更快的全球财经新闻！
HBM
-
SK海力士股价上涨2.4%，此前OpenAI CEO访问韩国讨论HBM供应和AI基础设施
SK海力士股价上涨2.4%，此前OpenAI CEO Sam Altman据报访问韩国，与SK集团高管讨论HBM供应和Stargate AI基础设施。 SK海力士表示，客户对其高带宽内存（HBM）的需求是现有供应量的两倍多。野村证券维持看涨立场，罗森布拉特重申“买入”评级，驳斥了近期有关竞争的担忧。此外，有报道称，SK海力士可能派发120亿美元的特别股息，这与Kioxia投资收益有关。
-
SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年
SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年
-
KeyBanc：预计HBM明年Q1涨价80%-100%，DRAM和NAND价格Q4涨15%-20%
KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在亚洲调研报告中指出，受AI数据中心需求驱动，高带宽内存（HBM）价格预计将在2027年第一季度环比上涨80%至100%，DRAM价格今年第四季度将环比上涨15%至20%，NAND涨幅约为20%。
-
SK海力士拓展AI内存战略，HBM之外发力解决推理瓶颈
SK海力士正将其AI内存战略从高带宽内存（HBM）拓展至新领域，开发新技术以解决随着人工智能转向更复杂的推理工作负载而日益增长的数据瓶颈。公司总裁兼首席开发官Ahn Hyun周三在首尔举行的半导体展会SEDEX 2026上发表主旨演讲时，概述了公司的下一代内存路线图。
-
SK海力士发布MARS和HBF两大AI内存技术，HBF容量达HBM 14倍
SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布了MARS内存加速架构和HBF高带宽闪存技术，旨在解决AI推理与训练中的内存瓶颈。其中，MARS系统可将多轮AI推理场景中的首次标记时间（TTFT）提升3至5倍，而HBF技术在保持接近HBM级别带宽的同时，将容量扩展至HBM的14倍，并计划于2028年初推出样品。这两项技术标志着SK海力士在HBM主赛道之外开辟差异化路线，有望对AI存储架构和存储产业链竞争
-
三星电子明年约80%存储芯片产能已被长协锁定，科技巨头争抢剩余20%
据韩国经济日报本周稍早前报道，三星电子明年约80%的存储芯片（含高带宽内存HBM）产量已通过长期供应协议锁定买家。英伟达、谷歌、微软等全球科技巨头已与三星签署覆盖逾五年的芯片供应协议，尚未完成签约的企业正在暗中角力，争夺剩余约20%的产能。 三星电子在二季度业绩电话会议上表示，几乎所有主要客户都在申请长协，并坦言难以响应所有需求。这一趋势已从存储芯片蔓延至AI基础设施全产业链，涵盖多层陶瓷电容（M
-
KB证券：三星HBM价格预计2027年将翻倍
据KB证券预测，受行业转向HBM4技术和DRAM供应紧张的推动，三星电子的高带宽存储器（HBM）价格预计将在2027年翻倍以上。这将为存储芯片制造商提供更大的合同价格上调空间。HBM是先进AI处理器中的关键组件，使其成为不断增长的人工智能基础设施市场中的重要细分领域。
-
高盛：外资对韩国KOSPI半导体板块持仓降至历史低位，较历史均值低2.1个标准差
据高盛数据，外资对韩国KOSPI半导体板块的持仓比例已降至49.1%，较历史均值低2.1个标准差，且仓位流失几乎完全集中于存储芯片领域。与此同时，TrendForce预计2027年HBM将占据DRAM晶圆总投入的30%，高于2026年的22%，分析师对韩国科技板块2027年每股盈利共识预期在过去六个月内上调幅度高达122%。市场对存储周期见顶的担忧与盈利预测持续上修形成罕见分歧，当前韩国半导体板块
-
三星高管：预计2027年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧并推高价格
据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，高带宽内存（HBM）预计将在2027年占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。他指出，HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产
