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存儲芯片
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DeepSeek最新AI模型引發存儲芯片需求疑慮，韓國股市投資者趨於謹慎
DeepSeek最新人工智能模型對存儲芯片需求的強度帶來不確定性，這給重新進入韓國存儲芯片製造商股票的基金經理們敲響了警鐘。
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A股三大股指低開高走，創業板翻紅，存儲芯片板塊拉昇
9月10日，A股早盤集體低開後低開高走，創業板指拉昇翻紅，滬指、深成指跌幅收窄。存儲芯片概念股表現活躍，太極實業漲停，受隔夜美股SK海力士漲超7%、美光科技漲超2%等消息提振。
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高盛轉為看多存儲芯片板塊，SK海力士美股週三大漲7%至193.53美元創歷史新高，美光、閃迪等全線走強
高盛在最新研報中對存儲芯片板塊轉為積極，稱“最差的日子已經過去”，觸發週三存儲股全線上漲。SK海力士美股領漲，盤中創歷史新高，收盤大漲約7%至193.53美元。美光科技收漲約2%至1027.77美元，閃迪收漲約1.51%至1764.17美元。高盛指出，美光和閃迪已突破夏季下行趨勢，對沖基金持倉仍處低位，為資金入場留有空間。不過，鎧俠首席執行官Hiroo Ota同日警告NAND價格已漲幅足夠，過度追
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韓國KB證券：三星、SK海力士存儲芯片庫存不足10天，明年或現史上最嚴重短缺
韓國KB證券9月7日發佈研報稱，受AI基礎設施投資浪潮推動，三星電子與SK海力士當前存儲芯片庫存已降至不足10天，明年DRAM與NAND的比特需求預計將超出供應10個百分點以上，屆時可供實際銷售的存儲芯片物量存在耗盡的可能性，形成“歷史性短缺”。該機構研究本部長Kim Dong-won指出，HBM4產能擴張將結構性擠壓通用DRAM供應，加劇短缺局面。
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SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期
SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道，這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力，並確保其在高帶寬內存（HBM）及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃，並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以支持HBM4生產。此外，SK海力士還默許部分核心設備供應商提價
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SK海力士正評估在日本合資建存儲芯片廠，以應對AI驅動的需求增長
SK集團會長崔泰源8月31日表示，SK海力士正在全面考察日本各地，尋找電力和水資源條件良好的地區，以評估多個合作建廠地點。目前合作模式尚未確定，合資建廠、共同投資或收購日本公司均是選項。此舉旨在進一步完善其全球產能網絡，此前SK海力士已在韓國規劃約54萬億韓元的產能投資，並於上週在美國印第安納州為先進存儲封裝設施舉行奠基儀式。
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美銀：預計9月存儲芯片現貨價格將再漲10%-20%，因供給極度緊張及旺季需求
美國銀行全球研究在8月27日發佈的報告中指出，當前存儲芯片現貨市場供需失衡加劇，9月現貨市場供給滿足率不足50%。三星電子、SK海力士、美光等大廠優先將產能分配給大型科技客户，導致模組廠商和白牌OEM難以獲得足量通用DRAM及NAND產品。儘管現貨價格已使多數IT產品處於負毛利區間，但供給短缺與傳統消費旺季的共振仍將推動價格進一步走高。報告還將英偉達2027財年約70%的營收增長指引視為存儲行業的
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長鑫科技上半年營收1503億元，同比增873.6%，淨利776億大幅扭虧
中國存儲芯片龍頭長鑫科技公佈2026年上半年財報，實現營業收入1503.10億元，較上年同期增長873.64%；歸屬於上市公司股東的淨利潤達到776.05億元，而上年同期為虧損23.32億元，實現大幅扭虧。公司扣除非經常性損益後的淨利潤為787.93億元，高於歸母淨利潤，顯示利潤主要來自主營業務。截至2026年6月末，公司總資產達到4680.78億元，較上年末增長38.98%；淨資產增至1347.
