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NAND閃存
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SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產
SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投
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據Counterpoint Research數據顯示，中國YMTC在第二季度NAND閃存芯片出貨量方面位居全球第三，市場份額達14%，超越了美光和Kioxia。
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SK海力士擬重啓中國大連第二工廠建設，將當地NAND閃存產能擴大約50%
SK海力士計劃重啓中國大連第二工廠建設，將當地NAND閃存產能擴大約50%，以加速佈局企業級存儲市場，應對人工智能數據中心需求增長。據半導體行業消息人士透露，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已於今年上半年重新啓動大連第二工廠的投資與建設工作，計劃最早於今年11月引進生產設備，並於明年上半年建立量產體系。新產線月投片產能預計約為5萬片晶圓，疊加現有大連一廠每月10萬片的產能，當地總產能將
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三星電子擴大與英偉達NAND供應合作，加速V9、V10閃存佈局
Svmuu訊 三星電子正擴大與英偉達在 NAND 閃存領域的合作，在此前已開展 DRAM、高帶寬內存（HBM）及晶圓代工合作的基礎上，進一步深化存儲芯片供應關係。據報道，三星已開始量產第十代 V-NAND（V10）並向英偉達供貨，同時擴大第九代 V-NAND（V9）產能，並推進第十一代 500 層級 V-NAND（V11）開發。據悉，三星目前已具備月產超過 10 萬片 V-NAND 的產能，其中約
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分析師：NAND閃存供應短缺或於2027年緩解
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，TrendForce 預計 NAND 閃存供應短缺將在 2027 年緩解。TrendForce 指出，服務器已佔 NAND 閃存總位需求的 40%以上，智能手機和筆記本電腦合計仍接近 40%，因此繼續對整體需求產生顯著影響。庫存方面，存儲製造商庫存水平仍相對較低。儘管受消費市場疲軟影響，模組廠庫存有所上升，但其他買方持有的庫存
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閃迪遭市場拋售恐慌，高盛逆勢上調目標價看好8月財報
Svmuu訊 高盛在研報中明確預測，閃迪即將於 8 月 5 日公佈的 2026 財年第四季度業績將是一個"非常強勁的季度"。全球 NAND 閃存芯片的供應短缺狀況將在 2026 年持續，移動端、PC 端和數據中心端需求同步復甦，而產能受高端 AI 存儲賽道擠壓，常規產品供給不足，市場價格保持攀升趨勢。高盛將閃迪的目標價從 1200 美元上調至 2200 美元，並重申“買入”評級，這一激進調整不僅反
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SK電訊：將出資3970億韓元收購SK海力士NAND閃存解決方案公司的股份
Svmuu訊 SK 電訊：將出資 3970 億韓元收購 SK 海力士 NAND 閃存解決方案公司的股份。(金十)
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SK海力士批准投資380億美元建設新內存晶圓廠，預計2028年12月前不會投產
SK海力士董事會於8月7日批准了總計54.3萬億韓元（約合380億美元）的投資，用於建設兩座新工廠。其中，35.2萬億韓元將用於龍仁的Y2工廠，生產高帶寬內存（HBM）和下一代DRAM；其餘19.1萬億韓元將用於清州的M17工廠，生產NAND閃存。M17工廠預計2027年2月動工，首個潔淨室將於2028年12月開放；Y2工廠預計2027年7月動工，首個潔淨室將於2029年6月開放。公司表示，此項投
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據Counterpoint Research數據顯示，中國YMTC在第二季度NAND閃存芯片出貨量方面位居全球第三，市場份額達14%，超越了美光和Kioxia。
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SK海力士擬重啓中國大連第二工廠建設，將當地NAND閃存產能擴大約50%
SK海力士計劃重啓中國大連第二工廠建設，將當地NAND閃存產能擴大約50%，以加速佈局企業級存儲市場，應對人工智能數據中心需求增長。據半導體行業消息人士透露，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已於今年上半年重新啓動大連第二工廠的投資與建設工作，計劃最早於今年11月引進生產設備，並於明年上半年建立量產體系。新產線月投片產能預計約為5萬片晶圓，疊加現有大連一廠每月10萬片的產能，當地總產能將
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三星電子擴大與英偉達NAND供應合作，加速V9、V10閃存佈局
Svmuu訊 三星電子正擴大與英偉達在 NAND 閃存領域的合作，在此前已開展 DRAM、高帶寬內存（HBM）及晶圓代工合作的基礎上，進一步深化存儲芯片供應關係。據報道，三星已開始量產第十代 V-NAND（V10）並向英偉達供貨，同時擴大第九代 V-NAND（V9）產能，並推進第十一代 500 層級 V-NAND（V11）開發。據悉，三星目前已具備月產超過 10 萬片 V-NAND 的產能，其中約
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分析師：NAND閃存供應短缺或於2027年緩解
Svmuu訊 Citrini 分析師 jukan 在 X 平台發文表示，TrendForce 預計 NAND 閃存供應短缺將在 2027 年緩解。TrendForce 指出，服務器已佔 NAND 閃存總位需求的 40%以上，智能手機和筆記本電腦合計仍接近 40%，因此繼續對整體需求產生顯著影響。庫存方面，存儲製造商庫存水平仍相對較低。儘管受消費市場疲軟影響，模組廠庫存有所上升，但其他買方持有的庫存
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閃迪遭市場拋售恐慌，高盛逆勢上調目標價看好8月財報
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SK電訊：將出資3970億韓元收購SK海力士NAND閃存解決方案公司的股份
Svmuu訊 SK 電訊：將出資 3970 億韓元收購 SK 海力士 NAND 閃存解決方案公司的股份。(金十)
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