-
美光计划到2026年底将高带宽内存（HBM）的月产量从目前的4万至5万片提高到10万片。
该公司计划大幅提升其HBM产量，以满足人工智能（AI）领域的强劲需求——在该领域，HBM对于提升效率和增强定价能力至关重要。 此举有望进一步提升美光的财务表现——得益于其内存和存储产品需求的强劲增长以及价格上涨，美光的毛利率已从约40%升至70%以上。
-
据报道，在需求激增和HBM短缺的背景下，华为将Ascend 950DT AI芯片的价格上调了60%，至37,300美元
据报道，在需求激增和HBM短缺的背景下，华为将Ascend 950DT AI芯片的价格上调了60%，至37,300美元
-
美光计划年底前将HBM月产能翻倍至10万片晶圆，以追赶三星、SK海力士
据韩联社援引业内知情人士透露，美光科技计划在今年年底前将其高带宽内存（HBM）月产能提升至约10万片晶圆，较去年增幅接近一倍。此举旨在缩小与三星电子和SK海力士的产能差距，并加速推进最新一代HBM4 12层产品的量产，以匹配英伟达新一代AI加速器的需求。目前美光HBM市场份额为18%，三星和SK海力士的月产能约为15-20万片。
-
海力士CEO称其“美国制造”HBM产品将从韩国开始生产DRAM晶圆
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基仪式上表示，公司在印第安纳州投资超40亿美元建设的HBM生产基地将成为首批“美国制造”HBM产品的门户。然而，这些产品的DRAM晶圆仍将在韩国工厂生产，随后运往美国印第安纳州西拉斐特进行堆叠、封装和测试。该工厂预计将于2026年下半年开始大规模生产，这是海力士在美国的首个HBM生产基地。
-
SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期
SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期。据DIGITIMES报道，这一激进采购策略旨在平抑未来晶圆涨价压力，并确保其在高带宽内存（HBM）及先进DRAM市场的产能释放。公司同时上调了1C DRAM扩产计划，并计划投资40亿美元在美国印第安纳州建设下一代HBM封装工厂，以支持HBM4生产。此外，SK海力士还默许部分核心设备供应商提价
-
三星电子已通过长期协议锁定其约70%的高带宽内存(HBM)产能至2031年
据报道，三星电子已通过与微软、英伟达和谷歌等主要客户签订的长期协议，锁定其约70%的HBM产能，这些协议可能持续到2031年。协议价格为每模块300至400美元，远低于现货市场约2100美元的价格。SK海力士首席执行官警告称，HBM短缺可能持续到2030年，该公司已承诺到2031年投资383亿美元用于HBM扩产。
-
SK海力士被曝正评估英特尔代工HBM基础芯片方案，最早或从HBM4E开始以降低成本；公司回应称部分内容与事实不符
据韩国《先驱经济》报道，SK海力士计划最早从第七代高带宽内存HBM4E起，将此前全部委托台积电生产的基础芯片（Base Die）部分转交英特尔代工，构建多供应商体系。此举旨在打破对台积电的单一依赖，同时缓解持续攀升的原材料成本压力。业内人士透露，台积电生产的HBM4基础芯片成本比SK海力士自身核心芯片高出3至4倍。SK海力士方面对此回应称，有关公司技术路线图的相关内容难以确认，并表示“部分内容与事
-
韩国SK海力士在美启动首座HBM芯片封装厂建设，投资超40亿美元
该项目位于印第安纳州西拉法叶，将包括先进芯片封装设施和研发综合体，用于为美国客户组装下一代HBM4E内存，以支撑人工智能基础设施建设。
-
分析认为，英伟达（Nvidia）财报发布后，美光科技（Micron Technology）股价有望飙升
分析指出，美光科技作为英伟达高带宽内存（HBM）的关键供应商之一，其股价表现与英伟达的业绩紧密相关。市场普遍预计英伟达第二季度营收将达921亿美元，同比增长97%。若英伟达业绩强劲，将进一步验证AI基础设施超级周期，并推高HBM及DRAM的合约价格，从而利好美光科技的营收增长和利润扩张。美光科技的HBM和DRAM产量已售罄，新产能正在上线，其股价在近期盘整后，有望在英伟达财报公布后迎来上涨。