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A股科創50指數盤中漲超3%，光通信、存儲芯片概念股集體走強
8月27日，A股早盤震盪走高，科創50指數盤中漲超3%，深成指、創業板指均漲超1%。算力硬件、芯片半導體板塊領漲，其中光通信、光模塊、HBM、光電路交換機、存儲芯片等概念股集體大漲。消息面上，大普微（Dapu Micro）此前於8月26日公告稱，公司與客户簽訂了5.15億美元的企業級PCIe SSD銷售訂單，並於8月24日公佈2026年上半年實現淨利潤13.34億元，扭虧為盈。
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美光首席執行官桑傑·梅赫羅特拉宣佈，未來十年將投資100億美元建設新的研發實驗室，並表示人工智能已經終結了存儲芯片行業的週期性波動。
美光（Micron）首席執行官桑傑·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）於8月20日宣佈，公司計劃在未來十年內投資100億美元建設新的美光研究實驗室（美光 Research Labs），總部設在愛達荷州博伊西，並計劃於2027年動工。梅赫羅特拉表示，人工智能（AI）的興起已經改變了內存芯片買家的行為，從而永久性地結束了該行業的週期性波動。該實驗室將專注於內存技術、計算架構、封裝以及未來半導
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吉姆·克萊默稱美光、西部數據等四隻存儲芯片股“不可或缺”，認為隨着AI需求飆升投資者“不容錯過”
這位財經評論員指出，人工智能正在推動存儲芯片股飆升，並引用馬斯克的觀點稱“內存已成為瓶頸”。克萊默認為，儘管存儲芯片市場通常存在週期性繁榮與蕭條，但當前數據中心建設速度空前，對內存的需求可能打破這一循環，使相關股票繼續上漲。他提及英偉達等AI公司正投入數千億美元用於基礎設施建設，但同時警告市場對AI公司資本支出增長已開始警惕，且數據中心建設面臨社區阻力及立法監管風險，可能導致未來芯片供應過剩。
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穆迪將韓國2026年的經濟增長預期從2.5%上調至3.5%，預計由人工智能驅動的存儲芯片熱潮將持續至2027年年中。
穆迪將韓國2026年的經濟增長預期從2.5%上調至3.5%，預計由人工智能驅動的存儲芯片熱潮將持續至2027年年中。
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韓國多家券商下調三星電子和SK海力士目標價，部分降幅超30%，因存儲市場見頂擔憂升温
韓國多家券商下調三星電子和SK海力士目標價，部分降幅超30%，因存儲市場見頂擔憂升温。Kiwoom證券將三星電子目標價從39萬韓元下調至35萬韓元，SK海力士從220萬韓元降至210萬韓元。未來資產證券將三星電子目標價從55萬韓元下調至37萬韓元，SK海力士從420萬韓元下調至280萬韓元，降幅均為33%。此輪調整主要源於通用存儲芯片價格高位運行導致終端廠商採購趨於謹慎，以及2027年大規模擴產可
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存儲芯片企業北京君正通過港交所主板上市聆訊，2026年上半年預計淨利潤同比增長431%至531%
北京君正集成電路股份有限公司於8月9日通過港交所主板上市聆訊。公司此次赴港上市正值業績顯著回升階段，根據此前披露的業績預告，預計2026年上半年實現營業總收入約39.89億元人民幣，同比增長約77%；歸母淨利潤預計為10.79億元至12.82億元人民幣，同比增長431.03%至531.34%。公司目前已形成“存儲+計算+模擬”三條主要產品線，其中存儲業務仍是主要收入來源。
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美光股價反彈，逆勢抵禦了內存芯片的拋售潮
美光的股價收復了盤中跌幅並實現反彈，逆勢而上，而此前存儲芯片板塊整體遭遇拋售，導致閃迪和西部數據的股價均出現下跌。
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存儲芯片公司鎧俠迎來股東洗牌：SK海力士或成實際第二大股東
Svmuu訊 美國投資基金貝恩資本（Bain Capital）通過出售日本存儲芯片企業鎧俠（Kioxia）大部分股份，預計獲得約 2.5 萬億日元（約 22 萬億韓元）的投資收益，創日本私募股權投資（PE）案例最高收益紀錄之一。 隨着貝恩資本退出，鎧俠最大股東重新變為東芝，持股約 15%；SK 海力士通過持有的特殊目的公司（SPC）可轉換債券，成為事實上的第二大股東，相關股份佔比約 14%。不過，
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Morgan Stanley分析師轉向看空存儲，Citrini分析師稱或為KOSPI回調因素之一
Svmuu訊 Citrini 分析師 Jukan 在 X 平台發表示稱，市場流傳的一份摩根士丹利研究報告顯示，分析師 Shawn Kim 已轉向看空存儲芯片行業。報告認為，NAND 模組廠庫存已升至約 13 周，需求明顯降温，預計第四季度 NAND 價格漲幅將放緩至約 5%，現貨價格已連續兩個月下跌；同時，長鑫存儲（CXMT）正快速擴大產能，供需逐步趨於平衡。報告還指出，若 NAND 行情轉弱，D
