据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，高带宽内存（HBM）预计将在2027年占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。他指出，HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产出爬坡需要时间，2027年内存市场供应料将维持偏紧态势，并已上调2027年HBM混合平均售价预测，预计同比大幅跳升121%。