當地時間8月4日，三星電子在年度存儲行業峯會（FMS）上，正式發佈了多項前沿內存技術。其中，zHBM是一種將高帶寬內存（HBM）直接垂直堆疊於AI加速器芯片之上的概念產品，預計性能可達下一代HBM5的8倍，內存密度是HBM5的10倍以上，能效提升3倍，目標量產時間為2029年前後。此外，三星還推出了面向邊緣AI的高帶寬閃存方案zNAND-O，計劃於2028年量產；以及業界首款採用晶圓鍵合技術、堆疊層數超過400層的V10 BV-NAND。三星表示，這些創新旨在提升其在AI技術領域的競爭力，超越SK海力士和美光科技。