Svmuu讯 根据最新行业调研，全球 DRAM 市场第三季度平均售价（ASP）预计将环比上涨 21%，这一预期高于 TrendForce 此前对传统 DRAM 价格上涨 13%至 18%、以及包含 HBM 在内整体上涨 8%至 13%的预测。
分析认为，第三季度 DRAM 价格上涨主要受到多项因素推动，包括服务器 DRAM 价格环比上涨 20%至 30%，高速 LPDDR5 需求强劲；DDR5 及 DDR4 现货市场持续升温，7 月价格进一步环比走高；HBM4 订单增加；长期协议（LTA）覆盖比例低于 50%，更多现货及非长期协议订单推动价格上涨；同时，部分 OEM 厂商的紧急采购也推动 DRAM 和 NAND 价格涨幅超过 20%。
市场此前担忧存储芯片厂商第三季度业绩可能不及预期，但最新合同价格检查结果显示，DRAM 价格涨势强于市场共识。与此同时，台积电和 ASML 近期释放的积极指引，也进一步强化了市场对存储行业景气度上行的预期。（Barrons）