此舉旨在擴大DRAM和NAND生產基地，以滿足人工智能帶動的HBM及先進存儲需求增長。其中，龍仁Y2工廠將聚焦HBM與下一代DRAM，清州M17工廠將完善NAND產能。兩座工廠預計最早於2028年底至2029年陸續投產，並將在2031年前完成投資，產能將根據客户需求逐步擴大。