-
三星披露HBM三阶段路线图，终极目标zHBM架构可实现功耗降低70%、带宽提升230%
三星在Hot Chips技术大会上披露了其HBM演进的三阶段路线图，最终目标是zHBM架构。该架构旨在将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。三星表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案可实现70%的功耗降低和230%的DRAM带宽提升。路线图分三阶段：第一阶段侧重通过制程升级为计算芯片释放硅面积；第二阶段在Base Die上集成内存扩展控制器和处理单元；第三
-
分析认为，美光(Micron)股价可能在英伟达(Nvidia)8月26日发布财报后出现抛物线式上涨
分析指出，美光是英伟达AI芯片（如Vera Rubin处理器）高带宽内存(HBM)的关键供应商。鉴于英伟达拥有万亿美元的订单储备，其强劲的财报和指引有望提振投资者对整个AI基础设施生态系统的信心，从而推动美光股价上涨。报告预计美光2027财年收益将增长111%至每股154.89美元，股价可能达到2,323美元。
-
分析认为英伟达将比美光从2026年AI基础设施建设中获得更直接的收益，因超大规模厂商资本支出更多流向其AI加速器
该分析指出，超大规模厂商（如亚马逊、微软、谷歌和Meta Platforms）预计2026年将投入约7000亿美元资本支出，其中约三分之二用于AI基础设施。英伟达作为AI加速器供应商，将直接受益于其中最大份额的支出。美光则作为高带宽内存（HBM）供应商，是AI服务器不可或缺的组成部分，预计HBM市场将从2025年的350亿美元增长到2028年的1000亿美元，美光已锁定2026年所有HBM产品的价
-
SK海力士批准投资380亿美元建设新内存晶圆厂，预计2028年12月前不会投产
SK海力士董事会于8月7日批准了总计54.3万亿韩元（约合380亿美元）的投资，用于建设两座新工厂。其中，35.2万亿韩元将用于龙仁的Y2工厂，生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM；其余19.1万亿韩元将用于清州的M17工厂，生产NAND闪存。M17工厂预计2027年2月动工，首个洁净室将于2028年12月开放；Y2工厂预计2027年7月动工，首个洁净室将于2029年6月开放。公司表示，此项投
-
Signia Small Cap Value Strategy在2026年上半年出售Hudbay Minerals (HBM)，实现21-23美元的估值目标
Signia Capital Management旗下Signia Small Cap Value Strategy在第二季度投资者信中披露，该策略已于2026年上半年清仓其在矿业公司Hudbay Minerals Inc. (NYSE:HBM)的头寸。该策略于2024年1月以约5美元的价格买入HBM，并在达到内部估值目标后，以21-23美元的价格区间出售。截至2026年8月11日，HBM股价报2
-
高盛专家：HBM和DRAM订单已售罄至2027年，但价格环比涨幅预计在2027年Q2-Q3见顶并温和回落
高盛欧洲TMT专家Sean Johnstone在最新报告中指出，HBM（高带宽内存）和DRAM订单已售罄至2027年，长期协议设有价格下限，毛利率仍维持在70%中高段水平，AI结构性需求将供给持续压紧至2028年。然而，他同时表示，存储芯片价格环比涨幅已在减速，预计将在2027年二季度至三季度见顶，随后可能出现温和小幅回落。英伟达下一代“Vera Rubin”超级芯片中存储成本已占整体物料清单约6
-
SK海力士股价上涨2.4%，此前OpenAI CEO访问韩国讨论HBM供应和AI基础设施
SK海力士股价上涨2.4%，此前OpenAI CEO Sam Altman据报访问韩国，与SK集团高管讨论HBM供应和Stargate AI基础设施。 SK海力士表示，客户对其高带宽内存（HBM）的需求是现有供应量的两倍多。野村证券维持看涨立场，罗森布拉特重申“买入”评级，驳斥了近期有关竞争的担忧。此外，有报道称，SK海力士可能派发120亿美元的特别股息，这与Kioxia投资收益有关。
