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HBM4E
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報道：三星電子明年HBM4/HBM4E產量或翻倍，產品佔比將從40%升至80%
據首爾經濟日報報道，三星電子計劃將HBM4及HBM4E的實際產量在明年較今年至少翻倍。同時，HBM4系列在三星HBM整體出貨中的佔比預計將從今年的約40%大幅提升至明年的約80%。為實現這一目標，三星計劃將HBM生產工藝中關鍵耗材“玻璃載板”的外包清洗量從今年每月2萬片提升至明年每月5萬片，增幅達2.5倍。三星HBM整體月均投片量預計將從今年約18萬片擴大至明年約25萬片，增幅近40%。
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SK海力士啓動龍仁Y1晶圓廠設備採購，計劃明年2月建設試產線
Svmuu訊 SK 海力士已開始為位於韓國龍仁的 Y1 晶圓廠採購先進 DRAM 製造設備，初步規劃產能約為每月 2 萬片晶圓。SK 海力士計劃將 Y1 Ph1 啓用時間從原定明年 5 月提前至 明年 2 月，並於明年 2 月啓動試生產線建設，隨後在 3 至 4 月推進大規模設備安裝。該晶圓廠目標生產第六代 10 納米級 1c DRAM，該產品將用於 AI 服務器相關 DDR、LPDDR 產品，並
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報道：三星電子明年HBM4/HBM4E產量或翻倍，產品佔比將從40%升至80%
據首爾經濟日報報道，三星電子計劃將HBM4及HBM4E的實際產量在明年較今年至少翻倍。同時，HBM4系列在三星HBM整體出貨中的佔比預計將從今年的約40%大幅提升至明年的約80%。為實現這一目標，三星計劃將HBM生產工藝中關鍵耗材“玻璃載板”的外包清洗量從今年每月2萬片提升至明年每月5萬片，增幅達2.5倍。三星HBM整體月均投片量預計將從今年約18萬片擴大至明年約25萬片，增幅近40%。
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SK海力士啓動龍仁Y1晶圓廠設備採購，計劃明年2月建設試產線
Svmuu訊 SK 海力士已開始為位於韓國龍仁的 Y1 晶圓廠採購先進 DRAM 製造設備，初步規劃產能約為每月 2 萬片晶圓。SK 海力士計劃將 Y1 Ph1 啓用時間從原定明年 5 月提前至 明年 2 月，並於明年 2 月啓動試生產線建設，隨後在 3 至 4 月推進大規模設備安裝。該晶圓廠目標生產第六代 10 納米級 1c DRAM，該產品將用於 AI 服務器相關 DDR、LPDDR 產品，並
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