当地时间8月4日，三星电子在年度存储行业峰会（FMS）上，正式发布了多项前沿内存技术。其中，zHBM是一种将高带宽内存（HBM）直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上的概念产品，预计性能可达下一代HBM5的8倍，内存密度是HBM5的10倍以上，能效提升3倍，目标量产时间为2029年前后。此外，三星还推出了面向边缘AI的高带宽闪存方案zNAND-O，计划于2028年量产；以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。三星表示，这些创新旨在提升其在AI技术领域的竞争力，超越SK海力士和美光科技。