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DRAM
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REX Sharesは、DRAMの1日当たりのパフォーマンスの2倍のリターンを目指すETF「RAM」を発売した。
Svmuuニュース：Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF（RAM）の取引が開始されました。本商品は、DRAM（Roundhill Memory ETF）の発行元であるRoundhillと提携して発行された、唯一の2倍レバレッジETFです。 RAMは、DRAMの1日あたりのパフォーマンスの2倍のリターンを提供することを目的としており、毎日リセット
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彭博アナリスト：LeverageShares、今週3倍レバレッジSpaceX ETFを発売へ
Svmuu訊 ブルームバーグのシニアETFアナリスト、Eric Balchunas氏はXプラットフォームで、LeverageSharesが今週金曜日に3倍レバレッジのSpaceX ETFを発売すると述べた。米ドル建ての取引コードは「$ELON」、英ポンド建ての取引コードは「$MUSK」。さらに、同社は同時に3倍レバレッジのSK Hynix ETFと3倍レバレッジのDRAM ETFも発売し、現在の市
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伯恩斯坦：DRAMとNANDの契約価格が上昇、第2四半期は前期比約60%増の見通し
Svmuuの報道によると、バーンスタインの最新月次トラッキングレポートで、DRAMとNANDの契約価格が5月も前月比で上昇を続け、総合指標は2026年第2四半期に前期比約60%の上昇を見込んでおり、同機関の従来予測をやや上回りました。レポートによると、5月のDRAM契約価格は4月からさらに上昇し、加重平均データでは、2026年第2四半期の従来型DRAM契約価格は2026年第1四半期比で64%上昇す
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SKハイニックスの第3四半期売上高は104兆6000億ウォンと過去最高を記録し、AIメモリの需要は2030年まで供給不足が続くと予想されています。DRAMとHBMは2029年まで完売しています。
SKハイニックスの第3四半期売上高は104兆6000億ウォンと過去最高を記録し、AIメモリの需要は2030年まで供給不足が続くと予想されています。DRAMとHBMは2029年まで完売しています。
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マイクロンCTOは、中国の競合であるCXMTが4F²メモリチップ分野でブレイクスルーを達成したにもかかわらず、同社は4F²メモリチップを追求せず、6F²および3D DRAM技術に引き続き注力すると述べた。
マイクロンCTOは、中国の競合であるCXMTが4F²メモリチップ分野でブレイクスルーを達成したにもかかわらず、同社は4F²メモリチップを追求せず、6F²および3D DRAM技術に引き続き注力すると述べた。
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ゴールドマン・サックスは、中国のDRAMメーカーであるCXMT（長鑫科技）の目標株価を130元に引き上げた。これは、第3四半期の売上が予想を30%上回ったことと、G5プラットフォームがすでに量産されていることによる。
ゴールドマン・サックスは最新の調査レポートを発表し、中国のDRAMメーカーである長鑫科技（CXMT）に対する「買い」の投資判断を維持し、12ヶ月目標株価を129元から130元に小幅に引き上げた。今回の引き上げは、主に長鑫科技が発表した第3四半期業績予想に牽引されたもので、ゴールドマン・サックスは、同社の第3四半期の売上高中央値が以前の予測より約30%高くなると見込んでいる。さらに、同社は2026年
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長鑫存儲（CXMT）の株価は6%超下落、2026年第3四半期までの力強い利益予測にもかかわらず。
月曜日、中国の半導体メーカーであるCXMTの株価は6.5%下落した。同社は2026年第3四半期までの純利益が1310億元から1325億元（約195.8億ドル）に達し、前年同期の52.8億元の純損失から黒字転換すると予測しているにもかかわらずだ。同社は売上高が約2650億元から2700億元になると見込んでおり、業績の大幅な改善は、世界のDRAM市場を押し上げたAIコンピューティング能力需要の急速な成
