AI存儲
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日本鎧俠市值蒸發近40萬億日元,上週五股價重挫16%並跌出日本市值前三,因AI存儲敍事退潮與中國NAND廠商崛起
日本NAND Flash龍頭鎧俠(Kioxia)正經歷劇烈估值重構。該公司市值已從60萬億日元(3800億美元)的歷史高點蒸發近40萬億日元(2530億美元),縮水至高峯期的三分之一左右。鎧俠股價上週五盤中一度重挫16%,較上月高點累計下跌逾52%,市值排名已從日本第一滑落至第四位。大和證券首席策略師Yugo Tsuboi表示,市場對AI存儲溢價重新定價,並擔憂中國NAND廠商崛起可能使全球存儲價
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週二交易中,西部數據(WDC)下跌4%,希捷(STX)下跌5%,而美光(MU)則保持平穩,因為市場將硬盤和內存視為截然不同的AI存儲概念。
儘管西部數據(Western Digital)股價今年以來已上漲139%,但目前正面臨獲利回吐,這與硬盤驅動器(HDD)板塊整體走弱的趨勢一致。希捷(Seagate)股價的下跌主要歸因於硬盤驅動器價格走勢和市場情緒,而非公司層面的具體消息。 與此同時,Roundhill Memory ETF(DRAM)基本持平,這得益於三星、SK海力士和美光在該ETF中佔比較高的DRAM權重,表明這更多是資金輪動
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SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%,遠超三星電子,以應對AI存儲備料壓力及漲價預期
SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%,遠超三星電子,以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道,這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力,並確保其在高帶寬內存(HBM)及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃,並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠,以支持HBM4生產。此外,SK海力士還默許部分核心設備供應商提價
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鎧俠與閃迪聯手在日本岩手縣新建第三座晶圓廠,擴產NAND閃存以應對AI存儲需求
新工廠將專注於生產最新一代高密度3D閃存芯片,並計劃向日本政府申請補貼。鎧俠首席執行官Hiroo Ota與閃迪首席執行官David Goeckeler今日將共同拜會日本首相高市早苗。消息公佈後,鎧俠股價盤中一度上漲6.9%。
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三星電子與SK海力士上半年半導體設施投資合計達43.198萬億韓元,同比增長35.1%;英偉達未入三星前五大客户,在SK海力士營收佔比降至13.35%
據韓國媒體援引兩家公司2026年半年報,三星電子與SK海力士上半年半導體設施投資合計達43.198萬億韓元,較上年同期的31.98萬億韓元增長35.1%,兩家公司產能利用率均達到100%,顯示AI存儲需求旺盛。客户結構方面,英偉達在SK海力士營收中的佔比從2025年全年的24%降至13.35%,同期未出現在三星的前五大客户名單中,反映AI存儲需求正走向多元分散。
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Bybit Alpha、Byreal現已上線ARX與MU交易
Svmuu訊 Bybit Alpha,Byreal 現已上線$ARX,$MU 交易。ARX 為 Solana 生態 AI 基礎設施項目代幣,MU 則對應熱門 AI 存儲概念股 Micron Technology 的鏈上資產。
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AI存儲賽道衝高回落,Gate MU(美光科技)與SNDK(閃迪)合約成交額位居行業前列
Svmuu訊 近期 AI 存儲基礎設施板塊持續受到市場關注,存儲芯片及數據存儲相關資產交易活躍度顯著提升。據 Gate 行情數據顯示,美光科技(MU)24 小時最高觸及 1000.35 美元,現報 909.59 美元;閃迪(SNDK)24 小時最高觸及 1791.06 美元,現報 1625.50 美元。據 CoinGlass 數據,Gate MU(美光科技)合約 24 小時成交額達 1979.04
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日本鎧俠市值蒸發近40萬億日元,上週五股價重挫16%並跌出日本市值前三,因AI存儲敍事退潮與中國NAND廠商崛起
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SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%,遠超三星電子,以應對AI存儲備料壓力及漲價預期
SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%,遠超三星電子,以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道,這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力,並確保其在高帶寬內存(HBM)及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃,並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠,以支持HBM4生產。此外,SK海力士還默許部分核心設備供應商提價
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