-
SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年
SK海力士第三季度营收达104.6万亿韩元创纪录，预计AI内存需求到2030年将供不应求；DRAM和HBM已售罄至2029年
-
KeyBanc：预计HBM明年Q1涨价80%-100%，DRAM和NAND价格Q4涨15%-20%
KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh在亚洲调研报告中指出，受AI数据中心需求驱动，高带宽内存（HBM）价格预计将在2027年第一季度环比上涨80%至100%，DRAM价格今年第四季度将环比上涨15%至20%，NAND涨幅约为20%。
-
SK海力士拓展AI内存战略，HBM之外发力解决推理瓶颈
SK海力士正将其AI内存战略从高带宽内存（HBM）拓展至新领域，开发新技术以解决随着人工智能转向更复杂的推理工作负载而日益增长的数据瓶颈。公司总裁兼首席开发官Ahn Hyun周三在首尔举行的半导体展会SEDEX 2026上发表主旨演讲时，概述了公司的下一代内存路线图。
-
SK海力士发布MARS和HBF两大AI内存技术，HBF容量达HBM 14倍
SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布了MARS内存加速架构和HBF高带宽闪存技术，旨在解决AI推理与训练中的内存瓶颈。其中，MARS系统可将多轮AI推理场景中的首次标记时间（TTFT）提升3至5倍，而HBF技术在保持接近HBM级别带宽的同时，将容量扩展至HBM的14倍，并计划于2028年初推出样品。这两项技术标志着SK海力士在HBM主赛道之外开辟差异化路线，有望对AI存储架构和存储产业链竞争
-
三星电子明年约80%存储芯片产能已被长协锁定，科技巨头争抢剩余20%
据韩国经济日报本周稍早前报道，三星电子明年约80%的存储芯片（含高带宽内存HBM）产量已通过长期供应协议锁定买家。英伟达、谷歌、微软等全球科技巨头已与三星签署覆盖逾五年的芯片供应协议，尚未完成签约的企业正在暗中角力，争夺剩余约20%的产能。 三星电子在二季度业绩电话会议上表示，几乎所有主要客户都在申请长协，并坦言难以响应所有需求。这一趋势已从存储芯片蔓延至AI基础设施全产业链，涵盖多层陶瓷电容（M
-
KB证券：三星HBM价格预计2027年将翻倍
据KB证券预测，受行业转向HBM4技术和DRAM供应紧张的推动，三星电子的高带宽存储器（HBM）价格预计将在2027年翻倍以上。这将为存储芯片制造商提供更大的合同价格上调空间。HBM是先进AI处理器中的关键组件，使其成为不断增长的人工智能基础设施市场中的重要细分领域。
-
高盛：外资对韩国KOSPI半导体板块持仓降至历史低位，较历史均值低2.1个标准差
据高盛数据，外资对韩国KOSPI半导体板块的持仓比例已降至49.1%，较历史均值低2.1个标准差，且仓位流失几乎完全集中于存储芯片领域。与此同时，TrendForce预计2027年HBM将占据DRAM晶圆总投入的30%，高于2026年的22%，分析师对韩国科技板块2027年每股盈利共识预期在过去六个月内上调幅度高达122%。市场对存储周期见顶的担忧与盈利预测持续上修形成罕见分歧，当前韩国半导体板块
-
三星高管：预计2027年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧并推高价格
据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，高带宽内存（HBM）预计将在2027年占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。他指出，HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产
-
美光计划到2026年底将高带宽内存（HBM）的月产量从目前的4万至5万片提高到10万片。