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中国のストレージチップ大手CXMTは、第1～3四半期の純利益が1310億～1325億元になると予想しており、前年同期比で黒字転換し、売上高は7倍以上に増加する見込みです。
中国のストレージチップ大手である長鑫科技（CXMT）は業績予想を発表し、2026年第3四半期までの上場企業株主に帰属する純利益が1310億元から1325億元に達し、前年同期の52.80億元の赤字から大幅な黒字転換を果たす見込みだと述べた。同期の営業収入は約2650億元から2700億元と予想され、前年同期の320.84億元から2300億元以上増加し、前年同期比で7倍以上の伸びとなる。同社は業績の大幅
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KeyBanc：HBMは来年第1四半期に80～100%値上がりし、DRAMとNANDの価格は第4四半期に15～20%上昇すると予想
KeyBanc Capital Marketsのアナリスト、ジョン・ヴィン氏はアジア調査レポートで、AIデータセンターの需要に牽引され、高帯域幅メモリ（HBM）価格が2027年第1四半期に前期比80%から100%上昇すると予測。DRAM価格は今年第4四半期に前期比15%から20%上昇し、NANDは約20%上昇する見込みだと指摘した。
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ストレージセクターが圧迫され、マイクロンとサンディスクが月曜日に下落を主導しました。これは、韓国市場での追加下落、自社株買いの終了、および長鑫科技の4F²アーキテクチャの進展によるものです。
ストレージセクターは月曜日に集中的な売りを経験し、マイクロンは3.88%安、サンディスクは5.97%安で引け、マイクロンは6月の高値から20%近く下落しました。この調整は主に3つの要因によるものです。韓国市場がハングルの日の祝日後に下落を埋め合わせ、韓国総合株価指数（KOSPI）は3.65%大幅下落しました。サムスンとSKハイニックスの合計約400億ドルの自社株買い計画が前倒しで終了し、サムスンの
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マッキンゼー、2030年の世界半導体市場規模予測を44%上方修正し2.3兆ドルに。主にDRAM価格の累計6倍上昇が牽引。
マッキンゼーの最新調査によると、2030年の世界の半導体市場規模のベンチマーク予測は、2025年秋の1.6兆ドルから2.3兆ドルに上方修正され、約44%の増加となった。報告書は、この上方修正が出荷量の増加によるものではなく、先端プロセスチップとメモリの平均販売価格（ASP）の上昇によるものだと指摘している。特にDRAM価格は2023年初頭から累計で約6倍に上昇し、2011年の高値水準に戻っている。
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ゴールドマン・サックス：外国人投資家の韓国KOSPI半導体セクターへの持ち高は過去最低水準に低下し、過去平均を2.1標準偏差下回る
ゴールドマン・サックスのデータによると、外国人投資家の韓国KOSPI半導体セクターへの持ち株比率は49.1%に低下し、過去平均を2.1標準偏差下回っており、ポジションの流出はほぼ完全にメモリチップ分野に集中しています。同時に、TrendForceは2027年にはHBMがDRAMウェーハ総投入量の30%を占めると予測しており、2026年の22%から上昇すると見ています。アナリストによる韓国テクノロジ
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サムスン幹部：2027年にはHBMがDRAM生産能力の約30%を占めると予想、従来のメモリ供給はさらに逼迫し価格を押し上げる可能性
ロイター通信によると、サムスン電子のキム・テウ執行副社長は、高帯域幅メモリ（HBM）が2027年には世界のDRAM業界のウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想されており、現在の約20%から増加すると述べた。彼は、HBMが従来のDRAMと同じウェーハ生産能力を共有しており、HBMの継続的な拡大が従来のDRAMの供給スペースをさらに圧迫すると指摘した。市場調査機関のTrendForceは、AIサー
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SKハイニックスは、顧客と政府からの圧力を考慮し、米国に完全なメモリ生産拠点を設立することを検討していると述べた。
SKグループの崔泰源（チェ・テウォン）会長は今年7月、顧客と政府からのメモリーチップ供給増強に対する「多大な圧力」のため、米国に工場を建設する必要があると述べた。同社は高価値AIメモリーを生産するための米国生産拠点の建設に着手しており、40億ドル以上を投じるインディアナ州の工場は先月着工した。この工場では、韓国で製造された先進DRAMウェハーを後続の生産工程のために加工する予定だ。
