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台積電計劃於2030年前採用ASML最新的高數值孔徑（High NA）極紫外光刻（EUV）設備進行量產，而三星的目標是2028年投入使用，英特爾則已開始量產。

2026/09/08 05:35
Svmuu 編輯部
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來源：Nikkei Asia · 原文連結
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