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HBM
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据《The Information》报道，英伟达正考虑在其Rubin Ultra GPU中减少高带宽内存（HBM）的使用，以应对先进HBM芯片短缺的问题。
据《The Information》报道，英伟达正考虑在其Rubin Ultra GPU中减少高带宽内存（HBM）的使用，以应对先进HBM芯片短缺的问题。
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高盛重申三星电子和SK海力士“买入”评级，预计2027年HBM均价或翻倍，长期协议条款更利于供应商
高盛在8月4日发布的一份研报中指出，尽管三星电子和SK海力士股价近期大幅回调，但其估值已跌至极度悲观水平，与基本面不符。高盛认为市场对韩国存储行业的八大核心疑虑（包括HBM定价前景、长期协议结构、库存状况、长鑫冲击、股东回报等）大多被过度解读，真实的供需格局仍支撑存储价格高位。高盛预计，三星电子和SK海力士的HBM综合均价将在2027年分别同比上涨约87%和100%，双双接近每Gb 2.9美元，远
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三星电子在FMS峰会公布全新3D内存路线图，推出zHBM、zNAND-O及V10 BV-NAND，旨在AI内存领域取得领先
当地时间8月4日，三星电子在年度存储行业峰会（FMS）上，正式发布了多项前沿内存技术。其中，zHBM是一种将高带宽内存（HBM）直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上的概念产品，预计性能可达下一代HBM5的8倍，内存密度是HBM5的10倍以上，能效提升3倍，目标量产时间为2029年前后。此外，三星还推出了面向边缘AI的高带宽闪存方案zNAND-O，计划于2028年量产；以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠
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三星晶圆代工产能利用率年内预计将达100%，有望扭亏为盈
韩国三星电子晶圆代工业务正迎来关键转折点，预计在HBM基础芯片与美国大型科技客户需求拉动下，其产能利用率有望于今年下半年触及100%。目前产能利用率估计在70%至80%区间，市场分析人士预计，该业务最早将于三季度、最迟四季度实现扭亏为盈，结束困扰其逾一年的亏损局面。不过，业界普遍认为，能否将潜在客户转化为大规模量产合同，关键取决于2纳米制程良率能否稳定在70%以上，目前该良率估计仍在60%区间。
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SK海力士Q2财报电话会：未见AI投资放缓，HBM4E将于2027年量产，股价大跌超10%
韩国SK海力士在第二季度业绩分析师电话会上表示，目前未看到人工智能投资放缓迹象，预计AI基础设施投资在2027年后仍将保持稳健。公司透露HBM4已于二季度开始量产出货，良率接近HBM3E成熟水平；HBM4E样品已交付主要客户，计划于2027年量产。此外，SK海力士已与约10家客户签订通常为期5年的长期供货协议（LTA），并预计不会导致供应过剩。然而，公司将2026年资本开支大幅上调至“40万亿韩元
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SK海力士美股ADR溢价超30%，“韩国海力士”与“全球海力士”估值出现分歧
Svmuu讯 据链上分析师 Ai 姨监测，当前 SK 海力士韩国本土股票与其美股 ADR 之间出现明显价差，SKHX 价格约为 1303.85 美元，而 SKHY 价格约为 170.61 美元，两者价格差距最高达到约 30.9%，反映出美股市场资金对 AI 芯片、HBM（高带宽内存）龙头资产的追捧力度。分析认为，两者间的兑换是单向的，只能将美股 ADR 注销换回韩国普通股，而溢价时没人会这么做，这
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分析师下调 SK 海力士二季度盈利预期，但预计长期盈利增长持续
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，KIS Semicon 分析师 Minsook Chae 预计 SK Hynix 2026 年二季度营业利润为 60.4 万亿韩元，环比增长 61%，同比增长 556%，较 65 万亿韩元市场共识低 8%。 分析师表示，下调预期主要由于 SK 海力士 HBM 销售占比高于同行、普通 DRAM 价格涨幅低于此前市场预期，以及长期
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SK海力士预计2027年HBM价格翻倍，存储行业供应或达历史最紧张
Svmuu讯 美东时间 7 月 10 日晚间，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 表示，2027 年将成为存储行业历史上供应最紧张的一年。目前客户正寻求与 SK 海力士签订长期供货协议，需求持续增长，但公司产能存在限制。Kwak Noh-jung 称，尽管公司正扩充产能，但 2030 年以后客户需求仍可能高于公司供应能力。曾与韩国存储厂商接触的国内产投人士表示，海外存储大厂高管也在
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美光盘前涨超4%，拟扩建日本工厂生产新一代AI存储
Svmuu讯 美光科技盘前涨超 4%，报 989.49 美元。近日，美光科技日本广岛工厂扩建项目启动，总投资 1.5 万亿日元，计划 2028 年起量产 HBM 等先进存储产品，预计 2028 年夏季向英伟达等头部客户供货。日本政府将为该项目提供最高 5360 亿日元补贴。
