英特爾技術負責人近日表示，到2045年，芯片將繼續向三維堆疊方向發展，晶體管、連線和芯片間連接都將向上堆疊，以提升性能。然而，每種新結構需約十年時間消化散熱和集成難題。英特爾CTO Pushkar Ranade估算，現有全球設備僅夠將先進製程晶圓產量翻一倍，遠低於AI算力十年增長三倍的需求。他指出，設備訂單需18個月才能到貨，新建晶圓廠則要到本十年末才能完成，且晶圓廠成本每4到5年翻一番，High-NA光刻機及配套設備約4億美元。英特爾已從10納米制程的教訓中吸取經驗，未來節點將限制創新數量，併為新技術設置“階段門”以確保進度可預期。公司認為在技術上已與台積電接近，但仍需追趕規模。