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HBM
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SKハイニックスの株価は2.4%上昇した。OpenAIのCEOが韓国を訪問し、HBM供給とAIインフラについて協議したことが背景にある。
SKハイニックスの株価は2.4%上昇した。これは、OpenAIのサム・アルトマンCEOが韓国を訪問し、SKグループ幹部とHBM供給およびStargate AIインフラについて協議したと報じられたことを受けたもの。 SKハイニックスは、高帯域幅メモリ（HBM）に対する顧客の需要が既存の供給量の2倍以上であると述べた。野村證券は強気の見方を維持し、Rosenblattは最近の競争に関する懸念を否定し、
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SKハイニックスの第3四半期売上高は104兆6000億ウォンと過去最高を記録し、AIメモリの需要は2030年まで供給不足が続くと予想されています。DRAMとHBMは2029年まで完売しています。
SKハイニックスの第3四半期売上高は104兆6000億ウォンと過去最高を記録し、AIメモリの需要は2030年まで供給不足が続くと予想されています。DRAMとHBMは2029年まで完売しています。
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KeyBanc：HBMは来年第1四半期に80～100%値上がりし、DRAMとNANDの価格は第4四半期に15～20%上昇すると予想
KeyBanc Capital Marketsのアナリスト、ジョン・ヴィン氏はアジア調査レポートで、AIデータセンターの需要に牽引され、高帯域幅メモリ（HBM）価格が2027年第1四半期に前期比80%から100%上昇すると予測。DRAM価格は今年第4四半期に前期比15%から20%上昇し、NANDは約20%上昇する見込みだと指摘した。
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SKハイニックス、AIメモリー戦略を拡大、HBM以外にも推論ボトルネックの解決に注力
SKハイニックスは、AIメモリ戦略を広帯域メモリ（HBM）から新分野へと拡大しており、AIがより複雑な推論ワークロードへと移行するにつれて増大するデータボトルネックを解決するための新技術を開発している。同社のアン・ヒョン社長兼最高開発責任者（CDO）は水曜日、ソウルで開催された半導体展示会SEDEX 2026での基調講演で、同社の次世代メモリロードマップの概要を説明した。
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SKハイニックス、AIメモリ技術「MARS」と「HBF」を発表、HBFはHBMの14倍の容量
SKハイニックスは、2026年のOCPグローバルサミットで、AI推論およびトレーニングにおけるメモリボトルネックを解決することを目指し、MARSメモリ加速アーキテクチャとHBF高帯域幅フラッシュ技術を発表しました。このうち、MARSシステムは多段階AI推論シナリオにおける初回トークン生成時間（TTFT）を3～5倍向上させることができ、HBF技術はHBMレベルに近い帯域幅を維持しつつ、容量をHBMの
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サムスン電子の来年のメモリーチップ生産能力の約80%はすでに長期契約で確保されており、テクノロジー大手は残りの20%を争奪している。
韓国経済日報が今週初めに報じたところによると、サムスン電子の来年のメモリーチップ（HBMを含む）生産量の約80%は、長期供給契約を通じて買い手が確保されている。NVIDIA、Google、マイクロソフトなどの世界のテクノロジー大手は、サムスンと5年以上にわたるチップ供給契約を締結しており、まだ契約を完了していない企業は、残りの約20%の生産能力をめぐって水面下で競争している。 サムスン電子は第2四
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KB証券：サムスンHBM価格、2027年には2倍に上昇の見込み
KB証券の予測によると、業界がHBM4技術に移行し、DRAM供給が逼迫することにより、サムスン電子の高帯域幅メモリ（HBM）価格は2027年までに2倍以上になると見込まれている。これにより、メモリチップメーカーは契約価格を引き上げる余地が大きくなる。HBMは先進的なAIプロセッサの主要コンポーネントであり、成長する人工知能インフラ市場において重要なセグメントとなっている。
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ゴールドマン・サックス：外国人投資家の韓国KOSPI半導体セクターへの持ち高は過去最低水準に低下し、過去平均を2.1標準偏差下回る
ゴールドマン・サックスのデータによると、外国人投資家の韓国KOSPI半導体セクターへの持ち株比率は49.1%に低下し、過去平均を2.1標準偏差下回っており、ポジションの流出はほぼ完全にメモリチップ分野に集中しています。同時に、TrendForceは2027年にはHBMがDRAMウェーハ総投入量の30%を占めると予測しており、2026年の22%から上昇すると見ています。アナリストによる韓国テクノロジ