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馬斯克：美光向特斯拉提供了“大量”存儲芯片
Svmuu訊 特斯拉 CEO 馬斯克透露，美光科技(MU.O)近期向特斯拉(TSLA.O)提供了“大量”存儲芯片，滿足了這家汽車製造商對這種日益緊缺物資的需求。馬斯克表示，在存儲芯片一貨難求且價格高企的背景下，美光向特斯拉提供的這批芯片交易條款非常合理。從長遠來看，馬斯克正致力於自主生產半導體。這位億萬富翁啓動了一項名為“Terafab”的宏大計劃，旨在以前所未有的規模生產計算芯片和存儲芯片。就目
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美股存儲芯片概念領漲，美光科技漲6.8%
Svmuu訊 根據 MSX.COM 數據，美股存儲芯片概念領漲，美光科技漲 6.8%，海力士漲 6.9%，閃迪、西部數據均漲超 8%。半導體設備、晶圓代工、光通信等走高，聯電漲 5.6%，台積電漲超 4%，泛林集團漲 6%，應用材料、科磊漲超 5%。Lumentum 漲 6%，邁威爾科技漲 5.6%。
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三星電子擴大與英偉達NAND供應合作，加速V9、V10閃存佈局
Svmuu訊 三星電子正擴大與英偉達在 NAND 閃存領域的合作，在此前已開展 DRAM、高帶寬內存（HBM）及晶圓代工合作的基礎上，進一步深化存儲芯片供應關係。據報道，三星已開始量產第十代 V-NAND（V10）並向英偉達供貨，同時擴大第九代 V-NAND（V9）產能，並推進第十一代 500 層級 V-NAND（V11）開發。據悉，三星目前已具備月產超過 10 萬片 V-NAND 的產能，其中約
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DRAM價格預期上調：三季度均價或環比上漲21%，高於TrendForce預測
Svmuu訊 根據最新行業調研，全球 DRAM 市場第三季度平均售價（ASP）預計將環比上漲 21%，這一預期高於 TrendForce 此前對傳統 DRAM 價格上漲 13%至 18%、以及包含 HBM 在內整體上漲 8%至 13%的預測。 分析認為，第三季度 DRAM 價格上漲主要受到多項因素推動，包括服務器 DRAM 價格環比上漲 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求強勁；DDR5 及
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Citrini分析師：AI時代或改變存儲週期邏輯，芯片股下跌未必意味行業崩塌
Svmuu訊 Citrini 分析師 Jukan 發文分析指出，近期存儲芯片股票下跌除了受到槓桿資金平倉影響外，市場也可能正在提前交易未來供應擴張帶來的壓力。即使全球存儲短缺持續至 2027 年，多數研究機構和產業觀察人士仍預計供需緊張將在 2028 年開始緩解。隨着三星電子和 SK 海力士等存儲廠商公佈大規模晶圓廠擴建計劃，市場可能已經開始提前反映 2028 年之後新增產能釋放的影響。 傳統存儲
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Serenity回應AI股暴跌：投資組合單月已回撤49%，但長期邏輯未變
Svmuu訊 “白毛股神”Serenity 在 X 平台發文表示，受近期市場大跌影響，其投資組合本月最大回撤達到 49.4%，但他仍堅持對 AI 產業鏈長期趨勢的看法。 Serenity 透露，其投資組合主要集中於 AI 產業鏈中的關鍵環節，包括：半導體上游、存儲芯片（Memory）、光子技術（Photonics）、人形機器人（Robotics）、以及 AI 基礎設施相關公司。由於這些領域通常具有
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摩根士丹利：DRAM合約價增速或在Q4見頂，存儲企業估值待重估
Svmuu訊 摩根士丹利發佈最新存儲行業觀點，預判 DRAM 合約價同比增速將在 2026 年第四季度見頂。報告指出，四季度後 DRAM 價格同比漲幅或將大幅回落，此前一年價格暴漲四倍的行情難以復刻。機構同時提及，當前存儲芯片企業對應未來 12 個月預期市淨率存在重估空間，板塊估值邏輯或將迎來調整。
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DeepSeek最新AI模型引發存儲芯片需求疑慮，韓國股市投資者趨於謹慎
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長鑫科技上半年營收1503億元，同比增873.6%，淨利776億大幅扭虧
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摩根士丹利：DRAM合約價增速或在Q4見頂，存儲企業估值待重估
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