現地時間8月4日、サムスン電子は年次メモリ産業サミット（FMS）で、複数の最先端メモリ技術を正式に発表しました。その中で、zHBMは高帯域幅メモリ（HBM）をAIアクセラレータチップの上に直接垂直に積層するコンセプト製品で、次世代HBM5の8倍の性能、10倍以上のメモリ密度、3倍の電力効率が期待されており、2029年前後の量産を目指しています。さらに、サムスンはエッジAI向けの高帯域幅フラッシュメモリソリューションであるzNAND-Oも発表し、2028年の量産を計画しています。また、業界初のウェハーボンディング技術を採用し、400層を超える積層数を実現したV10 BV-NANDも発表しました。サムスンは、これらのイノベーションがAI技術分野における競争力を高め、SKハイニックスとマイクロンテクノロジーを凌駕することを目的としていると述べています。