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サムスン幹部：2027年にはHBMがDRAM生産能力の約30%を占めると予想、従来のメモリ供給はさらに逼迫し価格を押し上げる可能性
ロイター通信によると、サムスン電子のキム・テウ執行副社長は、高帯域幅メモリ（HBM）が2027年には世界のDRAM業界のウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想されており、現在の約20%から増加すると述べた。彼は、HBMが従来のDRAMと同じウェーハ生産能力を共有しており、HBMの継続的な拡大が従来のDRAMの供給スペースをさらに圧迫すると指摘した。市場調査機関のTrendForceは、AIサー
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マイクロンは、高帯域幅メモリ（HBM）の月間生産量を、現在の4万～5万枚から2026年末までに10万枚に増やす計画だ。
同社は、AI分野におけるHBMの強力な需要に対応するため、HBM生産量を大幅に引き上げる計画です。AI分野では、HBMは効率向上と価格決定力強化に不可欠です。この動きは、マイクロンがメモリおよびストレージ製品の需要の力強い伸びと価格上昇により、粗利益率を約40%から70%以上に引き上げたことで、同社の財務実績をさらに向上させることが期待されます。
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報道によると、需要の急増とHBM不足を背景に、ファーウェイはAscend 950DT AIチップの価格を60%引き上げ、37,300ドルにした。
報道によると、需要の急増とHBM不足を背景に、ファーウェイはAscend 950DT AIチップの価格を60%引き上げ、37,300ドルにした。
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マイクロンは、年末までにHBMの月間生産能力を10万ウェハーに倍増させ、サムスンとSKハイニックスに追いつく計画です。
聯合ニュースが業界関係者の話として報じたところによると、マイクロン テクノロジーは今年末までに高帯域幅メモリ（HBM）の月間生産能力を約10万枚のウェハーに引き上げる計画で、これは昨年からほぼ倍増となる。この動きは、サムスン電子とSKハイニックスとの生産能力の差を縮め、NVIDIAの次世代AIアクセラレーターの需要に対応するため、最新世代のHBM4 12層製品の量産を加速することを目的としている。
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SKハイニックスCEO、米国製HBM製品は韓国でDRAMウェハーの生産を開始すると発言
SKハイニックスのクァク・ノジョンCEOは8月26日の起工式で、インディアナ州に40億ドル以上を投じて建設するHBM生産拠点が、初の「米国製」HBM製品のゲートウェイとなると述べた。しかし、これらの製品のDRAMウェハーは引き続き韓国工場で生産され、その後、積層、パッケージング、テストのために米国インディアナ州ウェストラファイエットに輸送される。この工場は2026年下半期に量産を開始する予定で、S
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SKハイニックスの2026年第2四半期のシリコンウェハー調達額は、AIストレージの材料調達圧力と価格上昇予想に対応するため、前期比104%増とサムスン電子を大きく上回った。
SKハイニックスの2026年第2四半期のシリコンウェハー調達額は前期比104%増と、サムスン電子を大きく上回り、AIストレージの材料準備圧力と価格上昇予想に対応しています。DIGITIMESの報道によると、この積極的な調達戦略は、将来のウェハー価格上昇圧力を緩和し、高帯域幅メモリ（HBM）および先進DRAM市場での生産能力を確保することを目的としています。同社は同時に1C DRAMの増産計画を上方
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サムスン電子は、2031年までの高帯域幅メモリ（HBM）生産能力の約70%を長期契約で確保しました。
サムスン電子は、マイクロソフト、NVIDIA、Googleなどの主要顧客との間で、2031年まで続く可能性のある長期契約を通じて、HBM生産能力の約70%を確保したと報じられている。契約価格はモジュールあたり300ドルから400ドルで、スポット市場の約2100ドルを大幅に下回る。SKハイニックスのCEOは、HBMの不足が2030年まで続く可能性があると警告しており、同社は2031年までにHBMの生
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SKハイニックスがインテルのHBMベースチップ製造ソリューションを評価しており、早ければHBM4Eからコスト削減のために採用する可能性があると報じられた。同社は、報道内容の一部が事実と異なると回答した。