该公司计划大幅提升其HBM产量，以满足人工智能（AI）领域的强劲需求——在该领域，HBM对于提升效率和增强定价能力至关重要。 此举有望进一步提升美光的财务表现——得益于其内存和存储产品需求的强劲增长以及价格上涨，美光的毛利率已从约40%升至70%以上。
-
据报道，在需求激增和HBM短缺的背景下，华为将Ascend 950DT AI芯片的价格上调了60%，至37,300美元
据报道，在需求激增和HBM短缺的背景下，华为将Ascend 950DT AI芯片的价格上调了60%，至37,300美元
-
美光计划年底前将HBM月产能翻倍至10万片晶圆，以追赶三星、SK海力士
据韩联社援引业内知情人士透露，美光科技计划在今年年底前将其高带宽内存（HBM）月产能提升至约10万片晶圆，较去年增幅接近一倍。此举旨在缩小与三星电子和SK海力士的产能差距，并加速推进最新一代HBM4 12层产品的量产，以匹配英伟达新一代AI加速器的需求。目前美光HBM市场份额为18%，三星和SK海力士的月产能约为15-20万片。
-
海力士CEO称其“美国制造”HBM产品将从韩国开始生产DRAM晶圆
海力士CEO Kwak Noh-jung在8月26日的奠基仪式上表示，公司在印第安纳州投资超40亿美元建设的HBM生产基地将成为首批“美国制造”HBM产品的门户。然而，这些产品的DRAM晶圆仍将在韩国工厂生产，随后运往美国印第安纳州西拉斐特进行堆叠、封装和测试。该工厂预计将于2026年下半年开始大规模生产，这是海力士在美国的首个HBM生产基地。
-
SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期
SK海力士2026年第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，远超三星电子，以应对AI存储备料压力及涨价预期。据DIGITIMES报道，这一激进采购策略旨在平抑未来晶圆涨价压力，并确保其在高带宽内存（HBM）及先进DRAM市场的产能释放。公司同时上调了1C DRAM扩产计划，并计划投资40亿美元在美国印第安纳州建设下一代HBM封装工厂，以支持HBM4生产。此外，SK海力士还默许部分核心设备供应商提价
-
三星电子已通过长期协议锁定其约70%的高带宽内存(HBM)产能至2031年
据报道，三星电子已通过与微软、英伟达和谷歌等主要客户签订的长期协议，锁定其约70%的HBM产能，这些协议可能持续到2031年。协议价格为每模块300至400美元，远低于现货市场约2100美元的价格。SK海力士首席执行官警告称，HBM短缺可能持续到2030年，该公司已承诺到2031年投资383亿美元用于HBM扩产。
-
SK海力士被曝正评估英特尔代工HBM基础芯片方案，最早或从HBM4E开始以降低成本；公司回应称部分内容与事实不符
据韩国《先驱经济》报道，SK海力士计划最早从第七代高带宽内存HBM4E起，将此前全部委托台积电生产的基础芯片（Base Die）部分转交英特尔代工，构建多供应商体系。此举旨在打破对台积电的单一依赖，同时缓解持续攀升的原材料成本压力。业内人士透露，台积电生产的HBM4基础芯片成本比SK海力士自身核心芯片高出3至4倍。SK海力士方面对此回应称，有关公司技术路线图的相关内容难以确认，并表示“部分内容与事
-
韩国SK海力士在美启动首座HBM芯片封装厂建设，投资超40亿美元
该项目位于印第安纳州西拉法叶，将包括先进芯片封装设施和研发综合体，用于为美国客户组装下一代HBM4E内存，以支撑人工智能基础设施建设。
-
分析认为，英伟达（Nvidia）财报发布后，美光科技（Micron Technology）股价有望飙升
分析指出，美光科技作为英伟达高带宽内存（HBM）的关键供应商之一，其股价表现与英伟达的业绩紧密相关。市场普遍预计英伟达第二季度营收将达921亿美元，同比增长97%。若英伟达业绩强劲，将进一步验证AI基础设施超级周期，并推高HBM及DRAM的合约价格，从而利好美光科技的营收增长和利润扩张。美光科技的HBM和DRAM产量已售罄，新产能正在上线，其股价在近期盘整后，有望在英伟达财报公布后迎来上涨。
-
三星披露HBM三阶段路线图，终极目标zHBM架构可实现功耗降低70%、带宽提升230%
