據路透社報道，三星電子執行副總裁Kim Taewoo表示，高帶寬內存（HBM）預計將在2027年佔據全球DRAM行業晶圓總產能的近30%，高於目前約20%的水平。他指出，HBM與傳統DRAM共用同一晶圓產能，HBM的持續擴張將進一步壓縮傳統DRAM的供應空間。市場研究機構TrendForce預計，受AI服務器需求增長驅動，HBM與傳統DRAM對先進製程及晶圓產能的競爭將延續，疊加次世代產品良率與產出爬坡需要時間，2027年內存市場供應料將維持偏緊態勢，並已上調2027年HBM混合平均售價預測，預計同比大幅跳升121%。