英特尔技术负责人近日表示，到2045年，芯片将继续向三维堆叠方向发展，晶体管、连线和芯片间连接都将向上堆叠，以提升性能。然而，每种新结构需约十年时间消化散热和集成难题。英特尔CTO Pushkar Ranade估算，现有全球设备仅够将先进制程晶圆产量翻一倍，远低于AI算力十年增长三倍的需求。他指出，设备订单需18个月才能到货，新建晶圆厂则要到本十年末才能完成，且晶圆厂成本每4到5年翻一番，High-NA光刻机及配套设备约4亿美元。英特尔已从10纳米制程的教训中吸取经验，未来节点将限制创新数量，并为新技术设置“阶段门”以确保进度可预期。公司认为在技术上已与台积电接近，但仍需追赶规模。