SK海力士2026年第二季度硅晶圓採購金額環比暴增104%，遠超三星電子，以應對AI存儲備料壓力及漲價預期。據DIGITIMES報道，這一激進採購策略旨在平抑未來晶圓漲價壓力，並確保其在高帶寬內存（HBM）及先進DRAM市場的產能釋放。公司同時上調了1C DRAM擴產計劃，並計劃投資40億美元在美國印第安納州建設下一代HBM封裝工廠，以支持HBM4生產。此外，SK海力士還默許部分核心設備供應商提價3%至4%，顯示出在AI驅動的產能軍備競賽中，存儲巨頭對上游供應鏈的依賴度正在加深。