三星電子擴大與英偉達NAND供應合作,加速V9、V10閃存佈局
Svmuu訊 三星電子正擴大與英偉達在 NAND 閃存領域的合作,在此前已開展 DRAM、高帶寬內存(HBM)及晶圓代工合作的基礎上,進一步深化存儲芯片供應關係。據報道,三星已開始量產第十代 V-NAND(V10)並向英偉達供貨,同時擴大第九代 V-NAND(V9)產能,並推進第十一代 500 層級 V-NAND(V11)開發。據悉,三星目前已具備月產超過 10 萬片 V-NAND 的產能,其中約 60%產能分配給 V9 產品。(財聯社)
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