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報道：サムスン電子、来年のHBM4/HBM4E生産量を倍増か、製品構成比は40%から80%に上昇する見込み
ソウル経済新聞によると、サムスン電子は来年、HBM4およびHBM4Eの実質生産量を今年から少なくとも倍増させる計画だ。同時に、サムスンのHBM全体出荷におけるHBM4シリーズの割合は、今年の約40%から来年には約80%へと大幅に増加する見込みだ。この目標を達成するため、サムスンはHBM生産工程における主要消耗品である「ガラスキャリア」の外部委託洗浄量を、今年の月間2万枚から来年には月間5万枚へと2
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SKハイニックス、龍仁のY1ウェハー工場の設備調達を開始、来年2月に試作ラインの建設を計画
Svmuuの報道によると、SKハイニックスは韓国・龍仁にあるY1ウェハー工場のための最先端DRAM製造装置の調達を開始しており、当初の生産能力計画は月間約2万枚となっている。SKハイニックスは、Y1 Ph1の稼働開始時期を当初の来年5月から来年2月に前倒しし、来年2月に試験生産ラインの建設を開始した後、3月から4月にかけて大規模な設備設置を進める計画だ。同ファブでは、第6世代となる10ナノメートル
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報道：サムスン電子、来年のHBM4/HBM4E生産量を倍増か、製品構成比は40%から80%に上昇する見込み
ソウル経済新聞によると、サムスン電子は来年、HBM4およびHBM4Eの実質生産量を今年から少なくとも倍増させる計画だ。同時に、サムスンのHBM全体出荷におけるHBM4シリーズの割合は、今年の約40%から来年には約80%へと大幅に増加する見込みだ。この目標を達成するため、サムスンはHBM生産工程における主要消耗品である「ガラスキャリア」の外部委託洗浄量を、今年の月間2万枚から来年には月間5万枚へと2
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SKハイニックス、龍仁のY1ウェハー工場の設備調達を開始、来年2月に試作ラインの建設を計画
Svmuuの報道によると、SKハイニックスは韓国・龍仁にあるY1ウェハー工場のための最先端DRAM製造装置の調達を開始しており、当初の生産能力計画は月間約2万枚となっている。SKハイニックスは、Y1 Ph1の稼働開始時期を当初の来年5月から来年2月に前倒しし、来年2月に試験生産ラインの建設を開始した後、3月から4月にかけて大規模な設備設置を進める計画だ。同ファブでは、第6世代となる10ナノメートル
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