NAND
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高盛会议纪要:闪迪管理层预计NAND供给将长期受限,AI推理是核心需求驱动
高盛Communacopia+科技大会第二日纪要显示,闪迪管理层明确表示,NAND供给增长在可预见的未来很可能持续受限,同时AI推理的大规模普及正持续推高需求。这一中长期判断直接指向NAND价格的潜在支撑逻辑。
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SanDisk(SNDK)股价今年以来飙升632%,至1,738美元,分析师维持“持有”评级
分析师将闪迪(SNDK)评级定为“持有”,理由是尽管该股今年以来已飙升632%至1,738美元,但其强劲的上涨势头已超过了新买家的安全边际。 该公司受益于939亿美元的最低营收承诺积压订单以及140亿美元的股票回购授权,这为现有股东提供了基本面的支撑。 然而,其第四季度372%的营收增长中有三分之二来自价格上涨而非销量增长——这种周期性NAND大宗商品市场的动态,历史上往往会引发供应增加和潜在的行
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戴尔Q2营收同比大增58%至470亿美元,AI服务器积压订单达950亿美元,大幅上调全年指引,COO称“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM!”
戴尔公布截至7月31日的2027财年第二季度业绩,营收470亿美元,同比增长58%,超出市场预期;非GAAP每股收益7.04美元,同比增长203%。公司将全年营收指引上调250亿美元至1920亿美元中值,同比增幅约70%。截至二季度末,戴尔AI服务器积压订单已达950亿美元。副董事长兼首席运营官Jeff Clarke在电话会上强调,当前供应链的主要限制因素是DRAM,其次是NAND。
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预计到2027年,YMTC的NAND产量将在其位于武汉的第三家工厂的带动下增长近25%,达到250万片晶圆。
据预测,中国扬子记忆科技(YMTC)的年NAND晶圆产量将增加48.6万片,从今年的201万片增至2027年的250万片。 市场研究机构Omdia预计,这一增长主要得益于该公司位于武汉的第三家工厂,该工厂计划开始试运行。YMTC的目标是追赶其韩国竞争对手,而这些竞争对手的大规模扩产预计要到2028年才会启动。
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SK海力士董事会批准投资约382.82亿美元(54.3万亿韩元),在韩国新建两座晶圆厂
此举旨在扩大DRAM和NAND生产基地,以满足人工智能带动的HBM及先进存储需求增长。其中,龙仁Y2工厂将聚焦HBM与下一代DRAM,清州M17工厂将完善NAND产能。两座工厂预计最早于2028年底至2029年陆续投产,并将在2031年前完成投资,产能将根据客户需求逐步扩大。
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韩日NAND竞争白热化:三星电子与日本铠侠同期量产最新规格AI存储芯片,加速AI数据中心及端侧市场升级
据韩国科技媒体ZDNet报道,日本铠侠已于7月初启动第十代(BiCS 10)3D NAND量产,并在此基础上完成PCIe 6.0企业级固态硬盘CM10的商业化落地。三星电子同期亦宣布PCIe 6.0 eSSD产品PM1763进入量产,并披露其第十代V-NAND(V10)将于本月启动量产。两家巨头此次同期推进最新规格产品商用化,旨在满足AI数据中心及端侧AI市场对高性能存储的迫切需求,预计将加速相关
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三星电子在FMS峰会公布全新3D内存路线图,推出zHBM、zNAND-O及V10 BV-NAND,旨在AI内存领域取得领先
当地时间8月4日,三星电子在年度存储行业峰会(FMS)上,正式发布了多项前沿内存技术。其中,zHBM是一种将高带宽内存(HBM)直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上的概念产品,预计性能可达下一代HBM5的8倍,内存密度是HBM5的10倍以上,能效提升3倍,目标量产时间为2029年前后。此外,三星还推出了面向边缘AI的高带宽闪存方案zNAND-O,计划于2028年量产;以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠
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Citrini分析师:仍看多存储,负面消息正获得更多关注
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示,近期关于 NAND 的看跌观点和传闻似乎正在流传,尤其来自中国,同时还有与 QLC 价格谈判相关的负面消息。其表示,SanDisk 以低于初始报价的价格与 Meta 签署长期协议并不意外。在 NAND 制造商中,SanDisk 最积极地锁定长期协议,并计划将总出货量的 50%以上分配给此类协议。 基于这一策略,SanDisk
