此举旨在扩大DRAM和NAND生产基地，以满足人工智能带动的HBM及先进存储需求增长。其中，龙仁Y2工厂将聚焦HBM与下一代DRAM，清州M17工厂将完善NAND产能。两座工厂预计最早于2028年底至2029年陆续投产，并将在2031年前完成投资，产能将根据客户需求逐步扩大。