韓国のヘラルド経済新聞によると、SKハイニックスは、早ければ第7世代高帯域幅メモリHBM4Eから、これまでTSMCに全量委託していたベースダイ部分の生産をインテルに委託し、マルチベンダー体制を構築する計画だ。この動きは、TSMCへの単一依存を解消するとともに、高騰し続ける原材料コストの圧力を軽減することを目的としている。業界関係者によると、TSMCが生産するHBM4のベースダイコストは、SKハイニ
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韓国のSKハイニックスは、米国で初のHBMチップパッケージング工場の建設を開始し、40億ドル以上を投資します。
インディアナ州ウェストラファイエットに位置するこのプロジェクトは、米国の顧客向けに次世代HBM4Eメモリを組み立て、AIインフラ構築を支えるための先進的なチップパッケージング施設と研究開発複合施設を含む予定です。
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分析によると、NVIDIA（エヌビディア）の決算発表後、マイクロン・テクノロジー（Micron Technology）の株価は急騰する可能性がある。
アナリストは、マイクロンテクノロジーがNVIDIAの高帯域幅メモリ（HBM）の主要サプライヤーの1つであるため、その株価パフォーマンスはNVIDIAの業績と密接に関連していると指摘しています。市場では、NVIDIAの第2四半期売上高が前年同期比97%増の921億ドルに達すると広く予想されています。NVIDIAの業績が好調であれば、AIインフラのスーパーサイクルがさらに裏付けられ、HBMとDRAMの
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サムスン、HBMの3段階ロードマップを公開。最終目標は消費電力70%削減、帯域幅230%向上を実現するzHBMアーキテクチャ
サムスンはHot Chips技術会議で、最終目標であるzHBMアーキテクチャに至るまでのHBM進化の3段階ロードマップを公開しました。このアーキテクチャは、DRAMをGPUやTPUなどの計算チップの上に直接垂直にスタックすることで、2.5Dインターポーザーを完全に排除することを目的としています。サムスンによると、zHBMソリューションは標準HBM4Eと比較して、消費電力を70%削減し、DRAM帯域
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分析によると、マイクロン（Micron）の株価は、NVIDIA（Nvidia）が8月26日に決算発表を行った後、放物線状に上昇する可能性がある。
アナリストは、マイクロンがNVIDIAのAIチップ（Vera Rubinプロセッサなど）向け高帯域幅メモリ（HBM）の主要サプライヤーであると指摘しています。NVIDIAが数兆ドル規模の受注残を抱えていることを考えると、その好調な決算とガイダンスは、AIインフラエコシステム全体に対する投資家の信頼を高め、マイクロンの株価を押し上げる可能性があります。報告書では、マイクロンの2027会計年度の収益が
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分析によると、ハイパースケーラーの設備投資がAIアクセラレーターに多く流れるため、NVIDIAは2026年のAIインフラ構築からマイクロンよりも直接的な利益を得ると考えられている。
この分析によると、ハイパースケーラー（アマゾン、マイクロソフト、Google、Meta Platformsなど）は2026年に約7,000億ドルの設備投資を行うと予想されており、その約3分の2がAIインフラに充てられます。NVIDIAはAIアクセラレーターのサプライヤーとして、この支出の最大のシェアから直接的な恩恵を受けるでしょう。マイクロンは高帯域幅メモリ（HBM）のサプライヤーとして、AIサー
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SKハイニックスは、380億ドルを投じて新たなメモリウェハー工場を建設することを承認しましたが、2028年12月までは生産開始されない見込みです。
SKハイニックスの取締役会は8月7日、総額54兆3,000億ウォン（約380億ドル）を投じて2つの新工場を建設することを承認しました。このうち、35兆2,000億ウォンは龍仁のY2工場に充てられ、高帯域幅メモリ（HBM）と次世代DRAMを生産します。残りの19兆1,000億ウォンは清州のM17工場に充てられ、NANDフラッシュメモリを生産します。M17工場は2027年2月に着工し、最初のクリーンル
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Signia Small Cap Value Strategyは、2026年上半期にHudbay Minerals (HBM) を売却し、21〜23ドルの評価目標を達成する。
Signia Capital Management傘下のSignia Small Cap Value Strategyは、第2四半期の投資家向け書簡で、鉱業会社Hudbay Minerals Inc. (NYSE:HBM)の保有ポジションを2026年上半期にすべて売却したことを開示しました。同戦略は2024年1月にHBMを約5ドルで購入し、内部評価目標に達した後、21～23ドルの価格帯で売却しまし
