ロイター通信によると、サムスン電子のキム・テウ執行副社長は、高帯域幅メモリ（HBM）が2027年には世界のDRAM業界のウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想されており、現在の約20%から増加すると述べた。彼は、HBMが従来のDRAMと同じウェーハ生産能力を共有しており、HBMの継続的な拡大が従来のDRAMの供給スペースをさらに圧迫すると指摘した。市場調査機関のTrendForceは、AIサーバー需要の増加に牽引され、HBMと従来のDRAMの先進プロセスおよびウェーハ生産能力を巡る競争が続くと予想している。次世代製品の歩留まりと生産量の立ち上げに時間がかかることも相まって、2027年のメモリ市場の供給は引き続き逼迫すると見られ、2027年のHBMの平均販売価格予測を上方修正し、前年比で121%の大幅な上昇を予想している。