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サムスン電子の第3四半期営業利益は初めて100兆ウォンを突破する見込みで、DRAMの利益率は80%を超える可能性。
DB証券、未来アセット証券、BNK証券が日曜日に発表した推定によると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は平均107兆7000億韓国ウォン（約795億ドル）で、前年同期比20.3%増となる見込みです。AI主導の生産シフトによりメモリ価格の上昇ペースが鈍化し、メモリ市場の供給が逼迫しているにもかかわらず、DRAMの利益率は80%を超える見通しです。
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シティのレポート：AIの「継続学習」によりメモリの需給不均衡が生じ、DRAMとNANDの不足は2031年まで続くと予想される
シティは9月14日付のレポートで、AIが「継続学習」の時代に突入するにつれて、HBM、サーバーDDR5、エンタープライズSSD（eSSD）の需要が2027年から爆発的に増加すると指摘した。シティは、DRAMの需給比率（S/D ratio）が2027年には-8.7%、2028年には-9.7%に悪化し、NANDの同期の需給比率も-6.1%と-5.5%に低下すると予測しており、需給の不均衡は2031年ま
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CXMTの第2四半期利益率がSKハイニックスとマイクロンを上回り、ストレージ業界の構図変化を予告
中国の半導体メーカーである長鑫存儲技術有限公司（CXMT）は、第2四半期にコモディティDRAMの供給逼迫の機会を捉え、利益率で先行しました。同社の主要製品であるDDR5メモリは、ここ数カ月で価格が大幅に上昇しており、長らく韓国、米国、日本のサプライヤーが支配してきたストレージ業界に挑戦しています。
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マイクロン、第2四半期のDRAM市場シェアが23.3%に上昇、SKハイニックスにわずか1.6ポイント差
市場調査会社TrendForceの報告によると、2026年第2四半期の世界のDRAM売上高は前期比約60%増加し、そのうちマイクロン(Micron)のDRAM売上高は前期比約66%増の360億ドルに達し、市場シェアは23.3%となった。これにより、マイクロンはSKハイニックス(SK Hynix)の市場シェア24.9%にわずか1.6ポイント差まで迫り、間もなく2位のDRAMサプライヤーに浮上する可能
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SKハイニックスCEO、米国製HBM製品は韓国でDRAMウェハーの生産を開始すると発言
SKハイニックスのクァク・ノジョンCEOは8月26日の起工式で、インディアナ州に40億ドル以上を投じて建設するHBM生産拠点が、初の「米国製」HBM製品のゲートウェイとなると述べた。しかし、これらの製品のDRAMウェハーは引き続き韓国工場で生産され、その後、積層、パッケージング、テストのために米国インディアナ州ウェストラファイエットに輸送される。この工場は2026年下半期に量産を開始する予定で、S
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SKハイニックスはNVIDIAなどの顧客と7500億ドルの長期メモリー供給契約を締結し、経営陣はDRAMの供給が少なくとも2030年まで需要に追いつかないと予測している。
Yahoo Financeの分析によると、現在のDRAMスーパーサイクルはAI構築と直接関連しており、高帯域幅メモリ（HBM）の需要は急増を続けているものの、生産能力の拡大が制限されているため、DRAM市場全体が供給不足に陥っています。SKハイニックスの経営陣は、DRAMの供給が需要に追いつくのは少なくとも2030年になると予測しています。同社は最近、顧客と総額7500億ドルの長期メモリチップ供給
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デルの第2四半期売上高は前年同期比58%増の470億ドルに達し、AIサーバーの受注残は950億ドルに上った。通期ガイダンスを大幅に上方修正し、COOは「不足しているのはDRAM、DRAM、DRAMだ！」と述べた。
デルは、2027年度第2四半期（7月31日終了）の業績を発表しました。売上高は前年同期比58%増の470億ドルで、市場予想を上回りました。非GAAPベースの1株当たり利益は7.04ドルで、前年同期比203%増となりました。同社は通期の売上高見通しを250億ドル上方修正し、中央値で1920億ドルと、前年比約70%増を見込んでいます。第2四半期末時点で、デルのAIサーバーの受注残高は950億ドルに達し