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ゴールドマン・サックスの専門家：HBMとDRAMの注文は2027年まで完売しているが、価格の前月比上昇率は2027年第2四半期から第3四半期にピークを迎え、緩やかに下落すると予想される
ゴールドマン・サックスの欧州TMT専門家であるショーン・ジョンストン氏は最新レポートで、HBM（高帯域幅メモリ）とDRAMの受注が2027年まで完売しており、長期契約には価格下限が設定され、粗利益率は70%台半ばから後半を維持していると指摘しました。AIの構造的需要により、供給は2028年まで引き続き逼迫すると見られています。しかし、同氏は同時に、ストレージチップの価格上昇率は減速しており、202
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SKハイニックスの株価は2.4%上昇した。OpenAIのCEOが韓国を訪問し、HBM供給とAIインフラについて協議したことが背景にある。
SKハイニックスの株価は2.4%上昇した。これは、OpenAIのサム・アルトマンCEOが韓国を訪問し、SKグループ幹部とHBM供給およびStargate AIインフラについて協議したと報じられたことを受けたもの。 SKハイニックスは、高帯域幅メモリ（HBM）に対する顧客の需要が既存の供給量の2倍以上であると述べた。野村證券は強気の見方を維持し、Rosenblattは最近の競争に関する懸念を否定し、
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SKハイニックスの第3四半期売上高は104兆6000億ウォンと過去最高を記録し、AIメモリの需要は2030年まで供給不足が続くと予想されています。DRAMとHBMは2029年まで完売しています。
SKハイニックスの第3四半期売上高は104兆6000億ウォンと過去最高を記録し、AIメモリの需要は2030年まで供給不足が続くと予想されています。DRAMとHBMは2029年まで完売しています。
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KeyBanc：HBMは来年第1四半期に80～100%値上がりし、DRAMとNANDの価格は第4四半期に15～20%上昇すると予想
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SKハイニックス、AIメモリー戦略を拡大、HBM以外にも推論ボトルネックの解決に注力
SKハイニックスは、AIメモリ戦略を広帯域メモリ（HBM）から新分野へと拡大しており、AIがより複雑な推論ワークロードへと移行するにつれて増大するデータボトルネックを解決するための新技術を開発している。同社のアン・ヒョン社長兼最高開発責任者（CDO）は水曜日、ソウルで開催された半導体展示会SEDEX 2026での基調講演で、同社の次世代メモリロードマップの概要を説明した。
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SKハイニックス、AIメモリ技術「MARS」と「HBF」を発表、HBFはHBMの14倍の容量
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サムスン電子の来年のメモリーチップ生産能力の約80%はすでに長期契約で確保されており、テクノロジー大手は残りの20%を争奪している。
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KB証券：サムスンHBM価格、2027年には2倍に上昇の見込み
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ゴールドマン・サックス：外国人投資家の韓国KOSPI半導体セクターへの持ち高は過去最低水準に低下し、過去平均を2.1標準偏差下回る
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サムスン幹部：2027年にはHBMがDRAM生産能力の約30%を占めると予想、従来のメモリ供給はさらに逼迫し価格を押し上げる可能性
ロイター通信によると、サムスン電子のキム・テウ執行副社長は、高帯域幅メモリ（HBM）が2027年には世界のDRAM業界のウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想されており、現在の約20%から増加すると述べた。彼は、HBMが従来のDRAMと同じウェーハ生産能力を共有しており、HBMの継続的な拡大が従来のDRAMの供給スペースをさらに圧迫すると指摘した。市場調査機関のTrendForceは、AIサー
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マイクロンは、高帯域幅メモリ（HBM）の月間生産量を、現在の4万～5万枚から2026年末までに10万枚に増やす計画だ。