三星在Hot Chips技术大会上披露了其HBM演进的三阶段路线图，最终目标是zHBM架构。该架构旨在将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。三星表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案可实现70%的功耗降低和230%的DRAM带宽提升。路线图分三阶段：第一阶段侧重通过制程升级为计算芯片释放硅面积；第二阶段在Base Die上集成内存扩展控制器和处理单元；第三
-
分析认为，美光(Micron)股价可能在英伟达(Nvidia)8月26日发布财报后出现抛物线式上涨
分析指出，美光是英伟达AI芯片（如Vera Rubin处理器）高带宽内存(HBM)的关键供应商。鉴于英伟达拥有万亿美元的订单储备，其强劲的财报和指引有望提振投资者对整个AI基础设施生态系统的信心，从而推动美光股价上涨。报告预计美光2027财年收益将增长111%至每股154.89美元，股价可能达到2,323美元。
-
分析认为英伟达将比美光从2026年AI基础设施建设中获得更直接的收益，因超大规模厂商资本支出更多流向其AI加速器
该分析指出，超大规模厂商（如亚马逊、微软、谷歌和Meta Platforms）预计2026年将投入约7000亿美元资本支出，其中约三分之二用于AI基础设施。英伟达作为AI加速器供应商，将直接受益于其中最大份额的支出。美光则作为高带宽内存（HBM）供应商，是AI服务器不可或缺的组成部分，预计HBM市场将从2025年的350亿美元增长到2028年的1000亿美元，美光已锁定2026年所有HBM产品的价
-
SK海力士批准投资380亿美元建设新内存晶圆厂，预计2028年12月前不会投产
SK海力士董事会于8月7日批准了总计54.3万亿韩元（约合380亿美元）的投资，用于建设两座新工厂。其中，35.2万亿韩元将用于龙仁的Y2工厂，生产高带宽内存（HBM）和下一代DRAM；其余19.1万亿韩元将用于清州的M17工厂，生产NAND闪存。M17工厂预计2027年2月动工，首个洁净室将于2028年12月开放；Y2工厂预计2027年7月动工，首个洁净室将于2029年6月开放。公司表示，此项投
-
Signia Small Cap Value Strategy在2026年上半年出售Hudbay Minerals (HBM)，实现21-23美元的估值目标
Signia Capital Management旗下Signia Small Cap Value Strategy在第二季度投资者信中披露，该策略已于2026年上半年清仓其在矿业公司Hudbay Minerals Inc. (NYSE:HBM)的头寸。该策略于2024年1月以约5美元的价格买入HBM，并在达到内部估值目标后，以21-23美元的价格区间出售。截至2026年8月11日，HBM股价报2
-
高盛专家：HBM和DRAM订单已售罄至2027年，但价格环比涨幅预计在2027年Q2-Q3见顶并温和回落
高盛欧洲TMT专家Sean Johnstone在最新报告中指出，HBM（高带宽内存）和DRAM订单已售罄至2027年，长期协议设有价格下限，毛利率仍维持在70%中高段水平，AI结构性需求将供给持续压紧至2028年。然而，他同时表示，存储芯片价格环比涨幅已在减速，预计将在2027年二季度至三季度见顶，随后可能出现温和小幅回落。英伟达下一代“Vera Rubin”超级芯片中存储成本已占整体物料清单约6
- 暂无数据
HBM
24小时热榜
-
1
SK海力士较前收下跌5.15%，现报₩1,326,000
-
2
FRUIT币（FRTS）交易指南：了解其上线交易所与购买流程
-
3
PSB币：Planet Sandbox项目解析与市场现状
-
4
链上调查员ZachXBT披露：法国银行Crédit Mutuel Arkéa或因加密盗窃损失超1.33亿美元
-
5
台湾加权指数较前收下跌2.55%，现报42,204.60
-
6
特朗普淡化对伊朗打击猜测，但称美国已“锁定并装载”，同时表示没有立即打击计划，谈判正在进行
-
7
ERG币（Ergo）项目解析与技术前景
-
8
Lookonchain监测显示，币安事件黑客正持续将SOL兑换为BTC
-
9
币安与Trust Wallet操作指南：资产划转及取消授权详解
-
10
PEPPA币交易与上线交易所现状解析
今日行情
推荐阅读