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ゴールドマン・サックスは、中国の半導体設備投資が2030年までに820億ドルに達すると予測しており、CXMT（CXMT）は2028年までに中国のDRAM需要の50%を満たす可能性があると見ています。
ゴールドマン・サックスはレポートで、AI需要が先端チップ、メモリ、製造能力への投資を促進するにつれて、中国の半導体自給自足への取り組みが加速すると予想している。ゴールドマン・サックスは、中国の半導体設備投資が2030年までに820億ドルに達し、以前の予測から79%増加すると予測している。レポートはまた、中国の7nm以下のチップの供給ギャップが、2025年の92%から2035年には34%に縮小すると
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雅フーファイナンスの分析によると、3つのテクノロジー系ETF（4月に上場して以来100%以上上昇しているRoundhill DRAM ETFを含む）が、今年S&P 500指数を上回るパフォーマンスを示す可能性がある。
この分析では、主にサムスン、マイクロン、SKハイニックスなどのメモリチップメーカーに投資するRoundhillメモリETF（DRAM）に焦点を当てています。さらに、過去5年間で年率29.6%のリターンを記録したiShares半導体ETF（SOXX）と、より広範な投資範囲を持つVanguard情報技術インデックスファンド（VGT）—過去10年間で年率24.3%のリターンを記録—も、潜在的な超過収益能
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分析によると、NVIDIA（エヌビディア）の決算発表後、マイクロン・テクノロジー（Micron Technology）の株価は急騰する可能性がある。
アナリストは、マイクロンテクノロジーがNVIDIAの高帯域幅メモリ（HBM）の主要サプライヤーの1つであるため、その株価パフォーマンスはNVIDIAの業績と密接に関連していると指摘しています。市場では、NVIDIAの第2四半期売上高が前年同期比97%増の921億ドルに達すると広く予想されています。NVIDIAの業績が好調であれば、AIインフラのスーパーサイクルがさらに裏付けられ、HBMとDRAMの
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SKハイニックスは、380億ドルを投じて新たなメモリウェハー工場を建設することを承認しましたが、2028年12月までは生産開始されない見込みです。
SKハイニックスの取締役会は8月7日、総額54兆3,000億ウォン（約380億ドル）を投じて2つの新工場を建設することを承認しました。このうち、35兆2,000億ウォンは龍仁のY2工場に充てられ、高帯域幅メモリ（HBM）と次世代DRAMを生産します。残りの19兆1,000億ウォンは清州のM17工場に充てられ、NANDフラッシュメモリを生産します。M17工場は2027年2月に着工し、最初のクリーンル
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ゴールドマン・サックスの専門家：HBMとDRAMの注文は2027年まで完売しているが、価格の前月比上昇率は2027年第2四半期から第3四半期にピークを迎え、緩やかに下落すると予想される
ゴールドマン・サックスの欧州TMT専門家であるショーン・ジョンストン氏は最新レポートで、HBM（高帯域幅メモリ）とDRAMの受注が2027年まで完売しており、長期契約には価格下限が設定され、粗利益率は70%台半ばから後半を維持していると指摘しました。AIの構造的需要により、供給は2028年まで引き続き逼迫すると見られています。しかし、同氏は同時に、ストレージチップの価格上昇率は減速しており、202
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分析によると、SKハイニックスとサムスンの最近の決算報告では、メモリチップの価格が予想を下回っており、マイクロンの将来の業績に圧力がかかる可能性が示唆されています。
分析によると、SKハイニックスとサムスンが最近発表した決算報告では、メモリチップ（DRAMとNAND）の価格上昇がアナリストの予想を下回っており、これが将来的にマイクロン・テクノロジーの業績に圧力をかける可能性がある。SKハイニックスのDRAM価格は前期比で約30%上昇したが、ゴールドマン・サックスのアナリストが予想した39%を下回った。サムスンのDRAM価格は40%以上上昇したが、Morning
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