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Citrini分析师:UBS上调DRAM和NAND价格预期
Svmuu讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文表示,UBS 上调 DRAM 和 NAND 价格预期,目前预计 DRAM 价格将在第三季度环比上涨 32%,第四季度环比上涨 18%;NAND 价格将在第三季度环比上涨 30%,第四季度环比上涨 12%。
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SK hynix计划向清州投资100万亿韩元扩建NAND工厂
Svmuu讯 SK hynix CEO Kwak Noh-jung 7月2日在忠清圈尖端产业发展愿景国民报告会上表示,SK hynix计划向清州投资100万亿韩元,用于扩建NAND工厂及先进封装设施。 具体而言,SK hynix将向生产NAND的M17工厂投资80万亿韩元,并向先进封装工厂P&T7投入20万亿韩元。M17计划明年开工,目标于2029年上半年投产;P&T7计划于2027年底完工。
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Lenovo:DRAM和NAND价格上涨将成为新常态,并持续至2030年后
Svmuu讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示,Lenovo 称内存价格上涨是“新常态”,DRAM 和 NAND 闪存价格已进入结构性上行周期,即使主要供应商继续扩产,价格也不太可能回到 2025 年初水平。更高成本正在整个行业传导,未来包括 PC 和智能手机在内的各类电子设备预计将持续面临涨价压力,较高价格将在 2030 年后成为“新常态”。
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国金证券:美光科技推进长协落地,供需缺口有望持续
Svmuu讯 国金证券研报认为,美光科技推进长协落地,供需缺口有望持续。美光科技已经与客户完成 16 个 SCA(战略客户合作协议),下游涵盖数据中心、消费电子、汽车市场。SCA 中汽车客户签订时间为三年,其他客户基本为五年。16 个 SCA 协议已经占到美光科技 20%的 DRAM 出货量,1/3 的 NAND 出货量。 美光科技签订的 SCA 的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能
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谨慎资本支出,Kioxia市值突破50万亿日元但财年投资计划较23年峰值下降10%
Svmuu讯 AI 投资者루팡在 X 平台发文表示,Kioxia 近期市值突破 50 万亿日元,但其未来资本开支仍较过去保持谨慎。Kioxia 计划在 2026 至 2028 财年年均投资 4700 亿日元,较 2025 年增长 66%,但较 2023 财年 5104 亿日元的历史高点低约 10%。 2022 年,Kioxia 曾向四日市工厂投资 1 万亿日元,随后因需求下滑连续 5 个季度亏损,
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伯恩斯坦:DRAM与NAND合约价格涨涨涨,预计二季度环比上涨约60%
Svmuu讯 伯恩斯坦最新月度追踪报告显示,DRAM与NAND合约价格在5月继续环比上涨,综合指标均指向2026年第二季度将录得约60%的环比涨幅,略高于该机构此前预测。报告显示,5月DRAM合约价格较4月进一步上涨,加权平均数据显示,2026年第二季度传统DRAM合约价格预计较2026年第一季度上涨64%。NAND方面,受移动NAND及SSD价格支撑,2026年第二季度混合均价涨幅预计约为60%
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高盛会议纪要:闪迪管理层预计NAND供给将长期受限,AI推理是核心需求驱动
高盛Communacopia+科技大会第二日纪要显示,闪迪管理层明确表示,NAND供给增长在可预见的未来很可能持续受限,同时AI推理的大规模普及正持续推高需求。这一中长期判断直接指向NAND价格的潜在支撑逻辑。
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SanDisk(SNDK)股价今年以来飙升632%,至1,738美元,分析师维持“持有”评级
分析师将闪迪(SNDK)评级定为“持有”,理由是尽管该股今年以来已飙升632%至1,738美元,但其强劲的上涨势头已超过了新买家的安全边际。 该公司受益于939亿美元的最低营收承诺积压订单以及140亿美元的股票回购授权,这为现有股东提供了基本面的支撑。 然而,其第四季度372%的营收增长中有三分之二来自价格上涨而非销量增长——这种周期性NAND大宗商品市场的动态,历史上往往会引发供应增加和潜在的行
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戴尔Q2营收同比大增58%至470亿美元,AI服务器积压订单达950亿美元,大幅上调全年指引,COO称“缺的就是DRAM、DRAM、DRAM!”
