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NAND闪存
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SK海力士批准投资380亿美元建设新内存晶圆厂，预计2028年12月前不会投产
SK海力士董事会于8月7日批准了总计54.3万亿韩元（约合380亿美元）的投资，用于建设两座新工厂。其中，35.2万亿韩元将用于龙仁的Y2工厂，生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM；其余19.1万亿韩元将用于清州的M17工厂，生产NAND闪存。M17工厂预计2027年2月动工，首个洁净室将于2028年12月开放；Y2工厂预计2027年7月动工，首个洁净室将于2029年6月开放。公司表示，此项投
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据Counterpoint Research数据显示，中国YMTC在第二季度NAND闪存芯片出货量方面位居全球第三，市场份额达14%，超越了美光和Kioxia。
据Counterpoint Research数据显示，中国YMTC在第二季度NAND闪存芯片出货量方面位居全球第三，市场份额达14%，超越了美光和Kioxia。
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SK海力士拟重启中国大连第二工厂建设，将当地NAND闪存产能扩大约50%
SK海力士计划重启中国大连第二工厂建设，将当地NAND闪存产能扩大约50%，以加速布局企业级存储市场，应对人工智能数据中心需求增长。据半导体行业消息人士透露，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已于今年上半年重新启动大连第二工厂的投资与建设工作，计划最早于今年11月引进生产设备，并于明年上半年建立量产体系。新产线月投片产能预计约为5万片晶圆，叠加现有大连一厂每月10万片的产能，当地总产能将
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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局
Svmuu讯 三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作，在此前已开展 DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代 V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代 V-NAND（V9）产能，并推进第十一代 500 层级 V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过 10 万片 V-NAND 的产能，其中约
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分析师：NAND闪存供应短缺或于2027年缓解
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，TrendForce 预计 NAND 闪存供应短缺将在 2027 年缓解。TrendForce 指出，服务器已占 NAND 闪存总位需求的 40%以上，智能手机和笔记本电脑合计仍接近 40%，因此继续对整体需求产生显著影响。库存方面，存储制造商库存水平仍相对较低。尽管受消费市场疲软影响，模组厂库存有所上升，但其他买方持有的库存
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闪迪遭市场抛售恐慌，高盛逆势上调目标价看好8月财报
Svmuu讯 高盛在研报中明确预测，闪迪即将于 8 月 5 日公布的 2026 财年第四季度业绩将是一个"非常强劲的季度"。全球 NAND 闪存芯片的供应短缺状况将在 2026 年持续，移动端、PC 端和数据中心端需求同步复苏，而产能受高端 AI 存储赛道挤压，常规产品供给不足，市场价格保持攀升趋势。高盛将闪迪的目标价从 1200 美元上调至 2200 美元，并重申“买入”评级，这一激进调整不仅反
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SK电讯：将出资3970亿韩元收购SK海力士NAND闪存解决方案公司的股份
Svmuu讯 SK 电讯：将出资 3970 亿韩元收购 SK 海力士 NAND 闪存解决方案公司的股份。(金十)
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SK海力士批准投资380亿美元建设新内存晶圆厂，预计2028年12月前不会投产
SK海力士董事会于8月7日批准了总计54.3万亿韩元（约合380亿美元）的投资，用于建设两座新工厂。其中，35.2万亿韩元将用于龙仁的Y2工厂，生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM；其余19.1万亿韩元将用于清州的M17工厂，生产NAND闪存。M17工厂预计2027年2月动工，首个洁净室将于2028年12月开放；Y2工厂预计2027年7月动工，首个洁净室将于2029年6月开放。公司表示，此项投
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据Counterpoint Research数据显示，中国YMTC在第二季度NAND闪存芯片出货量方面位居全球第三，市场份额达14%，超越了美光和Kioxia。
据Counterpoint Research数据显示，中国YMTC在第二季度NAND闪存芯片出货量方面位居全球第三，市场份额达14%，超越了美光和Kioxia。
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SK海力士拟重启中国大连第二工厂建设，将当地NAND闪存产能扩大约50%
SK海力士计划重启中国大连第二工厂建设，将当地NAND闪存产能扩大约50%，以加速布局企业级存储市场，应对人工智能数据中心需求增长。据半导体行业消息人士透露，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已于今年上半年重新启动大连第二工厂的投资与建设工作，计划最早于今年11月引进生产设备，并于明年上半年建立量产体系。新产线月投片产能预计约为5万片晶圆，叠加现有大连一厂每月10万片的产能，当地总产能将
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三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局
Svmuu讯 三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作，在此前已开展 DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代 V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代 V-NAND（V9）产能，并推进第十一代 500 层级 V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过 10 万片 V-NAND 的产能，其中约
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分析师：NAND闪存供应短缺或于2027年缓解
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，TrendForce 预计 NAND 闪存供应短缺将在 2027 年缓解。TrendForce 指出，服务器已占 NAND 闪存总位需求的 40%以上，智能手机和笔记本电脑合计仍接近 40%，因此继续对整体需求产生显著影响。库存方面，存储制造商库存水平仍相对较低。尽管受消费市场疲软影响，模组厂库存有所上升，但其他买方持有的库存
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闪迪遭市场抛售恐慌，高盛逆势上调目标价看好8月财报
Svmuu讯 高盛在研报中明确预测，闪迪即将于 8 月 5 日公布的 2026 财年第四季度业绩将是一个"非常强劲的季度"。全球 NAND 闪存芯片的供应短缺状况将在 2026 年持续，移动端、PC 端和数据中心端需求同步复苏，而产能受高端 AI 存储赛道挤压，常规产品供给不足，市场价格保持攀升趋势。高盛将闪迪的目标价从 1200 美元上调至 2200 美元，并重申“买入”评级，这一激进调整不仅反
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SK电讯：将出资3970亿韩元收购SK海力士NAND闪存解决方案公司的股份
Svmuu讯 SK 电讯：将出资 3970 亿韩元收购 SK 海力士 NAND 闪存解决方案公司的股份。(金十)
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