Svmuu訊 芯片製造商 Tower Semiconductor 當地時間 7 月 14 日宣佈，將投資 30 億美元加強在日本的芯片製造，其中包括來自日本政府的 10 億美元撥款。聲明稱，第一階段將大幅增加 300 毫米硅光子器件產能，預計將於 2027 年第四季度全面投產。該階段包括改造原 Fab 6 工廠，使其具備 300 毫米硅光子器件產能和先進封裝能力。第二階段將與第一階段同步啓動，包括在 Fab 7 工廠旁新建一座 300 毫米光刻機制造廠。