戴尔公布截至7月31日的2027财年第二季度业绩,营收470亿美元,同比增长58%,超出市场预期;非GAAP每股收益7.04美元,同比增长203%。公司将全年营收指引上调250亿美元至1920亿美元中值,同比增幅约70%。截至二季度末,戴尔AI服务器积压订单已达950亿美元。副董事长兼首席运营官Jeff Clarke在电话会上强调,当前供应链的主要限制因素是DRAM,其次是NAND。
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预计到2027年,YMTC的NAND产量将在其位于武汉的第三家工厂的带动下增长近25%,达到250万片晶圆。
据预测,中国扬子记忆科技(YMTC)的年NAND晶圆产量将增加48.6万片,从今年的201万片增至2027年的250万片。 市场研究机构Omdia预计,这一增长主要得益于该公司位于武汉的第三家工厂,该工厂计划开始试运行。YMTC的目标是追赶其韩国竞争对手,而这些竞争对手的大规模扩产预计要到2028年才会启动。
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SK海力士董事会批准投资约382.82亿美元(54.3万亿韩元),在韩国新建两座晶圆厂
此举旨在扩大DRAM和NAND生产基地,以满足人工智能带动的HBM及先进存储需求增长。其中,龙仁Y2工厂将聚焦HBM与下一代DRAM,清州M17工厂将完善NAND产能。两座工厂预计最早于2028年底至2029年陆续投产,并将在2031年前完成投资,产能将根据客户需求逐步扩大。
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韩日NAND竞争白热化:三星电子与日本铠侠同期量产最新规格AI存储芯片,加速AI数据中心及端侧市场升级
据韩国科技媒体ZDNet报道,日本铠侠已于7月初启动第十代(BiCS 10)3D NAND量产,并在此基础上完成PCIe 6.0企业级固态硬盘CM10的商业化落地。三星电子同期亦宣布PCIe 6.0 eSSD产品PM1763进入量产,并披露其第十代V-NAND(V10)将于本月启动量产。两家巨头此次同期推进最新规格产品商用化,旨在满足AI数据中心及端侧AI市场对高性能存储的迫切需求,预计将加速相关
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三星电子在FMS峰会公布全新3D内存路线图,推出zHBM、zNAND-O及V10 BV-NAND,旨在AI内存领域取得领先
当地时间8月4日,三星电子在年度存储行业峰会(FMS)上,正式发布了多项前沿内存技术。其中,zHBM是一种将高带宽内存(HBM)直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上的概念产品,预计性能可达下一代HBM5的8倍,内存密度是HBM5的10倍以上,能效提升3倍,目标量产时间为2029年前后。此外,三星还推出了面向边缘AI的高带宽闪存方案zNAND-O,计划于2028年量产;以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠
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Citrini分析师:仍看多存储,负面消息正获得更多关注
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Citrini分析师:UBS上调DRAM和NAND价格预期
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国金证券:美光科技推进长协落地,供需缺口有望持续
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伯恩斯坦:DRAM与NAND合约价格涨涨涨,预计二季度环比上涨约60%
Svmuu讯 伯恩斯坦最新月度追踪报告显示,DRAM与NAND合约价格在5月继续环比上涨,综合指标均指向2026年第二季度将录得约60%的环比涨幅,略高于该机构此前预测。报告显示,5月DRAM合约价格较4月进一步上涨,加权平均数据显示,2026年第二季度传统DRAM合约价格预计较2026年第一季度上涨64%。NAND方面,受移动NAND及SSD价格支撑,2026年第二季度混合均价涨幅预计约为60%
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