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HBM4E
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报道：三星电子明年HBM4/HBM4E产量或翻倍，产品占比将从40%升至80%
据首尔经济日报报道，三星电子计划将HBM4及HBM4E的实际产量在明年较今年至少翻倍。同时，HBM4系列在三星HBM整体出货中的占比预计将从今年的约40%大幅提升至明年的约80%。为实现这一目标，三星计划将HBM生产工艺中关键耗材“玻璃载板”的外包清洗量从今年每月2万片提升至明年每月5万片，增幅达2.5倍。三星HBM整体月均投片量预计将从今年约18万片扩大至明年约25万片，增幅近40%。
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SK海力士启动龙仁Y1晶圆厂设备采购，计划明年2月建设试产线
Svmuu讯 SK 海力士已开始为位于韩国龙仁的 Y1 晶圆厂采购先进 DRAM 制造设备，初步规划产能约为每月 2 万片晶圆。SK 海力士计划将 Y1 Ph1 启用时间从原定明年 5 月提前至 明年 2 月，并于明年 2 月启动试生产线建设，随后在 3 至 4 月推进大规模设备安装。该晶圆厂目标生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，该产品将用于 AI 服务器相关 DDR、LPDDR 产品，并
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报道：三星电子明年HBM4/HBM4E产量或翻倍，产品占比将从40%升至80%
据首尔经济日报报道，三星电子计划将HBM4及HBM4E的实际产量在明年较今年至少翻倍。同时，HBM4系列在三星HBM整体出货中的占比预计将从今年的约40%大幅提升至明年的约80%。为实现这一目标，三星计划将HBM生产工艺中关键耗材“玻璃载板”的外包清洗量从今年每月2万片提升至明年每月5万片，增幅达2.5倍。三星HBM整体月均投片量预计将从今年约18万片扩大至明年约25万片，增幅近40%。
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SK海力士启动龙仁Y1晶圆厂设备采购，计划明年2月建设试产线
Svmuu讯 SK 海力士已开始为位于韩国龙仁的 Y1 晶圆厂采购先进 DRAM 制造设备，初步规划产能约为每月 2 万片晶圆。SK 海力士计划将 Y1 Ph1 启用时间从原定明年 5 月提前至 明年 2 月，并于明年 2 月启动试生产线建设，随后在 3 至 4 月推进大规模设备安装。该晶圆厂目标生产第六代 10 纳米级 1c DRAM，该产品将用于 AI 服务器相关 DDR、LPDDR 产品，并
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