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報道によると、需要の急増とHBM不足を背景に、ファーウェイはAscend 950DT AIチップの価格を60%引き上げ、37,300ドルにした。
報道によると、需要の急増とHBM不足を背景に、ファーウェイはAscend 950DT AIチップの価格を60%引き上げ、37,300ドルにした。
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マイクロンは、年末までにHBMの月間生産能力を10万ウェハーに倍増させ、サムスンとSKハイニックスに追いつく計画です。
聯合ニュースが業界関係者の話として報じたところによると、マイクロン テクノロジーは今年末までに高帯域幅メモリ（HBM）の月間生産能力を約10万枚のウェハーに引き上げる計画で、これは昨年からほぼ倍増となる。この動きは、サムスン電子とSKハイニックスとの生産能力の差を縮め、NVIDIAの次世代AIアクセラレーターの需要に対応するため、最新世代のHBM4 12層製品の量産を加速することを目的としている。
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SKハイニックスCEO、米国製HBM製品は韓国でDRAMウェハーの生産を開始すると発言
SKハイニックスのクァク・ノジョンCEOは8月26日の起工式で、インディアナ州に40億ドル以上を投じて建設するHBM生産拠点が、初の「米国製」HBM製品のゲートウェイとなると述べた。しかし、これらの製品のDRAMウェハーは引き続き韓国工場で生産され、その後、積層、パッケージング、テストのために米国インディアナ州ウェストラファイエットに輸送される。この工場は2026年下半期に量産を開始する予定で、S
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SKハイニックスの2026年第2四半期のシリコンウェハー調達額は、AIストレージの材料調達圧力と価格上昇予想に対応するため、前期比104%増とサムスン電子を大きく上回った。
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サムスン電子は、2031年までの高帯域幅メモリ（HBM）生産能力の約70%を長期契約で確保しました。
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韓国のヘラルド経済新聞によると、SKハイニックスは、早ければ第7世代高帯域幅メモリHBM4Eから、これまでTSMCに全量委託していたベースダイ部分の生産をインテルに委託し、マルチベンダー体制を構築する計画だ。この動きは、TSMCへの単一依存を解消するとともに、高騰し続ける原材料コストの圧力を軽減することを目的としている。業界関係者によると、TSMCが生産するHBM4のベースダイコストは、SKハイニ
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分析によると、NVIDIA（エヌビディア）の決算発表後、マイクロン・テクノロジー（Micron Technology）の株価は急騰する可能性がある。
アナリストは、マイクロンテクノロジーがNVIDIAの高帯域幅メモリ（HBM）の主要サプライヤーの1つであるため、その株価パフォーマンスはNVIDIAの業績と密接に関連していると指摘しています。市場では、NVIDIAの第2四半期売上高が前年同期比97%増の921億ドルに達すると広く予想されています。NVIDIAの業績が好調であれば、AIインフラのスーパーサイクルがさらに裏付けられ、HBMとDRAMの
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サムスン、HBMの3段階ロードマップを公開。最終目標は消費電力70%削減、帯域幅230%向上を実現するzHBMアーキテクチャ
サムスンはHot Chips技術会議で、最終目標であるzHBMアーキテクチャに至るまでのHBM進化の3段階ロードマップを公開しました。このアーキテクチャは、DRAMをGPUやTPUなどの計算チップの上に直接垂直にスタックすることで、2.5Dインターポーザーを完全に排除することを目的としています。サムスンによると、zHBMソリューションは標準HBM4Eと比較して、消費電力を70%削減し、DRAM帯域
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アナリストは、マイクロンがNVIDIAのAIチップ（Vera Rubinプロセッサなど）向け高帯域幅メモリ（HBM）の主要サプライヤーであると指摘しています。NVIDIAが数兆ドル規模の受注残を抱えていることを考えると、その好調な決算とガイダンスは、AIインフラエコシステム全体に対する投資家の信頼を高め、マイクロンの株価を押し上げる可能性があります。報告書では、マイクロンの2027会計年度の収益が
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SKハイニックスは、380億ドルを投じて新たなメモリウェハー工場を建設することを承認しましたが、2028年12月までは生産開始されない見込みです。
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