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韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入
Svmuu讯 据韩国媒体报道，三星电子与 SK 海力士正重新评估下一代高带宽存储器（HBM）采用混合键合（Hybrid Bonding）技术的时间。由于 HBM 对厚度缩减及散热性能提升的需求有所下降，市场预计该技术导入时间可能较此前预期进一步推迟。同时，两家公司正分别开发 HPB 和 iHBM 等新型散热方案，并计划应用于 HBM5 产品。不过，业内认为，随着未来 HBM I/O 数量持续提升，
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SemiAnalysis：预计Nvidia系统内存支出占比到2027年将超过40%
Svmuu讯 SemiAnalysis在X平台发文表示，Hyperscaler资本支出中内存所占比例引发较多讨论，尤其是在MU上周公布财报后。部分市场参与者对明年该比例可能达到的水平感到意外。SemiAnalysis于2月下旬发布初步观点，许多客户对其30%的数字提出异议。5月，在定价上涨速度超过预期后，SemiAnalysis回应称，将DRAM、NAND和HBM合并计算后，Nvidia系统中的内
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李在镕：三星加速扩产芯片，光州将建设成存储芯片基地
Svmuu讯 三星集团会长李在镕表示，“这是一场与时间的赛跑。”他还补充说，更新后的计划加快了三星电子在首尔都市圈建设芯片厂的步伐。根据规划，韩国西南部的光州市将打造成为新的存储芯片制造中心，天安市和温阳市将建设成为高带宽存储器（HBM）封装中心。此外，三星电子还计划在庆尚北道龟尾市的芯片厂部署人形机器人，并加大相关投资。(金十)
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预计创历史新高，韩国6月存储半导体出口达380亿至420亿美元
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，受 AI 需求和供应短缺推动，韩国 6 月存储半导体出口额和单价同步上涨。韩国关税厅贸易统计数据显示，截至 2026 年 6 月 20 日，主要存储产品出口总额超过 230 亿美元，已达到 5 月全月出口额 371.6 亿美元的 60%以上。 按近期 HBM、NAND 和 SSD 月度增长情况，6 月存储半导体出口总额预计达
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Citrini对垒SemiAnalysis？SemiAnalysis创始人对呛Citrini研究员，称3月份就已向客户透露Rubin Ultra 12 Hi相关消息
Svmuu讯 近日，两大知名投研机构 Citrini 与 SemiAnalysis 之间再次爆发争论。Citrini 研究员 Zephyr 援引相关消息称，“Rubin Ultra HBM 性能实际上已经降到了 12 Hi 的水平，而且他们甚至还没有开始使用 HB 技术。 在 2027 年，他们不会使用 16 Hi 芯片。目前，混合键合技术对于 HBM 来说非常昂贵（其产率极低）。 BESI 在短
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据《The Information》报道，英伟达正考虑在其Rubin Ultra GPU中减少高带宽内存（HBM）的使用，以应对先进HBM芯片短缺的问题。
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三星晶圆代工产能利用率年内预计将达100%，有望扭亏为盈
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SK海力士Q2财报电话会：未见AI投资放缓，HBM4E将于2027年量产，股价大跌超10%
韩国SK海力士在第二季度业绩分析师电话会上表示，目前未看到人工智能投资放缓迹象，预计AI基础设施投资在2027年后仍将保持稳健。公司透露HBM4已于二季度开始量产出货，良率接近HBM3E成熟水平；HBM4E样品已交付主要客户，计划于2027年量产。此外，SK海力士已与约10家客户签订通常为期5年的长期供货协议（LTA），并预计不会导致供应过剩。然而，公司将2026年资本开支大幅上调至“40万亿韩元
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分析师下调 SK 海力士二季度盈利预期，但预计长期盈利增长持续
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，KIS Semicon 分析师 Minsook Chae 预计 SK Hynix 2026 年二季度营业利润为 60.4 万亿韩元，环比增长 61%，同比增长 556%，较 65 万亿韩元市场共识低 8%。 分析师表示，下调预期主要由于 SK 海力士 HBM 销售占比高于同行、普通 DRAM 价格涨幅低于此前市场预期，以及长期
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SK海力士预计2027年HBM价格翻倍，存储行业供应或达历史最紧张
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美光盘前涨超4%，拟扩建日本工厂生产新一代AI存储
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韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入
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