현지 시간 8월 4일, 삼성전자는 연례 스토리지 산업 서밋(FMS)에서 여러 첨단 메모리 기술을 공식 발표했습니다. 그중 zHBM은 고대역폭 메모리(HBM)를 AI 가속기 칩 위에 직접 수직으로 쌓는 개념 제품으로, 차세대 HBM5보다 8배 빠른 성능, 10배 이상의 메모리 밀도, 3배 향상된 전력 효율을 목표로 하며, 2029년경 양산을 목표로 하고 있습니다. 또한 삼성은 엣지 AI를 위한 고대역폭 플래시 메모리 솔루션인 zNAND-O를 2028년 양산할 계획이며, 업계 최초로 웨이퍼 본딩 기술을 적용하여 400층 이상 쌓은 V10 BV-NAND도 선보였습니다. 삼성은 이러한 혁신이 SK하이닉스와 마이크론 테크놀로지를 넘어 AI 기술 분야에서 경쟁력을 높이기 위한 것이라고 밝혔습니다.