路線圖，推出zHBM、zNAND-O及V10 BV-NAND，旨在AI內存領域取得領先
當地時間8月4日，三星電子在年度存儲行業峯會（FMS）上，正式發佈了多項前沿內存技術。其中，zHBM是一種將高帶寬內存（HBM）直接垂直堆疊於AI加速器芯片之上的概念產品，預計性能可達下一代HBM5的8倍，內存密度是HBM5的10倍以上，能效提升3倍，目標量產時間為2029年前後。此外，三星還推出了面向邊緣AI的高帶寬閃存方案zNAND-O，計劃於2028年量產；以及業界首款採用晶圓鍵合技術、堆疊
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三星晶圓代工產能利用率年內預計將達100%，有望扭虧為盈
韓國三星電子晶圓代工業務正迎來關鍵轉折點，預計在HBM基礎芯片與美國大型科技客户需求拉動下，其產能利用率有望於今年下半年觸及100%。目前產能利用率估計在70%至80%區間，市場分析人士預計，該業務最早將於三季度、最遲四季度實現扭虧為盈，結束困擾其逾一年的虧損局面。不過，業界普遍認為，能否將潛在客户轉化為大規模量產合同，關鍵取決於2納米制程良率能否穩定在70%以上，目前該良率估計仍在60%區間。
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SK海力士Q2財報電話會：未見AI投資放緩，HBM4E將於2027年量產，股價大跌超10%
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SK海力士美股ADR溢價超30%，“韓國海力士”與“全球海力士”估值出現分歧
Svmuu訊 據鏈上分析師 Ai 姨監測，當前 SK 海力士韓國本土股票與其美股 ADR 之間出現明顯價差，SKHX 價格約為 1303.85 美元，而 SKHY 價格約為 170.61 美元，兩者價格差距最高達到約 30.9%，反映出美股市場資金對 AI 芯片、HBM（高帶寬內存）龍頭資產的追捧力度。分析認為，兩者間的兑換是單向的，只能將美股 ADR 註銷換回韓國普通股，而溢價時沒人會這麼做，這
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分析師下調 SK 海力士二季度盈利預期，但預計長期盈利增長持續
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，KIS Semicon 分析師 Minsook Chae 預計 SK Hynix 2026 年二季度營業利潤為 60.4 萬億韓元，環比增長 61%，同比增長 556%，較 65 萬億韓元市場共識低 8%。 分析師表示，下調預期主要由於 SK 海力士 HBM 銷售佔比高於同行、普通 DRAM 價格漲幅低於此前市場預期，以及長期
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